一種組成物及其用途
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文一種組成物及其用途的核准國家是中華民國, 證書號碼是I381928, 專利期間起是102/01/11, 專利期間訖是118/07/22, 專利性質是發明, 執行單位是工研院材化所, 產出年度是102, 計畫名稱是CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫, 專利發明人是曹申.

序號	12842
產出年度	102
領域別	機械運輸
專利名稱-中文	一種組成物及其用途
執行單位	工研院材化所
產出單位	工研院材化所
計畫名稱	CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人	曹申
核准國家	中華民國
獲證日期	102/01/18
證書號碼	I381928
專利期間起	102/01/11
專利期間訖	118/07/22
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種組成物及其用途，包括含氯離子之酸性水溶液，以及選自含矽、氧及氮的粉體混合物，其中，該含氯離子之酸性水溶液與該混合物之重量比為1至10。本發明之組成物具有高流動性、低黏度、低熱膨脹係數與高溫相穩定等特性，適合用於高溫熔煉、鑄造及純化製程時，避免熔融矽材料與塗佈模具間發生黏模與不當反應之情形，且於高溫環境復具有釋氧性能，有利於雜質氧化脫出矽晶材料。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	曹申
電話	03-5914159
傳真	03-5832961
電子信箱	ShenTsao@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

12842

產出年度

102

領域別

機械運輸

專利名稱-中文

一種組成物及其用途

執行單位

工研院材化所

產出單位

工研院材化所

計畫名稱

CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫

專利發明人

曹申

核准國家

中華民國

獲證日期

102/01/18

證書號碼

I381928

專利期間起

102/01/11

專利期間訖

118/07/22

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種組成物及其用途，包括含氯離子之酸性水溶液，以及選自含矽、氧及氮的粉體混合物，其中，該含氯離子之酸性水溶液與該混合物之重量比為1至10。本發明之組成物具有高流動性、低黏度、低熱膨脹係數與高溫相穩定等特性，適合用於高溫熔煉、鑄造及純化製程時，避免熔融矽材料與塗佈模具間發生黏模與不當反應之情形，且於高溫環境復具有釋氧性能，有利於雜質氧化脫出矽晶材料。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

曹申

電話

03-5914159

傳真

03-5832961

電子信箱

ShenTsao@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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多孔性粉末及其製法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I412603 \| 專利期間起: 102/10/21 \| 專利期間訖: 118/10/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 \| 專利發明人: 曹申 ,蕭達慶 @ 技術司專利資料集
超高純度材料純化技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後，其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 \| 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽（純度99.5%）作為原料，透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程，成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料（純度99.999%）。 @ 技術司可移轉技術資料集
超高純度材料純化技術(1N→3N5~4N矽材純化技術)	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 火法冶金多晶矽純化技術加速研發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 純度介於3N5~4N；以粉體為產出物，粒徑在100mesh以下；技術批次產能在50kg/batch以上。 \| 潛力預估: 國內欠缺矽材原料生產技術。本計畫技術所需之核心設備幾乎全數國產化，投資門檻降低。 @ 技術司可移轉技術資料集
多晶矽純化技術計畫(1N→6N矽純化技術)	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 多晶矽材料純化技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 單一矽晶鑄錠重量可達140kg/batch。 _x000D_(2) 扣除C, O, B,P雜質含量，雜質總含量低於1ppmw，個別雜質含量低於0.5ppmw。_x000D_(3) B含量低於1... \| 潛力預估: 能源, 廢矽回收與基本原物料產業 @ 技術司可移轉技術資料集
特殊金屬精煉純化技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 1.精進與改良金屬材料電子束電氣精煉設備與純化技術。 2.使熔煉(熔池)系統溫度可>3000℃、能源使用率>65%、殘氧O \| 潛力預估: 1.使國內廠商建立高純高階材料技術相關知識與技術基礎。 2.使國內廠商建立高階電氣精煉設備之規格設計能力。 3.使國內傳統基本金屬冶煉業者競爭力層次，由被動型之累積專業實務經驗，提升至具備主動型之反應... @ 技術司可移轉技術資料集
具微孔隙金屬箔的吸音結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9,251,778 \| 專利期間起: 105/02/02 \| 專利期間訖: 123/12/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王尚智 ,曹申 ,邱佑宗 ,陳春弟 ,蘇育央 ,宋睦喜 @ 技術司專利資料集
具微孔隙金屬箔的吸音結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9251778 \| 專利期間起: 105/02/02 \| 專利期間訖: 123/12/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王尚智 ,曹申 ,邱佑宗 ,陳春弟 ,蘇育央 ,宋睦喜 @ 技術司專利資料集

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公司地址	負責人	統一編號	狀態
森頑具模型玩具工作室彰化縣彰化市南瑤里民族路１２８號	曹申霖	82417011	歇業 - 獨資 (核准文號: 1090815829)

森頑具模型玩具工作室

登記地址: 彰化縣彰化市南瑤里民族路１２８號 | 負責人: 曹申霖 | 統編: 82417011 | 歇業 - 獨資 (核准文號: 1090815829)

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以低電壓製作塊狀鐵電性材料區域反轉之方式	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 186269 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 彭隆瀚, 林宜慶, 房宜澂
光加取多工器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,661,944 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林士強, 周維仁, 江行健, 吳俊雄
具有三端口的光學循環器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01109959.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 胡杰, 黃承彬, 廖浚男
表面層以複合材料CaF2和TiO2所構成且具撥水功能之光學鍍膜元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I223009 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡榮源, 林浪津, 崋沐怡
分佈回饋式(DFB)半導體雷射及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 194417 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 余昱辰, 郭宗南, 潘彥廷
光盤承載裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00129763.5 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 黃偉煜
動態減震系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206772 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 楊志軒, 謝政揚, 黃振源, 張啟伸
聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00108097.0 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 朱良謙, 張志吉
可調整的鏡群裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195758 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 涂銀發, 姜皇成, 陳志文, 張耿智
雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 201010 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林明慧, 劉通發
環場影像接圖器及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,798,923 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 謝君偉, 江政欽, 魏德樂
取紙傳動模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 215325 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林智堅, 陳英棋, 鄭兆凱, 張惠珍
噴墨印頭的封裝方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98106298.9 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟
噴墨印頭結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98116196.0 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文
墨水通道設計	核准國家: 德國 \| 證書號碼: 19914700 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文

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執行單位

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