記憶體元件及其製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文記憶體元件及其製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是99, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是林哲歆 ,, 證書號碼是I333274.

序號	6794
產出年度	99
領域別	創新前瞻
專利名稱-中文	記憶體元件及其製造方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	林哲歆 ,
核准國家	中華民國
獲證日期	99/12/03
證書號碼	I333274
專利期間起	99/11/11
專利期間訖	116/02/15
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種記憶體元件，包括基底、第一導體層、第一電荷儲存層及第二導體層。第一導體層配置於基底上。第一電荷儲存層配置於第一導體層上。第二導體層，配置於第一電荷儲存層上。其中，第一電荷儲存層包括誘發層、多個釕或二氧化釕奈米晶粒及半導體層。釕或二氧化釕奈米晶粒配置於誘發層上。半導體層覆蓋於釕或是二氧化釕奈米晶粒及誘發層上。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

6794

產出年度

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

記憶體元件及其製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

林哲歆 ,

核准國家

中華民國

獲證日期

99/12/03

證書號碼

I333274

專利期間起

99/11/11

專利期間訖

116/02/15

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種記憶體元件，包括基底、第一導體層、第一電荷儲存層及第二導體層。第一導體層配置於基底上。第一電荷儲存層配置於第一導體層上。第二導體層，配置於第一電荷儲存層上。其中，第一電荷儲存層包括誘發層、多個釕或二氧化釕奈米晶粒及半導體層。釕或二氧化釕奈米晶粒配置於誘發層上。半導體層覆蓋於釕或是二氧化釕奈米晶粒及誘發層上。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

根據識別碼 I333274 找到的相關資料

無其他 I333274 資料。

[ 搜尋所有 I333274 ... ]

根據名稱記憶體元件及其製造方法找到的相關資料

(以下顯示 6 筆) (或要:直接搜尋所有 記憶體元件及其製造方法 ...)

導通微通道記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王慶鈞,林哲歆 \| 證書號碼: 8124954 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
導通微通道記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王慶鈞 ,林哲歆 \| 證書號碼: I401796 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 證書號碼: I338392 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 證書號碼: 7,888,155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
有機記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張家傑 ,裴靜偉 ,羅文妙 , \| 證書號碼: I304213 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
有機記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張家傑,裴靜偉,羅文妙 \| 證書號碼: 8105914 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

導通微通道記憶體元件及其製造方法

非揮發性記憶體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 95 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林哲歆、李隆盛、曾培哲 \| 證書號碼: I267944 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
非揮發性記憶體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾培哲林哲歆李隆盛 \| 證書號碼: I270214 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
含金屬化合物顆粒的介電塊材及其形成方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林哲歆 ,曾培哲 ,Maikap Siddheswar , \| 證書號碼: ZL200610110110.9 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
含金屬化合物顆粒之介電塊材及其形成方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林哲歆 ,曾培哲 ,Maikap Siddheswar , \| 證書號碼: 7,507,653 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
介電層結構及使用此介電層結構的記憶體及電容器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林哲歆 ,曾培哲 , \| 證書號碼: I312194 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
非揮發性記憶體及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林哲歆 ,李隆盛 ,曾培哲 , \| 證書號碼: 7663177 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
含金屬化合物顆粒之介電塊材及其形成方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林哲歆,曾培哲,MaikapSiddheswar, \| 證書號碼: I338914 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
具有矽穿孔之雙重鑲嵌結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 廖書辰 ,顧子琨 ,林哲歆 ,曾培哲 ,何志宏 \| 證書號碼: I441281 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , \| 證書號碼: ZL200810211084.8 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 \| 證書號碼: 8,384,215 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 \| 證書號碼: 8,416,213 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: 8,391,520 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 \| 證書號碼: I402456 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 \| 證書號碼: 8,940,333 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 朱良謙, 張志吉 \| 證書號碼: ZL00108097.0
可調整的鏡群裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 涂銀發, 姜皇成, 陳志文, 張耿智 \| 證書號碼: 195758
雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林明慧, 劉通發 \| 證書號碼: 201010
環場影像接圖器及其方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 謝君偉, 江政欽, 魏德樂 \| 證書號碼: 6,798,923
取紙傳動模組	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林智堅, 陳英棋, 鄭兆凱, 張惠珍 \| 證書號碼: 215325
噴墨印頭的封裝方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟 \| 證書號碼: ZL98106298.9
噴墨印頭結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 \| 證書號碼: ZL98116196.0
墨水通道設計	核准國家: 德國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 \| 證書號碼: 19914700
墨水通道製造方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 王介文, 吳義勇, 胡鴻烈, 李明玲 \| 證書號碼: ZL98115179.5
噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 胡紀平, 吳義勇, 藍元亮, 賴怡絢, 王惠芳 \| 證書號碼: ZL98118397.2
噴墨印頭的結構與製作方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 李憶興, 吳義勇, 鄭陳煜, 邱紹玲, 徐享楨 \| 證書號碼: ZL98124126.3
一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超 \| 證書號碼: ZL00100896.X
可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 \| 證書號碼: ZL00100897.8
精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 \| 證書號碼: 189849
噴墨頭墨水壓力控制裝置	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文 \| 證書號碼: ZL00100898.6

記憶體元件及其製造方法 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

同步更新日期

與記憶體元件及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

記憶體元件及其製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部