磁穿隧元件及磁性記憶裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部
專利名稱-中文磁穿隧元件及磁性記憶裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是98, 專利性質是發明, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是陳威全 ,王泳弘 ,楊姍意 ,沈桂弘 ,, 證書號碼是I307507.
| 序號 | 5816 |
| 產出年度 | 98 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 磁穿隧元件及磁性記憶裝置 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 |
| 專利發明人 | 陳威全 ,王泳弘 ,楊姍意 ,沈桂弘 , |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | I307507 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種磁性隨機存取記憶體，包括：依序堆疊於一第一電極層上之一反鐵磁性層、一固定參考層、一穿隧絕緣層、一複合自由層與一第二電極層，其中該複合自由層包括依序堆疊於該穿隧絕緣層上之一第一磁性層、一非磁性間隔層與一第二磁性層。於一實施例中，於該第二磁性層與該第一磁性層包括不同之磁性材料，使得該第一磁性層與該第二磁性層呈現平行態耦合。於另一實施例中，該第一磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第一磁阻變化率，該第二磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第二磁阻變化率，且第一磁阻變化率係高於第二磁阻變化率。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 鍾佩翰 |
| 電話 | 03-5912777 |
| 傳真 | 03-5917690 |
| 電子信箱 | tephen.chung@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | 20101081-Joanne |
| 特殊情形 | (空) |
| 同步更新日期 | 2023-07-05 |
序號5816 |
產出年度98 |
領域別(空) |
專利名稱-中文磁穿隧元件及磁性記憶裝置 |
執行單位工研院電光所 |
產出單位(空) |
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 |
專利發明人陳威全 ,王泳弘 ,楊姍意 ,沈桂弘 , |
核准國家中華民國 |
獲證日期(空) |
證書號碼I307507 |
專利期間起(空) |
專利期間訖(空) |
專利性質發明 |
技術摘要-中文一種磁性隨機存取記憶體，包括：依序堆疊於一第一電極層上之一反鐵磁性層、一固定參考層、一穿隧絕緣層、一複合自由層與一第二電極層，其中該複合自由層包括依序堆疊於該穿隧絕緣層上之一第一磁性層、一非磁性間隔層與一第二磁性層。於一實施例中，於該第二磁性層與該第一磁性層包括不同之磁性材料，使得該第一磁性層與該第二磁性層呈現平行態耦合。於另一實施例中，該第一磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第一磁阻變化率，該第二磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第二磁阻變化率，且第一磁阻變化率係高於第二磁阻變化率。 |
技術摘要-英文(空) |
聯絡人員鍾佩翰 |
電話03-5912777 |
傳真03-5917690 |
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw |
參考網址(空) |
備註20101081-Joanne |
特殊情形(空) |
同步更新日期2023-07-05 |
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| 序號 | 5817 |
| 產出年度 | 98 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 磁穿隧元件及磁性記憶裝置 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 |
| 專利發明人 | 陳威全 ,王泳弘 ,楊姍意 ,沈桂弘 , |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | 7583529 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種磁性隨機存取記憶體，包括：依序堆疊於一第一電極層上之一反鐵磁性層、一固定參考層、一穿隧絕緣層、一複合自由層與一第二電極層，其中該複合自由層包括依序堆疊於該穿隧絕緣層上之一第一磁性層、一非磁性間隔層與一第二磁性層。於一實施例中，於該第二磁性層與該第一磁性層包括不同之磁性材料，使得該第一磁性層與該第二磁性層呈現平行態耦合。於另一實施例中，該第一磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第一磁阻變化率，該第二磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第二磁阻變化率，且第一磁阻變化率係高於第二磁阻變化率。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 鍾佩翰 |
| 電話 | 03-5912777 |
| 傳真 | 03-5917690 |
| 電子信箱 | tephen.chung@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | 20101082-Joanne |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 5817 |
| 產出年度: 98 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 磁穿隧元件及磁性記憶裝置 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 |
| 專利發明人: 陳威全 ,王泳弘 ,楊姍意 ,沈桂弘 , |
| 核准國家: 美國 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: 7583529 |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種磁性隨機存取記憶體，包括：依序堆疊於一第一電極層上之一反鐵磁性層、一固定參考層、一穿隧絕緣層、一複合自由層與一第二電極層，其中該複合自由層包括依序堆疊於該穿隧絕緣層上之一第一磁性層、一非磁性間隔層與一第二磁性層。於一實施例中，於該第二磁性層與該第一磁性層包括不同之磁性材料，使得該第一磁性層與該第二磁性層呈現平行態耦合。於另一實施例中，該第一磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第一磁阻變化率，該第二磁性層與該穿隧絕緣層間具有一第二磁阻變化率，且第一磁阻變化率係高於第二磁阻變化率。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 鍾佩翰 |
| 電話: 03-5912777 |
| 傳真: 03-5917690 |
| 電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: 20101082-Joanne |
| 特殊情形: (空) |
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| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳威全 王泳弘 楊姍意 沈桂弘 | 證書號碼: I304212 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 沈志達 ,王泳弘 ,顏誠廷 ,沈桂弘 ,陳威全 ,楊姍意 , | 證書號碼: 7,606,063 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 沈志達 ,王泳弘 ,顏誠廷 ,沈桂弘 ,陳威全 ,楊姍意 , | 證書號碼: I330366 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳威全 王泳弘 楊姍意 沈桂弘 | 證書號碼: I304212 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 沈志達 ,王泳弘 ,顏誠廷 ,沈桂弘 ,陳威全 ,楊姍意 , | 證書號碼: 7,606,063 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 沈志達 ,王泳弘 ,顏誠廷 ,沈桂弘 ,陳威全 ,楊姍意 , | 證書號碼: I330366 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
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| 序號 | 12043 |
| 產出年度 | 102 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人 | 謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | 102/04/22 |
| 證書號碼 | 8,397,584 |
| 專利期間起 | 102/03/19 |
| 專利期間訖 | 120/03/06 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 鍾佩翰 |
| 電話 | 03-5912777 |
| 傳真 | 03-5917690 |
| 電子信箱 | tephen.chung@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 12043 |
| 產出年度: 102 |
| 領域別: 電資通光 |
| 專利名稱-中文: 機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: 工研院電光所 |
| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人: 謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏 |
| 核准國家: 美國 |
| 獲證日期: 102/04/22 |
| 證書號碼: 8,397,584 |
| 專利期間起: 102/03/19 |
| 專利期間訖: 120/03/06 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 鍾佩翰 |
| 電話: 03-5912777 |
| 傳真: 03-5917690 |
| 電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
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| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳逸嘉, 許維德, 洪鵬翔 | 證書號碼: 206819 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林育仁, 官振鵬, 簡志佳, 吳韻宜 | 證書號碼: 197230 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 繆紹綱, 顏恆麟, 李宗憲, 林志龍, 官振鵬 | 證書號碼: I221721 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳正哲 | 證書號碼: I220733 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 網際網路應用技術營運計畫 | 專利發明人: 樊國楨, 宋振華, 薛紀建, 張耿豪, 張明信, 謝東明 | 證書號碼: 131670 |
| 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 專利發明人: 楊奉儒、蔡憲坤 | 證書號碼: 6637098 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李明晃、陳珠修、楊奉儒 | 證書號碼: 210230 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳清齊、賴明柱、楊奉儒、陳志恒 | 證書號碼: 207309 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳珠修、楊奉儒、李明晃 | 證書號碼: 211613 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 韋忠光 | 證書號碼: 195728 |
| 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 | 證書號碼: 6713377 |
| 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 | 證書號碼: 6660625 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 高蔡勝, 戴昌銘 | 證書號碼: 183704 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 丁岱良 | 證書號碼: 185243 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 | 證書號碼: 188081 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳逸嘉, 許維德, 洪鵬翔 | 證書號碼: 206819 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林育仁, 官振鵬, 簡志佳, 吳韻宜 | 證書號碼: 197230 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 繆紹綱, 顏恆麟, 李宗憲, 林志龍, 官振鵬 | 證書號碼: I221721 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳正哲 | 證書號碼: I220733 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 網際網路應用技術營運計畫 | 專利發明人: 樊國楨, 宋振華, 薛紀建, 張耿豪, 張明信, 謝東明 | 證書號碼: 131670 |
核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 專利發明人: 楊奉儒、蔡憲坤 | 證書號碼: 6637098 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李明晃、陳珠修、楊奉儒 | 證書號碼: 210230 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳清齊、賴明柱、楊奉儒、陳志恒 | 證書號碼: 207309 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳珠修、楊奉儒、李明晃 | 證書號碼: 211613 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 韋忠光 | 證書號碼: 195728 |
核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 | 證書號碼: 6713377 |
核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 | 證書號碼: 6660625 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 高蔡勝, 戴昌銘 | 證書號碼: 183704 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 丁岱良 | 證書號碼: 185243 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 | 證書號碼: 188081 |
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