三維堆疊晶粒封裝結構
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文三維堆疊晶粒封裝結構的核准國家是美國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是102, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是林俊德 ,郭子熒 ,張恕銘 ,, 證書號碼是8531009.

序號11655
產出年度102
領域別創新前瞻
專利名稱-中文三維堆疊晶粒封裝結構
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林俊德 ,郭子熒 ,張恕銘 ,
核准國家美國
獲證日期102/11/20
證書號碼8531009
專利期間起102/09/10
專利期間訖117/09/18
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
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同步更新日期2023-07-05

序號

11655

產出年度

102

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

三維堆疊晶粒封裝結構

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院院本部

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

林俊德 ,郭子熒 ,張恕銘 ,

核准國家

美國

獲證日期

102/11/20

證書號碼

8531009

專利期間起

102/09/10

專利期間訖

117/09/18

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。

技術摘要-英文

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李露蘋

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# 三維堆疊晶粒封裝結構 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號13371
產出年度103
領域別服務創新
專利名稱-中文三維堆疊晶粒封裝結構的製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院電光所
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林俊德 ,郭子熒 ,張恕銘
核准國家中華民國
獲證日期102/12/21
證書號碼I420648
專利期間起117/05/12
專利期間訖本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。
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聯絡人員李露蘋
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序號: 13371
產出年度: 103
領域別: 服務創新
專利名稱-中文: 三維堆疊晶粒封裝結構的製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 林俊德 ,郭子熒 ,張恕銘
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/12/21
證書號碼: I420648
專利期間起: 117/05/12
專利期間訖: 本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。
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# 三維堆疊晶粒封裝結構 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號11310
產出年度102
領域別創新前瞻
專利名稱-中文三維堆疊晶粒封裝結構
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林俊德 ,郭子熒 ,張恕銘
核准國家中華民國
獲證日期102/03/15
證書號碼I389291
專利期間起102/03/11
專利期間訖117/05/12
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。
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序號: 11310
產出年度: 102
領域別: 創新前瞻
專利名稱-中文: 三維堆疊晶粒封裝結構
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 林俊德 ,郭子熒 ,張恕銘
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/03/15
證書號碼: I389291
專利期間起: 102/03/11
專利期間訖: 117/05/12
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。
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# 三維堆疊晶粒封裝結構 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號9457
產出年度101
領域別創新前瞻
專利名稱-中文芯片結構、三維堆疊芯片封裝結構及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林俊德,郭子熒,張恕銘,
核准國家中國大陸
獲證日期101/09/03
證書號碼ZL200810099339.6
專利期間起101/07/25
專利期間訖117/05/20
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。
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序號: 9457
產出年度: 101
領域別: 創新前瞻
專利名稱-中文: 芯片結構、三維堆疊芯片封裝結構及其製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 林俊德,郭子熒,張恕銘,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 101/09/03
證書號碼: ZL200810099339.6
專利期間起: 101/07/25
專利期間訖: 117/05/20
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種三維堆疊晶粒封裝結構及其製造方法，係利用矽片貫通孔(TSVs)技術在該三維堆疊晶粒封裝結構中形成至少一垂直貫穿孔，以建立該三維堆疊晶粒封裝結構垂直方向的電性連接，並且利用墊片上盲孔及該等貫穿孔之間重佈線(RDL)的設計，將該三維堆疊晶粒封裝結構的電性從一第一表面導引至相對的一第二表面。此外，本發明利用導電凸塊包覆該等晶粒之間彼此接合的墊片，防此該等墊片斷裂，進而提高該三維堆疊晶粒封裝結構的可靠度。
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號11993
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文揚聲器單體結構
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人陳明道 ,劉昌和 ,
核准國家中國大陸
獲證日期102/03/11
證書號碼ZL200810211084.8
專利期間起102/01/23
專利期間訖117/08/19
專利性質發明
技術摘要-中文一種具備輕、薄、可撓曲等特性的音腔結構，運用在揚聲器單體結構上，其為在一音腔基材上設計相當的支撐體組成。而此支撐體的製程可為製作於音腔基材上、或者製作於振膜電極上，而支撐體可以採取與音腔電極或振膜電極有黏著或不黏著的兩種設計方式，或者先行製作支撐體完成後再置入振膜電極與音腔基材間。
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聯絡人員李露蘋
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特殊情形(空)
序號: 11993
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 揚聲器單體結構
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 ,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 102/03/11
證書號碼: ZL200810211084.8
專利期間起: 102/01/23
專利期間訖: 117/08/19
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種具備輕、薄、可撓曲等特性的音腔結構，運用在揚聲器單體結構上，其為在一音腔基材上設計相當的支撐體組成。而此支撐體的製程可為製作於音腔基材上、或者製作於振膜電極上，而支撐體可以採取與音腔電極或振膜電極有黏著或不黏著的兩種設計方式，或者先行製作支撐體完成後再置入振膜電極與音腔基材間。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號11997
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文晶圓級模封接合結構及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民
核准國家美國
獲證日期102/03/27
證書號碼8,384,215
專利期間起102/02/26
專利期間訖120/06/30
專利性質發明
技術摘要-中文一種晶圓級的模封接合結構，在多個實施例其中的一個結構中，包含至少一上晶片與一下晶片以及置於其間的黏著材料。上晶片包含晶背、晶面和多個晶側，晶面上有多個電極。下晶片包含晶背及晶面，其上面分別有多個晶背凸塊和晶面凸塊。下晶片中包含多個貫穿電極，分別電性導通上述晶背凸塊和晶面凸塊。黏著材料包含高分子膠材，在一實施例中包含例如多個導電顆粒，或更包含非導電顆粒，以達成多個電極和上述晶背凸塊的電性導通，並同時完全包覆上晶片之晶側。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
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傳真03-5917812
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 11997
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 晶圓級模封接合結構及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民
核准國家: 美國
獲證日期: 102/03/27
證書號碼: 8,384,215
專利期間起: 102/02/26
專利期間訖: 120/06/30
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種晶圓級的模封接合結構，在多個實施例其中的一個結構中，包含至少一上晶片與一下晶片以及置於其間的黏著材料。上晶片包含晶背、晶面和多個晶側，晶面上有多個電極。下晶片包含晶背及晶面，其上面分別有多個晶背凸塊和晶面凸塊。下晶片中包含多個貫穿電極，分別電性導通上述晶背凸塊和晶面凸塊。黏著材料包含高分子膠材，在一實施例中包含例如多個導電顆粒，或更包含非導電顆粒，以達成多個電極和上述晶背凸塊的電性導通，並同時完全包覆上晶片之晶側。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號11999
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文感測裝置及其掃描驅動方法
執行單位工研院南分院
產出單位工研院南分院
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人沈煜棠 ,葉紹興
核准國家美國
獲證日期102/05/27
證書號碼8,416,213
專利期間起102/04/09
專利期間訖120/03/17
專利性質發明
技術摘要-中文一種感測裝置及其掃描驅動方法。感測裝置包括第一電極、第二電極、感測元件陣列、第一電極掃描驅動電路、第二電極掃描驅動電路及控制電路。感測元件陣列係位於第一電極與第二電極之間，並於被施力觸摸後輸出至少一第一感測電壓。第一電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第一電極，其中，被驅動之第一電極被設定為高準位輸出狀態，而未被驅動之第一電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。第二電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第二電極，其中，被驅動之第二電極呈現為高阻抗輸入狀態，而未被驅動之第二電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。控制電路用以控制第一電極掃描驅動電路及第二電極掃描驅動電路。
技術摘要-英文(空)
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 11999
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 感測裝置及其掃描驅動方法
執行單位: 工研院南分院
產出單位: 工研院南分院
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興
核准國家: 美國
獲證日期: 102/05/27
證書號碼: 8,416,213
專利期間起: 102/04/09
專利期間訖: 120/03/17
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種感測裝置及其掃描驅動方法。感測裝置包括第一電極、第二電極、感測元件陣列、第一電極掃描驅動電路、第二電極掃描驅動電路及控制電路。感測元件陣列係位於第一電極與第二電極之間，並於被施力觸摸後輸出至少一第一感測電壓。第一電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第一電極，其中，被驅動之第一電極被設定為高準位輸出狀態，而未被驅動之第一電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。第二電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第二電極，其中，被驅動之第二電極呈現為高阻抗輸入狀態，而未被驅動之第二電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。控制電路用以控制第一電極掃描驅動電路及第二電極掃描驅動電路。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號12001
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文揚聲器單體結構
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人劉昌和 ,陳明道
核准國家中國大陸
獲證日期102/05/14
證書號碼ZL200710184913.3
專利期間起102/03/20
專利期間訖116/10/28
專利性質發明
技術摘要-中文在此提出一種揚聲器單體結構，包括單一駐極體振膜結構、具多個開孔的單一金屬電極與邊框支撐體所組成。此駐極體振膜結構在一例子中是由駐極體振膜層、極薄金屬薄膜電極以及絕緣層堆疊而成，其中此極薄金屬薄膜電極位於駐極體振膜層以及絕緣層之間。在另一例子中，駐極體振膜結構是由駐極體振膜層與具有氧化導電材料的導電電極層所組成。而邊框支撐體位於駐極體振膜結構與金屬電極之間，形成用以作為駐極體振膜結構振動之空間，以產生聲音。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12001
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 揚聲器單體結構
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 劉昌和 ,陳明道
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 102/05/14
證書號碼: ZL200710184913.3
專利期間起: 102/03/20
專利期間訖: 116/10/28
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 在此提出一種揚聲器單體結構，包括單一駐極體振膜結構、具多個開孔的單一金屬電極與邊框支撐體所組成。此駐極體振膜結構在一例子中是由駐極體振膜層、極薄金屬薄膜電極以及絕緣層堆疊而成，其中此極薄金屬薄膜電極位於駐極體振膜層以及絕緣層之間。在另一例子中，駐極體振膜結構是由駐極體振膜層與具有氧化導電材料的導電電極層所組成。而邊框支撐體位於駐極體振膜結構與金屬電極之間，形成用以作為駐極體振膜結構振動之空間，以產生聲音。
技術摘要-英文: (空)
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號12009
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人劉昌和 ,陳明道
核准國家中國大陸
獲證日期102/05/27
證書號碼ZL200910202828.4
專利期間起102/04/03
專利期間訖118/05/25
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置，是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性，將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層，用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12009
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 劉昌和 ,陳明道
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 102/05/27
證書號碼: ZL200910202828.4
專利期間起: 102/04/03
專利期間訖: 118/05/25
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置，是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性，將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層，用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
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特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號12010
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人劉昌和 ,陳明道
核准國家美國
獲證日期102/04/10
證書號碼8,391,520
專利期間起102/03/05
專利期間訖120/12/15
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置，是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性，將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層，用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12010
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 劉昌和 ,陳明道
核准國家: 美國
獲證日期: 102/04/10
證書號碼: 8,391,520
專利期間起: 102/03/05
專利期間訖: 120/12/15
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置，是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性，將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層，用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
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特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號12021
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文照明裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人黃承揚 ,許詔開
核准國家中華民國
獲證日期102/07/30
證書號碼I402456
專利期間起102/07/21
專利期間訖119/03/16
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種照明裝置，包括一連接盤、一軟性照明元件、複數個懸臂以及一傳動模組。複數個懸臂呈放射狀排列，其中每一懸臂之一端以可旋轉的方式設置於連接盤中，另一端則與軟性照明元件連接，傳動模組與懸臂連接，並趨使懸臂旋轉以使軟性照明元件變形。或者是，一距離形成於軟性照明元件以及連接盤之間，並藉由改變此距離而使軟性照明元件變形。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12021
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 照明裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 黃承揚 ,許詔開
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/07/30
證書號碼: I402456
專利期間起: 102/07/21
專利期間訖: 119/03/16
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種照明裝置，包括一連接盤、一軟性照明元件、複數個懸臂以及一傳動模組。複數個懸臂呈放射狀排列，其中每一懸臂之一端以可旋轉的方式設置於連接盤中，另一端則與軟性照明元件連接，傳動模組與懸臂連接，並趨使懸臂旋轉以使軟性照明元件變形。或者是，一距離形成於軟性照明元件以及連接盤之間，並藉由改變此距離而使軟性照明元件變形。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號15264
產出年度104
領域別民生福祉
專利名稱-中文Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same
執行單位工研院生醫所
產出單位工研院生醫所
計畫名稱智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫
專利發明人謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐
核准國家美國
獲證日期104/03/11
證書號碼8,940,333
專利期間起104/01/27
專利期間訖116/05/11
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種兩性團聯共聚高分子，包括一或多個親水性高分子、一或多個疏水性高分子以及一或多個兩性分子。本發明另提供一種包含此兩性團聯共聚高分子之奈米微粒及載體，用以傳輸脂溶性藥物、生長因子、基因或化妝品。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露頻
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 15264
產出年度: 104
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same
執行單位: 工研院生醫所
產出單位: 工研院生醫所
計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫
專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐
核准國家: 美國
獲證日期: 104/03/11
證書號碼: 8,940,333
專利期間起: 104/01/27
專利期間訖: 116/05/11
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種兩性團聯共聚高分子，包括一或多個親水性高分子、一或多個疏水性高分子以及一或多個兩性分子。本發明另提供一種包含此兩性團聯共聚高分子之奈米微粒及載體，用以傳輸脂溶性藥物、生長因子、基因或化妝品。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露頻
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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與三維堆疊晶粒封裝結構同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

測試蝕刻速率的結構及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華 | 證書號碼: 197248

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 188284

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 6725882

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 | 證書號碼: 198288

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

測試蝕刻速率的結構及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華 | 證書號碼: 197248

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 188284

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 6725882

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 | 證書號碼: 198288

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

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