磁自旋翻轉記憶胞結構
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文磁自旋翻轉記憶胞結構的核准國家是中華民國, 證書號碼是I346335, 專利期間起是100/08/01, 專利期間訖是118/04/14, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是100, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陳威全,顏誠廷,王丁勇.

序號	8046
產出年度	100
領域別	創新前瞻
專利名稱-中文	磁自旋翻轉記憶胞結構
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院院本部
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	陳威全 \| 顏誠廷 \| 王丁勇
核准國家	中華民國
獲證日期	100/08/13
證書號碼	I346335
專利期間起	100/08/01
專利期間訖	118/04/14
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種磁自旋翻轉記憶胞結構，包括固定層、穿隧能障層及自由層結構。穿隧能障層設置於固定層上。自由層結構包括複合自由層。複合自由層包括第一自由層、插入層及第二自由層。第一自由層設置於穿隧能障層上，且具有第一自旋極化係數及第一飽和磁化量。插入層設置於第一自由層上。第二自由層設置於插入層上，且具有第二自旋極化係數及第二飽和磁化量。其中，第一自旋極化係數大於第二自旋極化係數，而第二飽和磁化量小於第一飽和磁化量，且第一自由層的磁化向量與第二自由層的磁化向量呈平行態耦合排列。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

8046

產出年度

100

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

磁自旋翻轉記憶胞結構

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院院本部

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

陳威全 | 顏誠廷 | 王丁勇

核准國家

中華民國

獲證日期

100/08/13

證書號碼

I346335

專利期間起

100/08/01

專利期間訖

118/04/14

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種磁自旋翻轉記憶胞結構，包括固定層、穿隧能障層及自由層結構。穿隧能障層設置於固定層上。自由層結構包括複合自由層。複合自由層包括第一自由層、插入層及第二自由層。第一自由層設置於穿隧能障層上，且具有第一自旋極化係數及第一飽和磁化量。插入層設置於第一自由層上。第二自由層設置於插入層上，且具有第二自旋極化係數及第二飽和磁化量。其中，第一自旋極化係數大於第二自旋極化係數，而第二飽和磁化量小於第一飽和磁化量，且第一自由層的磁化向量與第二自由層的磁化向量呈平行態耦合排列。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

根據識別碼 I346335 找到的相關資料

無其他 I346335 資料。

[ 搜尋所有 I346335 ... ]

根據名稱磁自旋翻轉記憶胞結構找到的相關資料

(以下顯示 3 筆) (或要:直接搜尋所有 磁自旋翻轉記憶胞結構 ...)

磁自旋翻轉記憶胞結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7829964 \| 專利期間起: 1999/11/9 \| 專利期間訖: 118/03/27 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳威全 \| 顏誠廷 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集
磁自旋翻轉記憶胞結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,026,562 \| 專利期間起: 100/09/27 \| 專利期間訖: 118/03/04 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳威全 \| 顏誠廷 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集
磁自旋翻轉記憶胞結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8026562 \| 專利期間起: 100/09/27 \| 專利期間訖: 118/03/04 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳威全 \| 顏誠廷 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集

根據姓名陳威全顏誠廷王丁勇找到的相關資料

無其他陳威全顏誠廷王丁勇資料。

[ 搜尋所有 陳威全顏誠廷王丁勇 ... ]

根據電話 03-5917812 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5917812 ...)

揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200810211084.8 \| 專利期間起: 102/01/23 \| 專利期間訖: 117/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 \| 劉昌和 @ 技術司專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,384,215 \| 專利期間起: 102/02/26 \| 專利期間訖: 120/06/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 \| 莊敬業 \| 林育民 @ 技術司專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,416,213 \| 專利期間起: 102/04/09 \| 專利期間訖: 120/03/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 \| 葉紹興 @ 技術司專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 \| 專利期間起: 102/03/20 \| 專利期間訖: 116/10/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 \| 專利期間起: 102/04/03 \| 專利期間訖: 118/05/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,391,520 \| 專利期間起: 102/03/05 \| 專利期間訖: 120/12/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I402456 \| 專利期間起: 102/07/21 \| 專利期間訖: 119/03/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 \| 許詔開 @ 技術司專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,940,333 \| 專利期間起: 104/01/27 \| 專利期間訖: 116/05/11 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發 \| 張學曾 \| 陳進富 \| 張原嘉 \| 甘霈 \| 林才祐 @ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

@ 技術司專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

@ 技術司專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

@ 技術司專利資料集

照明裝置

@ 技術司專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 03-5917812 ... ]

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與磁自旋翻轉記憶胞結構同分類的技術司專利資料集

室溫紫外光增益之氮化物材料的氧化方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 204003 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 何晉國 \| 黃兆年 \| 彭隆翰 \| 徐易千 \| 陳金源
以低電壓製作塊狀鐵電性材料區域反轉之方式	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 186269 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 彭隆瀚 \| 林宜慶 \| 房宜澂
光加取多工器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,661,944 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林士強 \| 周維仁 \| 江行健 \| 吳俊雄
具有三端口的光學循環器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01109959.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 胡杰 \| 黃承彬 \| 廖浚男
表面層以複合材料CaF2和TiO2所構成且具撥水功能之光學鍍膜元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I223009 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡榮源 \| 林浪津 \| 崋沐怡
分佈回饋式(DFB)半導體雷射及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 194417 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 余昱辰 \| 郭宗南 \| 潘彥廷
光盤承載裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00129763.5 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 黃偉煜
動態減震系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206772 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 楊志軒 \| 謝政揚 \| 黃振源 \| 張啟伸
聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00108097.0 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 朱良謙 \| 張志吉
可調整的鏡群裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195758 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 涂銀發 \| 姜皇成 \| 陳志文 \| 張耿智
雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 201010 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林明慧 \| 劉通發
環場影像接圖器及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,798,923 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 謝君偉 \| 江政欽 \| 魏德樂
取紙傳動模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 215325 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林智堅 \| 陳英棋 \| 鄭兆凱 \| 張惠珍
噴墨印頭的封裝方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98106298.9 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 藍元亮 \| 吳義勇 \| 邱紹玲 \| 劉克明 \| 鄭淑娟
噴墨印頭結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98116196.0 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳義勇 \| 胡紀平 \| 賴怡絢 \| 莊育洪 \| 王介文

磁自旋翻轉記憶胞結構 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與磁自旋翻轉記憶胞結構同分類的技術司專利資料集

磁自旋翻轉記憶胞結構
- 技術司專利資料集 @ 經濟部