梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I341849, 專利期間起是100/05/11, 專利期間訖是116/02/09, 專利性質是發明, 執行單位是中科院化學所, 產出年度是101, 計畫名稱是高值化學品技術開發與應用四年計畫, 專利發明人是楊正乾,馬振基,古旺彩,彭運鑫.

序號	9256
產出年度	101
領域別	材料化工
專利名稱-中文	梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法
執行單位	中科院化學所
產出單位	中科院四所
計畫名稱	高值化學品技術開發與應用四年計畫
專利發明人	楊正乾 \| 馬振基 \| 古旺彩 \| 彭運鑫
核准國家	中華民國
獲證日期	100/05/17
證書號碼	I341849
專利期間起	100/05/11
專利期間訖	116/02/09
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係為一種梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法，其係揭示梯狀聚倍半矽氧烷與改質之環氧樹脂進行反應，顯示焦碳殘餘量(charyield)以及厭氧指數(LimitingOxygenIndex)提升之外，其熱裂解速率並有大幅減緩之趨勢，展現出優異之難燃性及熱安定性，所得到之奈米複合材料不因聚倍半矽氧烷之含量增加而減少透光性，增加其應用上(裝潢塗料、保護性塗料等)之優異性。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	楊正乾
電話	03-4712201#358063
傳真	(03)4713119
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

9256

產出年度

101

領域別

材料化工

專利名稱-中文

梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法

執行單位

中科院化學所

產出單位

中科院四所

計畫名稱

高值化學品技術開發與應用四年計畫

專利發明人

楊正乾 | 馬振基 | 古旺彩 | 彭運鑫

核准國家

中華民國

獲證日期

100/05/17

證書號碼

I341849

專利期間起

100/05/11

專利期間訖

116/02/09

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係為一種梯狀含磷聚倍半矽氧烷有機/無機奈米複合材料之製造方法，其係揭示梯狀聚倍半矽氧烷與改質之環氧樹脂進行反應，顯示焦碳殘餘量(charyield)以及厭氧指數(LimitingOxygenIndex)提升之外，其熱裂解速率並有大幅減緩之趨勢，展現出優異之難燃性及熱安定性，所得到之奈米複合材料不因聚倍半矽氧烷之含量增加而減少透光性，增加其應用上(裝潢塗料、保護性塗料等)之優異性。

技術摘要-英文

(空)

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楊正乾

電話

03-4712201#358063

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(03)4713119

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側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂及其製備方法及含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I388585 \| 專利期間起: 117/08/20 \| 專利期間訖: 本發明關於一種側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂及其製備方法及含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法，側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂包括籠狀聚倍半矽氧烷基團連接於環氧樹脂(DGEBA)之側邊。側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾 \| 馬振基 @ 技術司專利資料集
Germs resisting and self cleaning infiltration thin film and manufacturing method thereof	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US8415408B2 \| 專利期間起: 119/03/24 \| 專利期間訖: The invention provides a germs resisting and self-cleaning.infiltration thin film and manufacturing ... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾 \| 吳國輝 \| 古旺彩 @ 技術司專利資料集
碳三撥水劑之水性接著劑測試	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 黏度： 10000~60000 cps、固含量：20~50% \| 潛力預估: 織物輕量化、功能性化、防水透濕、保暖，氟素高分子材料的應用價值越來越重要，將來市場會越來越大。 @ 技術司可移轉技術資料集
建立矽橡膠研發能量	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: "矽橡膠 30-~3500cps，矽橡膠：SiO2：TiO2 100：20：20，Si(OEt)4 1~10％，Sn催化劑 0.5％。" \| 潛力預估: 電子相關商品均需使用，產品應用市場相當廣 @ 技術司可移轉技術資料集
矽酮高分子分析研判	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: "官能基、分子量、成分組成分析" \| 潛力預估: 矽酮高分子原料IR、NMR、GPC鑑定技術對研發、品管均為必要需求，可自行使用，開放技服商機無限。 @ 技術司可移轉技術資料集
Epoxy/modifiedsilicondioxidecorrosionresistantnanocompositematerialandpreparationmethodthereof	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US7884176B2 \| 專利期間起: 1996/10/5 \| 專利期間訖: 116/10/05 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾 \| 葉瑞銘 @ 技術司專利資料集
Epoxycompositematerialcontainingpolyaniline/carbonblackandpreparationmethodthereof	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US7834068B2 \| 專利期間起: 1996/10/30 \| 專利期間訖: 116/10/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾 \| 吳國輝 @ 技術司專利資料集
Carbonnanotubecompoundandmethodforproducingthesame	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US7923527B1 \| 專利期間起: 1998/10/14 \| 專利期間訖: 118/10/14 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾 \| 葉瑞銘 @ 技術司專利資料集

側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂及其製備方法及含側鏈籠狀矽氧烷之環氧樹脂材料之製備方法

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Germs resisting and self cleaning infiltration thin film and manufacturing method thereof

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Epoxy/modifiedsilicondioxidecorrosionresistantnanocompositematerialandpreparationmethodthereof

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Epoxycompositematerialcontainingpolyaniline/carbonblackandpreparationmethodthereof

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測試蝕刻速率的結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197248 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 王欽宏 \| 梁兆鈞 \| 陳玉華
微通道流體導引元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188284 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
微通道流體導引元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6725882 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
薄膜電晶體的結構、其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198288 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林炯暐 \| 葉永輝
移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220255 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 王博文 \| 林展瑞
電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192543 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 陳昌昇 \| 吳俊昆 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 賴穎俊
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202861 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維 \| 李永忠 \| 潘宗銘 \| 卓言
有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200178 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 周維揚 \| 鄭弘隆 \| 賴志明 \| 廖奇璋
直下式背光模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200905 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹景翔 \| 蕭名君 \| 劉康弘 \| 林偉義
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198431 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6757189 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189045 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 江欣峻 \| 何璨佑 \| 許家榮
多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189620 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 莊世瑋 \| 鍾震桂 \| 陳仲竹
低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196530 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂 \| 莊世瑋 \| 陳仲竹
具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206597 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑 \| 莊景桑 \| 陳志強

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