金屬植入物的表面處理方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文金屬植入物的表面處理方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I414635, 專利期間起是102/11/11, 專利期間訖是118/05/07, 專利性質是發明, 執行單位是金屬中心, 產出年度是102, 計畫名稱是高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫, 專利發明人是施威任.

序號	10948
產出年度	102
領域別	生技醫藥
專利名稱-中文	金屬植入物的表面處理方法
執行單位	金屬中心
產出單位	金屬中心
計畫名稱	高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫
專利發明人	施威任
核准國家	中華民國
獲證日期	102/11/11
證書號碼	I414635
專利期間起	102/11/11
專利期間訖	118/05/07
專利性質	發明
技術摘要-中文	牙科植體機能化表面處理技術
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	施威任
電話	07-6235550#356
傳真	07-6235526
電子信箱	petershih@mail.mirdc.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

10948

產出年度

102

領域別

生技醫藥

專利名稱-中文

金屬植入物的表面處理方法

執行單位

金屬中心

產出單位

金屬中心

計畫名稱

高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫

專利發明人

施威任

核准國家

中華民國

獲證日期

102/11/11

證書號碼

I414635

專利期間起

102/11/11

專利期間訖

118/05/07

專利性質

發明

技術摘要-中文

牙科植體機能化表面處理技術

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

施威任

電話

07-6235550#356

傳真

07-6235526

電子信箱

petershih@mail.mirdc.org.tw

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金屬植入物及其表面處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I371265 \| 專利期間起: 101/09/01 \| 專利期間訖: 118/05/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 \| 專利發明人: 施威任 @ 技術司專利資料集
靜電紡絲裝置、引導組織再生之植入物及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I459978 \| 專利期間起: 120/12/19 \| 專利期間訖: 靜電紡絲裝置、引導組織再生之植入物及其製造方法 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 施威任 @ 技術司專利資料集
脊椎籠型支架	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I457114 \| 專利期間起: 120/12/19 \| 專利期間訖: 脊椎籠型支架 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 施威任 @ 技術司專利資料集
INTERBODY CAGE FOR SPINE FUSION	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US8,696,752B2 \| 專利期間起: 120/12/29 \| 專利期間訖: INTERBODY CAGE FOR SPINE FUSION \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 施威任 @ 技術司專利資料集
互動式記憶型背架	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I540999 \| 專利期間起: 105/07/11 \| 專利期間訖: 123/04/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 數位口腔復形與快速取像系統暨醫材創新服務平台計畫 \| 專利發明人: 施威任 @ 技術司專利資料集
用於影像掃描之定位標示裝置及其膠狀溶液	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I528943 \| 專利期間起: 105/04/01 \| 專利期間訖: 120/12/21 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 數位口腔復形與快速取像系統暨醫材創新服務平台計畫 \| 專利發明人: 施威任 @ 技術司專利資料集
多重鏡像中的自我身影	\| 活動起始日期: 2024/04/23 \| 活動結束日期: 2024/09/22 \| 折扣資訊: @ 展覽資訊
多重鏡像中的自我身影	\| 活動起始日期: 2024/04/23 \| 活動結束日期: 2024/09/22 \| 折扣資訊: @ 藝文活動-所有類別

多重鏡像中的自我身影

| 活動起始日期: 2024/04/23 | 活動結束日期: 2024/09/22 | 折扣資訊:

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多重鏡像中的自我身影

| 活動起始日期: 2024/04/23 | 活動結束日期: 2024/09/22 | 折扣資訊:

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公司地址	負責人	統一編號	狀態
水族城市水族館桃園市中壢區龍興里龍岡路二段三九一號一樓	施威任	34825050	歇業 - 獨資 (核准文號: 1049000292)

水族城市水族館

登記地址: 桃園市中壢區龍興里龍岡路二段三九一號一樓 | 負責人: 施威任 | 統編: 34825050 | 歇業 - 獨資 (核准文號: 1049000292)

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具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200395 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6642595 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188234 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹 \| 鍾震桂 \| 陳世輝
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6663214 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹 \| 鍾震桂 \| 陳世輝
積體化流體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189552 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂 \| 林俊仁
電磁驅動光開關及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191670 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 盧慧娟 \| 李新立 \| 張文陽 \| 李政鴻
應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206522 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 歐政隆 \| 李宗昇
可撓性之光電傳輸匯流排	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206592 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈里正 \| 陳有志 \| 張恕銘 \| 柯志祥
N型奈米碳管元件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220269 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王宏祥 \| 魏拯華 \| 高明哲
形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190648 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑 \| 陳志強 \| 莊景桑
光波導製程之階梯覆蓋率的測試結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191701 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡柏豪 \| 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 劉文俊 \| 李裕文
埋藏式電容結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192752 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 吳俊昆 \| 陳昌昇
埋藏式電容結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6813138 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 吳俊昆 \| 陳昌昇
超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223446 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 賴理學 \| 陳邦旭 \| 陸新起 \| 劉致為
具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206598 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋 \| 翁逸君 \| 劉康弘 \| 范揚宜

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