改進之場發射型顯示器驅動方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文改進之場發射型顯示器驅動方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 證書號碼是6741039.

序號798
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改進之場發射型顯示器驅動方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6741039
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係一種改進之場發射型顯示器驅動方法(improved FED driving method)，其利用不同於傳統三極結構的場發射型顯示器(FED)的電壓控制，來達到同時具有高發光效率與高解析度的目的。該改進式場發射型顯示器驅動方式的特徵在於增加陽極板上的正電壓，將發射源接地，及加負電壓於閘極上。如此，在FED驅動時，陽極上的高正電壓可以直接拉出陰極電子，並由閘極上的負電壓來控制電子束的開關。此時，電子束因沒有受到來自閘極的橫向拉力，因而可以得到較高的像素解析度。_x000D_ _x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

798

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

改進之場發射型顯示器驅動方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6741039

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係一種改進之場發射型顯示器驅動方法(improved FED driving method)，其利用不同於傳統三極結構的場發射型顯示器(FED)的電壓控制，來達到同時具有高發光效率與高解析度的目的。該改進式場發射型顯示器驅動方式的特徵在於增加陽極板上的正電壓，將發射源接地，及加負電壓於閘極上。如此，在FED驅動時，陽極上的高正電壓可以直接拉出陰極電子，並由閘極上的負電壓來控制電子束的開關。此時，電子束因沒有受到來自閘極的橫向拉力，因而可以得到較高的像素解析度。_x000D_ _x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 | 證書號碼: 206590

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

場發射型顯示器之三極結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 李正中 許志榮 張悠揚 何家充 王右武 | 證書號碼:

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 李正中 許志榮 張悠揚 何家充 王右武 | 證書號碼:

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 李鈞道,李正中,許志榮,張悠揚,何家充,王右武, | 證書號碼: 4854691

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 李鈞道,李正中,許志榮,張悠揚,何家充,王右武 | 證書號碼: 4854711

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管電子源場發射電流增益製程

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 許志榮, 李鈞道, 李正中, 何家充, 張悠揚 | 證書號碼: 4348131

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管電子源場發射電流增益製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 許志榮, 李鈞道, 李正中, 何家充, 張悠揚 | 證書號碼: 223308

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管電子源場發射電流增益製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 許志榮 ,李鈞道 ,李正中 ,何家充 ,張悠揚 , | 證書號碼: 7,662,428

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武 | 證書號碼: 206590

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

場發射型顯示器之三極結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 李正中 許志榮 張悠揚 何家充 王右武 | 證書號碼:

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 李正中 許志榮 張悠揚 何家充 王右武 | 證書號碼:

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 李鈞道,李正中,許志榮,張悠揚,何家充,王右武, | 證書號碼: 4854691

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 李鈞道,李正中,許志榮,張悠揚,何家充,王右武 | 證書號碼: 4854711

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管電子源場發射電流增益製程

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 許志榮, 李鈞道, 李正中, 何家充, 張悠揚 | 證書號碼: 4348131

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管電子源場發射電流增益製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 許志榮, 李鈞道, 李正中, 何家充, 張悠揚 | 證書號碼: 223308

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管電子源場發射電流增益製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 許志榮 ,李鈞道 ,李正中 ,何家充 ,張悠揚 , | 證書號碼: 7,662,428

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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號972
產出年度94
技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV之背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 972
產出年度: 94
技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV之背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號973
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 973
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號974
產出年度94
技術名稱-中文輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度雛型
可應用範圍(空)
潛力預估可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 974
產出年度: 94
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (空)
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號975
產出年度94
技術名稱-中文20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Size:20”；均勻度
技術成熟度雛型
可應用範圍戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 975
產出年度: 94
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Size:20”；均勻度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號976
產出年度94
技術名稱-中文CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV等背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 976
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV等背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號977
產出年度94
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度雛型
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 977
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號978
產出年度94
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 978
產出年度: 94
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號979
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器。_x000D_
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
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參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 979
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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與改進之場發射型顯示器驅動方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

一種長管內表面電解拋光裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林春宏, 蔡陳德, 鍾允昇, 吳錦清, 陳裕豐, 王漢聰 | 證書號碼: 6660138

一種金屬內外表面電解拋光裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林春宏, 吳錦清, 鍾允昇, 涂運泉, 吳清吉, 彭永振 | 證書號碼: 6776884

手持式光纖切割裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李文宇, 周大鑫 | 證書號碼: 6754426

直結式主軸於機台上之安裝機構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡垂錫, 黃興杰, 陳義堂 | 證書號碼: 6772660

具位置.速度與力量控制之晶片取放裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 黃國興, 劉俊賢, 李思慧, 張瀛方, 林宏毅, 徐嘉彬 | 證書號碼: 6651865

無間隙3-D微結構陣列模仁之製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂 | 證書號碼: 201594

無間隙3-D微結構陣列模仁之製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂 | 證書號碼: 6,746,823

降低鎳基合金鍍層內應力之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 柯世宗, 李仁智, 葛明德, 王樂民, 宋鈺, 楊詔中, 黃雅如 | 證書號碼: 6699379

球形工件加工裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林衛助, 蔡坤龍 | 證書號碼: 211484

物件與膠膜分離之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 劉俊賢, 黃國興, 徐嘉彬, 洪嘉宏 | 證書號碼: 194407

可三維即時修正之尋光方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 周甘霖, 李閔凱 | 證書號碼: 188264

隔膜閥

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林春宏, 蔡陳德, 吳錦清, 何榮振, 王漢聰 | 證書號碼: 218453

二片式繞射/折射複合型成像系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘 | 證書號碼: 220699

二片式繞射/折射複合型成像系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘 | 證書號碼: 6,724,532

分離脆性材料的旋轉對位機構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳貴榮, 江錦忠 | 證書號碼: 209926

一種長管內表面電解拋光裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林春宏, 蔡陳德, 鍾允昇, 吳錦清, 陳裕豐, 王漢聰 | 證書號碼: 6660138

一種金屬內外表面電解拋光裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林春宏, 吳錦清, 鍾允昇, 涂運泉, 吳清吉, 彭永振 | 證書號碼: 6776884

手持式光纖切割裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李文宇, 周大鑫 | 證書號碼: 6754426

直結式主軸於機台上之安裝機構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡垂錫, 黃興杰, 陳義堂 | 證書號碼: 6772660

具位置.速度與力量控制之晶片取放裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 黃國興, 劉俊賢, 李思慧, 張瀛方, 林宏毅, 徐嘉彬 | 證書號碼: 6651865

無間隙3-D微結構陣列模仁之製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂 | 證書號碼: 201594

無間隙3-D微結構陣列模仁之製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林坤龍, 周敏傑, 潘正堂 | 證書號碼: 6,746,823

降低鎳基合金鍍層內應力之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 柯世宗, 李仁智, 葛明德, 王樂民, 宋鈺, 楊詔中, 黃雅如 | 證書號碼: 6699379

球形工件加工裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林衛助, 蔡坤龍 | 證書號碼: 211484

物件與膠膜分離之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 劉俊賢, 黃國興, 徐嘉彬, 洪嘉宏 | 證書號碼: 194407

可三維即時修正之尋光方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 周甘霖, 李閔凱 | 證書號碼: 188264

隔膜閥

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林春宏, 蔡陳德, 吳錦清, 何榮振, 王漢聰 | 證書號碼: 218453

二片式繞射/折射複合型成像系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘 | 證書號碼: 220699

二片式繞射/折射複合型成像系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 傅春能, 林宗信, 林信義, 陸懋宏, 徐得銘 | 證書號碼: 6,724,532

分離脆性材料的旋轉對位機構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳貴榮, 江錦忠 | 證書號碼: 209926

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