堆疊式磁性移位暫存記憶體
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文堆疊式磁性移位暫存記憶體的核准國家是美國, 證書號碼是8279653, 專利期間起是101/10/02, 專利期間訖是119/09/27, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是101, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是蔡慶祥,洪建中.

序號	9493
產出年度	101
領域別	創新前瞻
專利名稱-中文	堆疊式磁性移位暫存記憶體
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院院本部
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	蔡慶祥 \| 洪建中
核准國家	美國
獲證日期	101/11/02
證書號碼	8279653
專利期間起	101/10/02
專利期間訖	119/09/27
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種堆疊式磁性移位暫存記憶體包含多層磁性移位暫存記憶層，構成一堆疊結構單元。每一個磁性移位暫存記憶層有多個磁區，每一個磁區有一磁化方向對應一儲存資料。相鄰二個磁性移位暫存記憶層分別有一上磁區與一下磁區構成一耦合區，藉由一耦合結構使下磁區與上磁區具有相同的儲存資料。一電流驅動單元耦接於該些磁性移位暫存記憶層，分別給予有預定方向的一驅動電流，使磁性移位暫存記憶層的磁區所儲存的資料，以一移位方向由磁性移位暫存記憶層的一最前記憶層藉由該耦合結構依序流向一最末記憶層。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

9493

產出年度

101

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

堆疊式磁性移位暫存記憶體

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院院本部

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

蔡慶祥 | 洪建中

核准國家

美國

獲證日期

101/11/02

證書號碼

8279653

專利期間起

101/10/02

專利期間訖

119/09/27

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種堆疊式磁性移位暫存記憶體包含多層磁性移位暫存記憶層，構成一堆疊結構單元。每一個磁性移位暫存記憶層有多個磁區，每一個磁區有一磁化方向對應一儲存資料。相鄰二個磁性移位暫存記憶層分別有一上磁區與一下磁區構成一耦合區，藉由一耦合結構使下磁區與上磁區具有相同的儲存資料。一電流驅動單元耦接於該些磁性移位暫存記憶層，分別給予有預定方向的一驅動電流，使磁性移位暫存記憶層的磁區所儲存的資料，以一移位方向由磁性移位暫存記憶層的一最前記憶層藉由該耦合結構依序流向一最末記憶層。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

根據識別碼 8279653 找到的相關資料

無其他 8279653 資料。

[ 搜尋所有 8279653 ... ]

根據名稱堆疊式磁性移位暫存記憶體找到的相關資料

堆疊式磁性移位暫存記憶體

磁性記憶體結構及操作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I366929 \| 專利期間起: 101/06/21 \| 專利期間訖: 118/10/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 蔡慶祥 \| 沈桂弘 \| 洪建中 @ 技術司專利資料集
磁性移位暫存記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I366824 \| 專利期間起: 101/06/21 \| 專利期間訖: 118/12/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 沈桂弘 \| 蔡慶祥 @ 技術司專利資料集
磁性移位暫存記憶體與讀取方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I424433 \| 專利期間起: 118/06/22 \| 專利期間訖: 一種磁性移位暫存記憶體，包括至少一個磁軌。每一個磁軌上有至少一組叢資料，由連續的多個磁區所構成。每一個磁區有一磁矩方向對應一儲存資料。一前頭磁區有已知給予的一磁矩方向的一已知儲存資料，設置在此組叢資料... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 蔡慶祥 @ 技術司專利資料集
磁性移位暫存記憶體與讀取方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8213210 \| 專利期間起: 101/07/03 \| 專利期間訖: 119/10/14 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 蔡慶祥 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體結構及操作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8130531 \| 專利期間起: 101/03/06 \| 專利期間訖: 119/10/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 蔡慶祥 \| 沈桂弘 \| 洪建中 @ 技術司專利資料集
磁性移位暫存記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8164939 \| 專利期間起: 101/04/24 \| 專利期間訖: 119/09/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 沈桂弘 \| 蔡慶祥 @ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200810211084.8 \| 專利期間起: 102/01/23 \| 專利期間訖: 117/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 \| 劉昌和 @ 技術司專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,384,215 \| 專利期間起: 102/02/26 \| 專利期間訖: 120/06/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 \| 莊敬業 \| 林育民 @ 技術司專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,416,213 \| 專利期間起: 102/04/09 \| 專利期間訖: 120/03/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 \| 葉紹興 @ 技術司專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 \| 專利期間起: 102/03/20 \| 專利期間訖: 116/10/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 \| 專利期間起: 102/04/03 \| 專利期間訖: 118/05/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,391,520 \| 專利期間起: 102/03/05 \| 專利期間訖: 120/12/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I402456 \| 專利期間起: 102/07/21 \| 專利期間訖: 119/03/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 \| 許詔開 @ 技術司專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,940,333 \| 專利期間起: 104/01/27 \| 專利期間訖: 116/05/11 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發 \| 張學曾 \| 陳進富 \| 張原嘉 \| 甘霈 \| 林才祐 @ 技術司專利資料集

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184681 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂 \| 盧慧娟
3D堆疊封裝散熱模組	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6700783 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉君愷 \| 姜信騰
應用奈米管增加半導體元件電容之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6759305 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道 \| 崔秉鉞 \| 李正中
改進之場發射型顯示器驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6741039 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道 \| 李正中 \| 許志榮 \| 張悠揚
氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188211 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蘇慧琪 \| 江松燦
形成薄膜電晶體於透明基板上之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6764887 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 187289 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明 \| 翁逸君 \| 廖奇璋
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6773870 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明 \| 翁逸君 \| 廖奇璋
電流驅動元件主動陣列的畫素電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197219 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳建儒 \| 陳尚立 \| 施俊任
高密度資料讀寫器及其讀寫方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200381 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李裕文 \| 蔡晴翔 \| 吳清沂
半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206462 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸 \| 沈毓仁
半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6806929 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸 \| 沈毓仁
光電模組模封裝	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220733 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳文彥 \| 范榮昌 \| 劉君愷
光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6808323 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 姜信騰 \| 劉君愷 \| 周意工
一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190623 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 盧思維 \| 盧威華 \| 呂芳俊

堆疊式磁性移位暫存記憶體 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與堆疊式磁性移位暫存記憶體同分類的技術司專利資料集

堆疊式磁性移位暫存記憶體
- 技術司專利資料集 @ 經濟部