運用自偏壓電流觸發技術以及源極端升壓機制的靜電放電保護電路
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文運用自偏壓電流觸發技術以及源極端升壓機制的靜電放電保護電路的核准國家是美國, 證書號碼是7,848,068, 專利期間起是99/12/07, 專利期間訖是118/08/19, 專利性質是發明, 執行單位是工研院資通所, 產出年度是100, 計畫名稱是資訊與通訊領域環境建構計畫, 專利發明人是陳世宏,柯明道.

序號	8511
產出年度	100
領域別	電資通光
專利名稱-中文	運用自偏壓電流觸發技術以及源極端升壓機制的靜電放電保護電路
執行單位	工研院資通所
產出單位	工研院資通所
計畫名稱	資訊與通訊領域環境建構計畫
專利發明人	陳世宏 \| 柯明道
核准國家	美國
獲證日期	100/08/30
證書號碼	7,848,068
專利期間起	99/12/07
專利期間訖	118/08/19
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明揭示一種可提供靜電放電(ESD)保護的電路，包含一第一電晶體，包含一第一閘極與一第一源極，該第一閘極連接至一導電墊片；一阻抗裝置，係位於該第一源極與可提供一電阻器的一第一電源線之間；一第二電晶體，包含一第二閘極與一第二源極，該第二源極透過該阻抗裝置連接至該第一電源線；以及一箝制裝置，係位於該第一電源線與一第二電源線之間，其中當該導電墊片相對接地時，該箝制裝置可導引一靜電放電電流的一第一部分，且該第二電晶體可導引該靜電放電電流的一第二部分。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

8511

產出年度

100

領域別

電資通光

專利名稱-中文

運用自偏壓電流觸發技術以及源極端升壓機制的靜電放電保護電路

執行單位

工研院資通所

產出單位

工研院資通所

計畫名稱

資訊與通訊領域環境建構計畫

專利發明人

陳世宏 | 柯明道

核准國家

美國

獲證日期

100/08/30

證書號碼

7,848,068

專利期間起

99/12/07

專利期間訖

118/08/19

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明揭示一種可提供靜電放電(ESD)保護的電路，包含一第一電晶體，包含一第一閘極與一第一源極，該第一閘極連接至一導電墊片；一阻抗裝置，係位於該第一源極與可提供一電阻器的一第一電源線之間；一第二電晶體，包含一第二閘極與一第二源極，該第二源極透過該阻抗裝置連接至該第一電源線；以及一箝制裝置，係位於該第一電源線與一第二電源線之間，其中當該導電墊片相對接地時，該箝制裝置可導引一靜電放電電流的一第一部分，且該第二電晶體可導引該靜電放電電流的一第二部分。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

(空)

特殊情形

(空)

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全微骨板骨釘系統:4.5MM皮質骨釘MICROWARE BONE PLATES AND BONE SCREWS: CORTEX SCREW 4.5MM

@ 健保特材收載品項

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運用自偏壓電流觸發技術以及源極端升壓機制的靜電放電保護電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343118 \| 專利期間起: 100/06/01 \| 專利期間訖: 116/09/05 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏,柯明道 @ 技術司專利資料集
運用自偏壓電流觸發技術以及源極端升壓機制的靜電放電保護電路/ESD	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710149221.5 \| 專利期間起: 101/10/17 \| 專利期間訖: 116/09/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 \| 專利發明人: 陳世宏 ,柯明道 , @ 技術司專利資料集
運用自偏壓電流觸發技術以及源極端升壓機制的靜電放電保護電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7848068 \| 專利期間起: 1999/12/7 \| 專利期間訖: 118/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏,柯明道 @ 技術司專利資料集

運用自偏壓電流觸發技術以及源極端升壓機制的靜電放電保護電路

用於晶片靜電放電防護之高速觸發矽控整流元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I319230 \| 專利期間起: 1999/1/1 \| 專利期間訖: 115/04/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 柯明道, 陳世宏, 林昆賢 @ 技術司專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,692,907 \| 專利期間起: 99/04/06 \| 專利期間訖: 117/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏, 柯明道 @ 技術司專利資料集
用於晶片靜電放電防護之高速觸發矽控整流元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,825,473 \| 專利期間起: 99/11/02 \| 專利期間訖: 116/08/09 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 柯明道,陳世宏,林昆賢 @ 技術司專利資料集
用於晶片靜電放電防護之高速觸發矽控整流元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8102001 \| 專利期間起: 101/01/24 \| 專利期間訖: 114/07/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 \| 專利發明人: 柯明道,陳世宏,林昆賢 @ 技術司專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I357193 \| 專利期間起: 101/01/21 \| 專利期間訖: 116/07/12 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 \| 專利發明人: 陳世宏,柯明道, @ 技術司專利資料集
用於晶片靜電放電防護之高速觸發矽控整流元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8842400 \| 專利期間起: 103/09/23 \| 專利期間訖: 114/07/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 \| 專利發明人: 柯明道 ,陳世宏 ,林昆賢 @ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,904,736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,916,129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 @ 技術司專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7904736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7916129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 @ 技術司專利資料集
壓電驅動光學鏡頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,511,904 \| 專利期間起: 98/03/31 \| 專利期間訖: 116/05/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 胡朝彰, 蘇漢威, 沈聖智 @ 技術司專利資料集
氫甲醯化製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,683,219 \| 專利期間起: 99/03/23 \| 專利期間訖: 118/03/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 薛茂霖, 楊浩熏, 時國誠, 蘇再添 @ 技術司專利資料集
停車管理系統及裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710159782.3 \| 專利期間起: 100/03/16 \| 專利期間訖: 116/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 郭倫嘉,吳忠郼,沈仲九,黃士一 @ 技術司專利資料集

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200395 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6642595 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188234 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6663214 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝
積體化流體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189552 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁
電磁驅動光開關及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191670 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 盧慧娟, 李新立, 張文陽, 李政鴻
應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206522 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 歐政隆, 李宗昇
可撓性之光電傳輸匯流排	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206592 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈里正, 陳有志, 張恕銘, 柯志祥
N型奈米碳管元件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220269 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王宏祥, 魏拯華, 高明哲
形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190648 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑
光波導製程之階梯覆蓋率的測試結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191701 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡柏豪, 邱景宏, 顏凱翔, 劉文俊, 李裕文
埋藏式電容結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192752 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇
埋藏式電容結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6813138 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇
超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223446 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為
具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206598 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜

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