N型奈米碳管元件之製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文N型奈米碳管元件之製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是王宏祥, 魏拯華, 高明哲, 證書號碼是220269.

序號835
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文N型奈米碳管元件之製造方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人王宏祥, 魏拯華, 高明哲
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼220269
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明N型奈米碳管元件之製造方法，係以高溫退火、電漿化學氣相沉積（PECVD）單一步驟的方式於一奈米碳管元件上成長一閘極層，此閘極層為一非氧化物材料層，此製程整合方式可有效將原本呈現P型半導體（P-Type）特性的奈米碳管轉換成N型半導體（N-Type）的性質，並可於室溫與常壓下獲得N型半導體元件的特性，將此製程整合於傳統半導體閘極氧化層製作流程中，可獲得可靠之元件特性並減少現有製程之不相容性。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真(空)
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

835

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

N型奈米碳管元件之製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

王宏祥, 魏拯華, 高明哲

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

220269

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明N型奈米碳管元件之製造方法，係以高溫退火、電漿化學氣相沉積（PECVD）單一步驟的方式於一奈米碳管元件上成長一閘極層，此閘極層為一非氧化物材料層，此製程整合方式可有效將原本呈現P型半導體（P-Type）特性的奈米碳管轉換成N型半導體（N-Type）的性質，並可於室溫與常壓下獲得N型半導體元件的特性，將此製程整合於傳統半導體閘極氧化層製作流程中，可獲得可靠之元件特性並減少現有製程之不相容性。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

hchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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蔡承叡

電話: 0975859622 | 驗證狀態: 通過 | 產品品項: 咖啡、其他 | 證書效期: 2026/12/05 | 臺中市北區賴福里太原路二段96號2樓之1

@ 臺灣有機農業資訊

蔡承叡

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# N型奈米碳管元件之製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號1155
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文N型奈米碳管元件之製作方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人王宏祥、魏拯華、高明哲
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6723624
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明N型奈米碳管元件之製造方法，係以高溫退火、電漿化學氣相沉積（PECVD）單一步驟的方式於一奈米碳管元件上成長一閘極層，此閘極層為一非氧化物材料層，此製程整合方式可有效將原本呈現P型半導體（P-Type）特性的奈米碳管轉換成N型半導體（N-Type）的性質，並可於室溫與常壓下獲得N型半導體元件的特性，將此製程整合於傳統半導體閘極氧化層製作流程中，可獲得可靠之元件特性並減少現有製程之不相容性。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1155
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: N型奈米碳管元件之製作方法
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人: 王宏祥、魏拯華、高明哲
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6723624
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明N型奈米碳管元件之製造方法，係以高溫退火、電漿化學氣相沉積（PECVD）單一步驟的方式於一奈米碳管元件上成長一閘極層，此閘極層為一非氧化物材料層，此製程整合方式可有效將原本呈現P型半導體（P-Type）特性的奈米碳管轉換成N型半導體（N-Type）的性質，並可於室溫與常壓下獲得N型半導體元件的特性，將此製程整合於傳統半導體閘極氧化層製作流程中，可獲得可靠之元件特性並減少現有製程之不相容性。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# N型奈米碳管元件之製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號3059
產出年度95
領域別(空)
專利名稱-中文N型奈米碳管元件之製作方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人王宏祥、魏拯華、高明哲
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明N型奈米碳管元件之製造方法，係以高溫退火、電漿化學氣相沉積（PECVD）單一步驟的方式於一奈米碳管元件上成長一閘極層，此閘極層為一非氧化物材料層，此製程整合方式可有效將原本呈現P型半導體（P-Type）特性的奈米碳管轉換成N型半導體（N-Type）的性質，並可於室溫與常壓下獲得N型半導體元件的特性，將此製程整合於傳統半導體閘極氧化層製作流程中，可獲得可靠之元件特性並減少現有製程之不相容性。_x000D_ A method for fabricating an n-type carbon nanotube device, characterized in that thermal annealing and plasma-enhanced chemical vapor-phased deposition (PECVD) are employed to form a non-oxide gate layer on a carbon nanotube device. Moreover, the inherently p-type carbon nanotube can be used to fabricate an n-type carbon nanotube device with reliable device characteristics and high manufacturing compatibility.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 3059
產出年度: 95
領域別: (空)
專利名稱-中文: N型奈米碳管元件之製作方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 王宏祥、魏拯華、高明哲
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: (空)
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明N型奈米碳管元件之製造方法，係以高溫退火、電漿化學氣相沉積（PECVD）單一步驟的方式於一奈米碳管元件上成長一閘極層，此閘極層為一非氧化物材料層，此製程整合方式可有效將原本呈現P型半導體（P-Type）特性的奈米碳管轉換成N型半導體（N-Type）的性質，並可於室溫與常壓下獲得N型半導體元件的特性，將此製程整合於傳統半導體閘極氧化層製作流程中，可獲得可靠之元件特性並減少現有製程之不相容性。_x000D_ A method for fabricating an n-type carbon nanotube device, characterized in that thermal annealing and plasma-enhanced chemical vapor-phased deposition (PECVD) are employed to form a non-oxide gate layer on a carbon nanotube device. Moreover, the inherently p-type carbon nanotube can be used to fabricate an n-type carbon nanotube device with reliable device characteristics and high manufacturing compatibility.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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根據姓名 王宏祥 魏拯華 高明哲 找到的相關資料

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形成奈米尺寸之催化劑金屬線之方法與大面積定位成長奈米碳管或矽奈米線之方法與架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴明駿、魏拯華、王宏祥、駱伯遠、高明哲 | 證書號碼: I244159

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

生物檢測器之奈米元件電晶體架構與製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 賴明駿、王宏祥、魏拯華、陳信輝、高明哲 | 證書號碼: I253502

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

形成奈米尺寸之催化劑金屬線之方法與大面積定位成長奈米碳管或矽奈米線之方法與架構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴明駿 ,魏拯華 ,王宏祥 ,駱伯遠 ,高明哲 , | 證書號碼: 7535081

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管閘極之電晶體結構與製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏拯華, 陳信輝, 賴明駿, 王宏祥, 高明哲 | 證書號碼: 222742

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管電晶體之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 駱伯遠、江日舜、魏拯華、黃建良、王宏祥、賴明駿、高明哲 | 證書號碼: I239071

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

生物檢測器之奈米元件電晶體架構與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 賴明駿 王宏祥 魏拯華 陳信輝 高明哲 | 證書號碼:

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

形成奈米尺寸之催化劑金屬線之方法與大面積定位成長奈米碳管或矽奈米線之方法與架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴明駿、魏拯華、王宏祥、駱伯遠、高明哲 | 證書號碼: I244159

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

生物檢測器之奈米元件電晶體架構與製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 賴明駿、王宏祥、魏拯華、陳信輝、高明哲 | 證書號碼: I253502

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

形成奈米尺寸之催化劑金屬線之方法與大面積定位成長奈米碳管或矽奈米線之方法與架構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴明駿 ,魏拯華 ,王宏祥 ,駱伯遠 ,高明哲 , | 證書號碼: 7535081

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管閘極之電晶體結構與製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏拯華, 陳信輝, 賴明駿, 王宏祥, 高明哲 | 證書號碼: 222742

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管電晶體之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 駱伯遠、江日舜、魏拯華、黃建良、王宏祥、賴明駿、高明哲 | 證書號碼: I239071

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

生物檢測器之奈米元件電晶體架構與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 賴明駿 王宏祥 魏拯華 陳信輝 高明哲 | 證書號碼:

@ 經濟部產業技術司–專利資料集
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根據電話 03-5913917 找到的相關資料

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# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號8331
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人FREDERICKT.CHEN
核准國家中華民國
獲證日期100/03/07
證書號碼I338392
專利期間起100/03/01
專利期間訖118/04/23
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8331
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人: FREDERICKT.CHEN
核准國家: 中華民國
獲證日期: 100/03/07
證書號碼: I338392
專利期間起: 100/03/01
專利期間訖: 118/04/23
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號8332
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人FREDERICKT.CHEN
核准國家美國
獲證日期100/03/10
證書號碼7,888,155
專利期間起100/02/15
專利期間訖118/07/31
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8332
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人: FREDERICKT.CHEN
核准國家: 美國
獲證日期: 100/03/10
證書號碼: 7,888,155
專利期間起: 100/02/15
專利期間訖: 118/07/31
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號675
產出年度93
技術名稱-中文MRAM 元件製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心，所呈現獨特的磁阻特性，具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。
潛力預估MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343
所須軟硬體設備具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。
序號: 675
產出年度: 93
技術名稱-中文: MRAM 元件製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心，所呈現獨特的磁阻特性，具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。
潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343
所須軟硬體設備: 具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號676
產出年度93
技術名稱-中文用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本計劃利用SiGe異質接面的材料特性，來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor)，進一步應用在光偵測器(optical detector)上，以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低，可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢，致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計，可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體，其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構
技術現況敘述-英文(空)
技術規格電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT)：> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) ：> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO)：> 3.5 Volt.
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC)：應用於無線通訊系統與高速區域網路系統，提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器，光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
潛力預估以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345
所須軟硬體設備具矽元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。
序號: 676
產出年度: 93
技術名稱-中文: 用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本計劃利用SiGe異質接面的材料特性，來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor)，進一步應用在光偵測器(optical detector)上，以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低，可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢，致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計，可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體，其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT)：> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) ：> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO)：> 3.5 Volt.
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC)：應用於無線通訊系統與高速區域網路系統，提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器，光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
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所須軟硬體設備: 具矽元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號677
產出年度93
技術名稱-中文相變化薄膜製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心，本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441
所須軟硬體設備具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力
序號: 677
產出年度: 93
技術名稱-中文: 相變化薄膜製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心，本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
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所須軟硬體設備: 具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號678
產出年度93
技術名稱-中文高介電值閘極介電物技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要
技術現況敘述-英文(空)
技術規格高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級
技術成熟度雛型
可應用範圍矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi
潛力預估本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833
所須軟硬體設備具記憶體或foundry能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 678
產出年度: 93
技術名稱-中文: 高介電值閘極介電物技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi
潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833
所須軟硬體設備: 具記憶體或foundry能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號679
產出年度93
技術名稱-中文相變化記憶體元件與製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質，是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術，除了開發記憶胞的關鍵製程模組外，更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。
技術成熟度雛型
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大
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所須軟硬體設備具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力
序號: 679
產出年度: 93
技術名稱-中文: 相變化記憶體元件與製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質，是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術，除了開發記憶胞的關鍵製程模組外，更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: 具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號680
產出年度93
技術名稱-中文應變矽CMOS元件與製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題，具有提昇性能的特性，主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術，以建立起CMOS製程與元件技術平台，提昇載子移動率和元件效能，使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
技術成熟度雛型
可應用範圍高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
潛力預估本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839
所須軟硬體設備具CMOS元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 680
產出年度: 93
技術名稱-中文: 應變矽CMOS元件與製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題，具有提昇性能的特性，主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術，以建立起CMOS製程與元件技術平台，提昇載子移動率和元件效能，使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839
所須軟硬體設備: 具CMOS元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
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與N型奈米碳管元件之製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

磁浮軸承

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王建昌, 王世杰, 徐弘光, 張裕修 | 證書號碼: 6,703,736

組合式流體動壓軸承及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 施文章, 黃晉興, 張裕修, 徐弘光 | 證書號碼: I223691

組合式流體動壓軸承及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 施文章, 黃晉興, 張裕修, 徐弘光 | 證書號碼: 6,769,808

蝶型光訊號收發模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 朱慕道, 吳文進, 張淵仁, 陳穎志, 李俊興, 陳智禮 | 證書號碼: 215129

光訊號交錯分波器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃承彬, 胡杰, 許立根 | 證書號碼: 186383

光訊號交錯分波器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃承彬, 胡杰, 許立根 | 證書號碼: 6,643,064

與極化無關的可調式聲光濾波器及其方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林耕華, 黃承彬, 周維仁, 楊淑媚, 胡杰 | 證書號碼: ZL01100585.8

虛擬空間劃分區域的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 專利發明人: 張傑智, 林明芬, 連健淋 | 證書號碼: 6,693,632

運用模糊推論的電腦繪圖模型簡化方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 專利發明人: 張勤振, 楊舒凱, 段鼎洲, 林明芬 | 證書號碼: 6,751,599

檢測信號抖動的系統及其校正方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王金印, 王吉祥, 黃兆銘, 盧樹台 | 證書號碼: 190527

多波長之光學讀寫頭

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 施錫富, 盧威志 | 證書號碼: 191310

多層薄盤壓電致動式超音波馬達

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 藍永松, 黃晉興, 張吉龍, 歐陽敏盛, 黃友謙, 游祥杰, 黃振源, 鄭尊仁, 朱朝居 | 證書號碼: 204230

多層薄盤壓電致動式超音波馬達

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 藍永松, 黃晉興, 張吉龍, 歐陽敏盛, 黃友謙, 游祥杰, 黃振源, 鄭尊仁, 朱朝居 | 證書號碼: 6,717,331

近場光學頭物鏡

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李源欽, 朱朝居, 鄭尊仁, 廖文毅, 張吉龍, 朱志雄, 邱國基, 吳至原 | 證書號碼: 202513

多層膜碟片膜層分離裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張朝信, 郭利德, 馬榮昌, 張裕修 | 證書號碼: 187272

磁浮軸承

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王建昌, 王世杰, 徐弘光, 張裕修 | 證書號碼: 6,703,736

組合式流體動壓軸承及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 施文章, 黃晉興, 張裕修, 徐弘光 | 證書號碼: I223691

組合式流體動壓軸承及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 施文章, 黃晉興, 張裕修, 徐弘光 | 證書號碼: 6,769,808

蝶型光訊號收發模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 朱慕道, 吳文進, 張淵仁, 陳穎志, 李俊興, 陳智禮 | 證書號碼: 215129

光訊號交錯分波器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃承彬, 胡杰, 許立根 | 證書號碼: 186383

光訊號交錯分波器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃承彬, 胡杰, 許立根 | 證書號碼: 6,643,064

與極化無關的可調式聲光濾波器及其方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林耕華, 黃承彬, 周維仁, 楊淑媚, 胡杰 | 證書號碼: ZL01100585.8

虛擬空間劃分區域的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 專利發明人: 張傑智, 林明芬, 連健淋 | 證書號碼: 6,693,632

運用模糊推論的電腦繪圖模型簡化方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 專利發明人: 張勤振, 楊舒凱, 段鼎洲, 林明芬 | 證書號碼: 6,751,599

檢測信號抖動的系統及其校正方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王金印, 王吉祥, 黃兆銘, 盧樹台 | 證書號碼: 190527

多波長之光學讀寫頭

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 施錫富, 盧威志 | 證書號碼: 191310

多層薄盤壓電致動式超音波馬達

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 藍永松, 黃晉興, 張吉龍, 歐陽敏盛, 黃友謙, 游祥杰, 黃振源, 鄭尊仁, 朱朝居 | 證書號碼: 204230

多層薄盤壓電致動式超音波馬達

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 藍永松, 黃晉興, 張吉龍, 歐陽敏盛, 黃友謙, 游祥杰, 黃振源, 鄭尊仁, 朱朝居 | 證書號碼: 6,717,331

近場光學頭物鏡

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李源欽, 朱朝居, 鄭尊仁, 廖文毅, 張吉龍, 朱志雄, 邱國基, 吳至原 | 證書號碼: 202513

多層膜碟片膜層分離裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張朝信, 郭利德, 馬榮昌, 張裕修 | 證書號碼: 187272

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