磁穿隧元件及磁性記憶裝置
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文磁穿隧元件及磁性記憶裝置的核准國家是美國, 證書號碼是7583529, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是98, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是陳威全 ,王泳弘 ,楊姍意 ,沈桂弘 ,.

序號	5817
產出年度	98
領域別	(空)
專利名稱-中文	磁穿隧元件及磁性記憶裝置
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	陳威全 \| 王泳弘 \| 楊姍意 \| 沈桂弘
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	7583529
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種磁性隨機存取記憶體，包括：依序堆疊於一第一電極層上之一反鐵磁性層、一固定參考層、一穿隧絕緣層、一複合自由層與一第二電極層，其中該複合自由層包括依序堆疊於該穿隧絕緣層上之一第一磁性層、一非磁性間隔層與一第二磁性層。於一實施例中，於該第二磁性層與該第一磁性層包括不同之磁性材料，使得該第一磁性層與該第二磁性層呈現平行態耦合。於另一實施例中，該第一磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第一磁阻變化率，該第二磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第二磁阻變化率，且第一磁阻變化率係高於第二磁阻變化率。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	stephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	20101082-Joanne
特殊情形	(空)

序號

5817

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

磁穿隧元件及磁性記憶裝置

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

陳威全 | 王泳弘 | 楊姍意 | 沈桂弘

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

7583529

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種磁性隨機存取記憶體，包括：依序堆疊於一第一電極層上之一反鐵磁性層、一固定參考層、一穿隧絕緣層、一複合自由層與一第二電極層，其中該複合自由層包括依序堆疊於該穿隧絕緣層上之一第一磁性層、一非磁性間隔層與一第二磁性層。於一實施例中，於該第二磁性層與該第一磁性層包括不同之磁性材料，使得該第一磁性層與該第二磁性層呈現平行態耦合。於另一實施例中，該第一磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第一磁阻變化率，該第二磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第二磁阻變化率，且第一磁阻變化率係高於第二磁阻變化率。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

stephen.chung@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

20101082-Joanne

特殊情形

(空)

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可改善寫入範圍之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I304212 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳威全王泳弘楊姍意沈桂弘 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,606,063 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈志達 \| 王泳弘 \| 顏誠廷 \| 沈桂弘 \| 陳威全 \| 楊姍意 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330366 \| 專利期間起: 1999/9/11 \| 專利期間訖: 116/02/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈志達 \| 王泳弘 \| 顏誠廷 \| 沈桂弘 \| 陳威全 \| 楊姍意 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7606063 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈志達 \| 王泳弘 \| 顏誠廷 \| 沈桂弘 \| 陳威全 \| 楊姍意 @ 技術司專利資料集

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用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610058803.8 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,397,584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8397584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610071485.9 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 \| 林志昇 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,577,017 \| 專利期間起: 98/08/18 \| 專利期間訖: 115/10/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,646,635 \| 專利期間起: 99/01/12 \| 專利期間訖: 117/08/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330844 \| 專利期間起: 1999/9/21 \| 專利期間訖: 116/05/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343574 \| 專利期間起: 100/06/11 \| 專利期間訖: 115/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集

用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

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讀?放大器

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高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法

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磁性記憶體之資料讀取電路

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磁電阻性隨機存取記憶體裝置

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用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法

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遙控器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 69681 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 聯合新式樣 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 鄭博文 \| 馮治華 \| 廖文全 \| 林正偉 \| 王泰元 \| 李炫弘 \| 劉緯興
密鑰管理方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,658,114 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 樊國楨 \| 趙承宗 \| 徐志國 \| 宋振華
資料存取控管系統及方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,748,084 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 高銘智 \| 陳彥學 \| 崔文 \| 楊文新 \| 鄭仁傑
機率導向的容錯式自然語言理解方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00122686.X \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林一中
具噪音補償之可調適語音辨識方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,662,160 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 簡仁宗 \| 吳國光 \| 陳柏誠
低耗電乘法裝置及其運算方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,785,702 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 陳自強 \| 陳國華 \| 馬瑞良
在語音辨識中產生候選字串的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01109283.1 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 簡世杰 \| 張森嘉
在語音辨識中產生候選字串的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,760,702 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 簡世杰 \| 張森嘉
高速二元計數器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I222274 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 盧士仁 \| 黃資廷 \| 林良宇
以電子憑證為基礎來進行工作流程之存取控制系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I221722 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 柳永祥 \| 陳彥學 \| 高銘智
利用使用者分群以改善效能之網頁代理伺服器及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185829 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 崔文 \| 張嘉洋
序列匯流排連結層晶片之測試及驗證系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189592 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 黃揚智 \| 魏川淇 \| 邱志揚
非複製共用式堆疊和暫存器集裝置與使用該裝置之雙重語言處理機架構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 205715 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 馬瑞良 \| 彭世緯
系統組件的動態電壓排序方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I221227 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 李政崑 \| 游逸平 \| 吳琦
亂數產生器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189536 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 孫熒聯

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