主動元件陣列基板、有機發光二極體顯示器裝置及其製造方法 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部 專利名稱-中文主動元件陣列基板、有機發光二極體顯示器裝置及其製造方法 的核准國家是中華民國 , 執行單位是工研院顯示中心 , 產出年度是102 , 專利性質是發明 , 計畫名稱是先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 , 專利發明人是何金原 、林政偉 、黃彥士 、鄭志宏 , 證書號碼是I411105 .
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根據名稱 主動元件陣列基板 有機發光二極體顯示器裝置及其製造方法 找到的相關資料 根據姓名 何金原 林政偉 黃彥士 鄭志宏 找到的相關資料 根據電話 03-591-7410 找到的相關資料 (以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-591-7410 序號 12409 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 有機薄膜電晶體及其製造方法 執行單位 工研院顯示中心 產出單位 工研院顯示中心 計畫名稱 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人 陳良湘 、廖克斌 、何家充 核准國家 中華民國 獲證日期 102/03/01 證書號碼 I388077 專利期間起 102/03/01 專利期間訖 118/02/09 專利性質 發明 技術摘要-中文 一種有機薄膜電晶體，此有機薄膜電晶體包括閘極、覆蓋閘極的閘絕緣層、源極與汲極、有機半導體層、疏水層以及液滴狀保護層。利用疏水層而分別於源極的表面以及汲極的表面形成一疏水性區域，同時，被疏水層暴露的有機半導體層形成一親水性區域。利用表面張力而於有機半導體層上直接形成液滴狀保護層，用以保護元件特性。因此，本發明提供一種製程簡易的有機薄膜電晶體。此外，本發明另揭露一種有機薄膜電晶體的製造方法。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 林立婷 電話 03-591-7410 傳真 03-582-0046 電子信箱 debbie0429@itri.org.tw 參考網址 http://twpat6.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@155707864 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12409 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 有機薄膜電晶體及其製造方法 執行單位: 工研院顯示中心 產出單位: 工研院顯示中心 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人: 陳良湘 、廖克斌 、何家充 核准國家: 中華民國 獲證日期: 102/03/01 證書號碼: I388077 專利期間起: 102/03/01 專利期間訖: 118/02/09 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 一種有機薄膜電晶體，此有機薄膜電晶體包括閘極、覆蓋閘極的閘絕緣層、源極與汲極、有機半導體層、疏水層以及液滴狀保護層。利用疏水層而分別於源極的表面以及汲極的表面形成一疏水性區域，同時，被疏水層暴露的有機半導體層形成一親水性區域。利用表面張力而於有機半導體層上直接形成液滴狀保護層，用以保護元件特性。因此，本發明提供一種製程簡易的有機薄膜電晶體。此外，本發明另揭露一種有機薄膜電晶體的製造方法。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 林立婷 電話: 03-591-7410 傳真: 03-582-0046 電子信箱: debbie0429@itri.org.tw 參考網址: http://twpat6.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@155707864 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 12428 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 執行單位 工研院顯示中心 產出單位 工研院顯示中心 計畫名稱 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人 陳光榮 、何家充 、顏精一 、葉樹棠 核准國家 中華民國 獲證日期 102/03/11 證書號碼 I389271 專利期間起 102/03/11 專利期間訖 118/04/09 專利性質 發明 技術摘要-中文 一種環境敏感電子元件之封裝體，包括一第一基板、一第二基板、一環境敏感電子元件、多個阻氣結構以及一填充層。第二基板配置於第一基板的上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。阻氣結構配置於第一基板與第二基板之間，且環繞環境敏感電子元件的周圍，其中阻氣結構的水氣透過率小於10-1g/m2/day。填充層配置於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件與阻氣結構。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 林立婷 電話 03-591-7410 傳真 03-582-0046 電子信箱 debbie0424@itri.org.tw 參考網址 http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@201901392 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12428 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 執行單位: 工研院顯示中心 產出單位: 工研院顯示中心 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人: 陳光榮 、何家充 、顏精一 、葉樹棠 核准國家: 中華民國 獲證日期: 102/03/11 證書號碼: I389271 專利期間起: 102/03/11 專利期間訖: 118/04/09 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 一種環境敏感電子元件之封裝體，包括一第一基板、一第二基板、一環境敏感電子元件、多個阻氣結構以及一填充層。第二基板配置於第一基板的上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。阻氣結構配置於第一基板與第二基板之間，且環繞環境敏感電子元件的周圍，其中阻氣結構的水氣透過率小於10-1g/m2/day。填充層配置於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件與阻氣結構。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 林立婷 電話: 03-591-7410 傳真: 03-582-0046 電子信箱: debbie0424@itri.org.tw 參考網址: http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@201901392 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 12403 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 可撓式裝置的取下設備及其取下方法 執行單位 工研院顯示中心 產出單位 工研院顯示中心 計畫名稱 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人 蔡寶鳴 、江良祐 、張悠揚 核准國家 中華民國 獲證日期 102/10/07 證書號碼 I410329 專利期間起 102/10/01 專利期間訖 118/03/08 專利性質 發明 技術摘要-中文 本發明提供一種可撓式裝置的取下設備及可撓式裝置的取下方法。上述可撓式裝置的取下設備包括一載具，用以固定一承載基板、設置於上述承載基板上的一離型層及覆蓋上述離型層及部分上述承載基板的一可撓式裝置；一分離裝置，設置於上述載具的上方，上述分離裝置用以使空氣進入上述離型層與上述可撓式裝置的一界面處，以使上述可撓式裝置從上述離型層和上述承載基板分離；一真空裝置，設置於上述載具的上方，上述真空裝置用以吸附上述可撓式裝置。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 林立婷 電話 03-591-7410 傳真 03-582-0046 電子信箱 debbie0424@itri.org.tw 參考網址 http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@1140679393 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12403 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 可撓式裝置的取下設備及其取下方法 執行單位: 工研院顯示中心 產出單位: 工研院顯示中心 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人: 蔡寶鳴 、江良祐 、張悠揚 核准國家: 中華民國 獲證日期: 102/10/07 證書號碼: I410329 專利期間起: 102/10/01 專利期間訖: 118/03/08 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 本發明提供一種可撓式裝置的取下設備及可撓式裝置的取下方法。上述可撓式裝置的取下設備包括一載具，用以固定一承載基板、設置於上述承載基板上的一離型層及覆蓋上述離型層及部分上述承載基板的一可撓式裝置；一分離裝置，設置於上述載具的上方，上述分離裝置用以使空氣進入上述離型層與上述可撓式裝置的一界面處，以使上述可撓式裝置從上述離型層和上述承載基板分離；一真空裝置，設置於上述載具的上方，上述真空裝置用以吸附上述可撓式裝置。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 林立婷 電話: 03-591-7410 傳真: 03-582-0046 電子信箱: debbie0424@itri.org.tw 參考網址: http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@1140679393 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 12404 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 列印信號產生系統與方法 執行單位 工研院顯示中心 產出單位 工研院顯示中心 計畫名稱 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人 葉柏村 、張家銘 、施鴻斌 、劉祖閔 核准國家 中華民國 獲證日期 102/08/01 證書號碼 I403698 專利期間起 102/08/01 專利期間訖 118/03/02 專利性質 發明 技術摘要-中文 本發明的一實施例為一種列印系統，包括一感測器、一除頻數處理單元、一參考信號產生單元以及一列印觸發信號產生單元。該感測器，用以偵測待列印媒介上的一第一列印位置的一第一位置誤差與一第二列印位置的一第二位置誤差。該除頻數處理單元，根據該第一位置誤差、該第二位置誤差與一預定除頻數產生一第一除頻數。該參考信號產生單元，產生一參考信號。該列印觸發信號產生單元，根據該第一除頻數與該參考信號產生一列印觸發信號。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 林立婷 電話 03-591-7410 傳真 03-582-0046 電子信箱 debbie0424@itri.org.tw 參考網址 http://twpat6.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@765783040 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12404 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 列印信號產生系統與方法 執行單位: 工研院顯示中心 產出單位: 工研院顯示中心 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人: 葉柏村 、張家銘 、施鴻斌 、劉祖閔 核准國家: 中華民國 獲證日期: 102/08/01 證書號碼: I403698 專利期間起: 102/08/01 專利期間訖: 118/03/02 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 本發明的一實施例為一種列印系統，包括一感測器、一除頻數處理單元、一參考信號產生單元以及一列印觸發信號產生單元。該感測器，用以偵測待列印媒介上的一第一列印位置的一第一位置誤差與一第二列印位置的一第二位置誤差。該除頻數處理單元，根據該第一位置誤差、該第二位置誤差與一預定除頻數產生一第一除頻數。該參考信號產生單元，產生一參考信號。該列印觸發信號產生單元，根據該第一除頻數與該參考信號產生一列印觸發信號。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 林立婷 電話: 03-591-7410 傳真: 03-582-0046 電子信箱: debbie0424@itri.org.tw 參考網址: http://twpat6.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@765783040 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 12430 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 薄膜電晶體 Thin film transistor 執行單位 工研院顯示中心 產出單位 工研院顯示中心 計畫名稱 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人 顏精一 、陳良湘 核准國家 美國 獲證日期 102/02/12 證書號碼 8,373,168 專利期間起 102/02/12 專利期間訖 118/08/03 專利性質 發明 技術摘要-中文 本發明提出一種薄膜電晶體元件結構，具有無機介電層圖案化，半導體以及電容均製備於無機介電層上，接著有機介電層覆蓋整個元件並且露出無機介電層區域。該結構可以增加元件的撓曲特性。 A thin film transistor is provided. The thin film transistor includes a gate, at least an inorganic material layer, at least one dielectric layer, a source, a drain, and an active layer. The active layer is located on the substrate. The source and the drain cover a part of the active layer and a part of the substrate. A channel region exists between the source and the drain. The inorganic material layer is filled into the channel region. The dielectric layer at least including an organic material covers the inorganic material, the source and the drain. The gate is disposed on the dielectric layer. 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 林立婷 電話 03-591-7410 傳真 03-582-0046 電子信箱 debbie0424@itri.org.tw 參考網址 http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearch- 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12430 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 薄膜電晶體 Thin film transistor 執行單位: 工研院顯示中心 產出單位: 工研院顯示中心 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人: 顏精一 、陳良湘 核准國家: 美國 獲證日期: 102/02/12 證書號碼: 8,373,168 專利期間起: 102/02/12 專利期間訖: 118/08/03 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 本發明提出一種薄膜電晶體元件結構，具有無機介電層圖案化，半導體以及電容均製備於無機介電層上，接著有機介電層覆蓋整個元件並且露出無機介電層區域。該結構可以增加元件的撓曲特性。 A thin film transistor is provided. The thin film transistor includes a gate, at least an inorganic material layer, at least one dielectric layer, a source, a drain, and an active layer. The active layer is located on the substrate. The source and the drain cover a part of the active layer and a part of the substrate. A channel region exists between the source and the drain. The inorganic material layer is filled into the channel region. The dielectric layer at least including an organic material covers the inorganic material, the source and the drain. The gate is disposed on the dielectric layer. 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 林立婷 電話: 03-591-7410 傳真: 03-582-0046 電子信箱: debbie0424@itri.org.tw 參考網址: http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearch- 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 12434 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 顯示器的生產設備 執行單位 工研院顯示中心 產出單位 工研院顯示中心 計畫名稱 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人 鄭兆凱 、邱琬雯 、李裕正 、廖元正 、胥智文 、楊仁傑 核准國家 中華民國 獲證日期 102/07/11 證書號碼 I401519 專利期間起 102/07/11 專利期間訖 117/03/09 專利性質 發明 技術摘要-中文 本發明係提供一種可撓式顯示器的製造方法，包括：提供一基板，具有一畫素區；形成預定圖案之第一電極於該畫素區上；形成複數個隔離結構於該些第一電極之上；以塗佈方式分別填入不同顏色的材料於該些隔離結構之間並覆蓋該些第一電極；以及提供一含第二電極之上蓋，覆蓋該些隔離結構和該些顯色材料。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 林立婷 電話 03-591-7410 傳真 03-582-0046 電子信箱 debbie0424@itri.org.tw 參考網址 http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@1893578112 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12434 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 顯示器的生產設備 執行單位: 工研院顯示中心 產出單位: 工研院顯示中心 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人: 鄭兆凱 、邱琬雯 、李裕正 、廖元正 、胥智文 、楊仁傑 核准國家: 中華民國 獲證日期: 102/07/11 證書號碼: I401519 專利期間起: 102/07/11 專利期間訖: 117/03/09 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 本發明係提供一種可撓式顯示器的製造方法，包括：提供一基板，具有一畫素區；形成預定圖案之第一電極於該畫素區上；形成複數個隔離結構於該些第一電極之上；以塗佈方式分別填入不同顏色的材料於該些隔離結構之間並覆蓋該些第一電極；以及提供一含第二電極之上蓋，覆蓋該些隔離結構和該些顯色材料。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 林立婷 電話: 03-591-7410 傳真: 03-582-0046 電子信箱: debbie0424@itri.org.tw 參考網址: http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@1893578112 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 12401 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 元件的製作方法及有機半導體層之圖案化方法 執行單位 工研院顯示中心 產出單位 工研院顯示中心 計畫名稱 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人 廖金龍 、余建賢 、何家充 、顏精一 核准國家 中華民國 獲證日期 102/10/31 證書號碼 I413286 專利期間起 102/10/21 專利期間訖 118/02/16 專利性質 發明 技術摘要-中文 一種元件的製作方法，包括以下步驟：提供一基板，其上形成一有機半導體材料所組成之主動層，形成一圖案化之感光層於主動層上，以一蒸氣態之溶劑處理主動層，使圖案化之感光層的圖案轉移至主動層，其中蒸氣態之溶劑係滲入主動層中。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 林立婷 電話 03-591-7410 傳真 03-582-0046 電子信箱 debbie0424@itri.org.tw 參考網址 http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@1820608910 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12401 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 元件的製作方法及有機半導體層之圖案化方法 執行單位: 工研院顯示中心 產出單位: 工研院顯示中心 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人: 廖金龍 、余建賢 、何家充 、顏精一 核准國家: 中華民國 獲證日期: 102/10/31 證書號碼: I413286 專利期間起: 102/10/21 專利期間訖: 118/02/16 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 一種元件的製作方法，包括以下步驟：提供一基板，其上形成一有機半導體材料所組成之主動層，形成一圖案化之感光層於主動層上，以一蒸氣態之溶劑處理主動層，使圖案化之感光層的圖案轉移至主動層，其中蒸氣態之溶劑係滲入主動層中。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 林立婷 電話: 03-591-7410 傳真: 03-582-0046 電子信箱: debbie0424@itri.org.tw 參考網址: http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@1820608910 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 12405 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 同時驅動三色雙穩態液晶之驅動電路 執行單位 工研院顯示中心 產出單位 工研院顯示中心 計畫名稱 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人 陳志仁 、蕭智文 、陳泰安 、 核准國家 中華民國 獲證日期 102/02/01 證書號碼 I384442 專利期間起 102/02/01 專利期間訖 116/10/11 專利性質 發明 技術摘要-中文 本發明提供一種同時驅動三色雙穩態液晶之驅動電路，其係利用一抬升電壓電路(voltage-shift circuit)，針對不同顏色的雙穩態液晶胞各自抬升其相對應所需的電壓，接著在各自抬升後的電壓上再施加灰階顯示的電壓，以使得所有灰階資料輸入的電壓全部用在所有不同顏色雙穩態液晶胞可顯示的範圍內，以達到灰階顯示最佳化。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 林立婷 電話 03-591-7410 傳真 03-582-0046 電子信箱 debbie0425@itri.org.tw 參考網址 http://twpat6.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@1874021789 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12405 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 同時驅動三色雙穩態液晶之驅動電路 執行單位: 工研院顯示中心 產出單位: 工研院顯示中心 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 專利發明人: 陳志仁 、蕭智文 、陳泰安 、 核准國家: 中華民國 獲證日期: 102/02/01 證書號碼: I384442 專利期間起: 102/02/01 專利期間訖: 116/10/11 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 本發明提供一種同時驅動三色雙穩態液晶之驅動電路，其係利用一抬升電壓電路(voltage-shift circuit)，針對不同顏色的雙穩態液晶胞各自抬升其相對應所需的電壓，接著在各自抬升後的電壓上再施加灰階顯示的電壓，以使得所有灰階資料輸入的電壓全部用在所有不同顏色雙穩態液晶胞可顯示的範圍內，以達到灰階顯示最佳化。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 林立婷 電話: 03-591-7410 傳真: 03-582-0046 電子信箱: debbie0425@itri.org.tw 參考網址: http://twpat6.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@1874021789 備註: (空) 特殊情形: (空)
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與主動元件陣列基板、有機發光二極體顯示器裝置及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 羅家軒 | 證書號碼: 195370
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、邱松茂、羅萬中 | 證書號碼: 199489
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、劉伍健、卓廷彬、楊玉森 | 證書號碼: 207037
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健、楊玉森 | 證書號碼: 210407
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張瑞模、陳建仁、蔡兆豐、陳正義、鄭勝元 | 證書號碼: 184907
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 211530
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林志浩、蔡行知、魏江銘 | 證書號碼: 214980
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 220003
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、楊玉森、邱松茂 | 證書號碼: 195390
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 222536
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 634651
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 634266
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 翁震杰、賴逸林、鄭勝元 | 證書號碼: 201043
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 639900
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達、曾光宏、侯信男、黃仁隆、曾界彰 | 證書號碼: 201861
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 羅家軒 | 證書號碼: 195370
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、邱松茂、羅萬中 | 證書號碼: 199489
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、劉伍健、卓廷彬、楊玉森 | 證書號碼: 207037
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健、楊玉森 | 證書號碼: 210407
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張瑞模、陳建仁、蔡兆豐、陳正義、鄭勝元 | 證書號碼: 184907
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 211530
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林志浩、蔡行知、魏江銘 | 證書號碼: 214980
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 220003
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、楊玉森、邱松茂 | 證書號碼: 195390
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 222536
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 634651
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 634266
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 翁震杰、賴逸林、鄭勝元 | 證書號碼: 201043
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 639900
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達、曾光宏、侯信男、黃仁隆、曾界彰 | 證書號碼: 201861