三維積體電路晶片定址連接電路
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專利名稱-中文三維積體電路晶片定址連接電路的核准國家是中華民國, 證書號碼是I428931, 專利期間起是118/09/28, 專利期間訖是一種三維積體電路晶片定址連接電路，包含控制單元、記憶單元、定址單元及一接地電路。記憶單元是記憶晶片的相關位址資訊。當輸入一位址訊號給定址單元時，配合記憶單元可以選擇一路徑使導通。當路徑導通時，便可以傳送一驅動訊號來驅動控制單元，使資料可以輸入至內部電路或輸出至外部。接地電路則是將未選擇到的晶片未被導..., 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是103, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 專利發明人是蕭智文 ,林志昇 ,蘇耿立.

序號	14011
產出年度	103
領域別	智慧科技
專利名稱-中文	三維積體電路晶片定址連接電路
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人	蕭智文 \| 林志昇 \| 蘇耿立
核准國家	中華民國
獲證日期	103/03/01
證書號碼	I428931
專利期間起	118/09/28
專利期間訖	一種三維積體電路晶片定址連接電路，包含控制單元、記憶單元、定址單元及一接地電路。記憶單元是記憶晶片的相關位址資訊。當輸入一位址訊號給定址單元時，配合記憶單元可以選擇一路徑使導通。當路徑導通時，便可以傳送一驅動訊號來驅動控制單元，使資料可以輸入至內部電路或輸出至外部。接地電路則是將未選擇到的晶片未被導通的通道接地，使控制單元關閉，無法輸入或輸出。
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種三維積體電路晶片定址連接電路，包含控制單元、記憶單元、定址單元及一接地電路。記憶單元是記憶晶片的相關位址資訊。當輸入一位址訊號給定址單元時，配合記憶單元可以選擇一路徑使導通。當路徑導通時，便可以傳送一驅動訊號來驅動控制單元，使資料可以輸入至內部電路或輸出至外部。接地電路則是將未選擇到的晶片未被導通的通道接地，使控制單元關閉，無法輸入或輸出。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	stephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

14011

產出年度

103

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

三維積體電路晶片定址連接電路

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

專利發明人

蕭智文 | 林志昇 | 蘇耿立

核准國家

中華民國

獲證日期

103/03/01

證書號碼

I428931

專利期間起

118/09/28

專利期間訖

一種三維積體電路晶片定址連接電路，包含控制單元、記憶單元、定址單元及一接地電路。記憶單元是記憶晶片的相關位址資訊。當輸入一位址訊號給定址單元時，配合記憶單元可以選擇一路徑使導通。當路徑導通時，便可以傳送一驅動訊號來驅動控制單元，使資料可以輸入至內部電路或輸出至外部。接地電路則是將未選擇到的晶片未被導通的通道接地，使控制單元關閉，無法輸入或輸出。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

stephen.chung@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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三維積體電路之直通矽晶穿孔製程監控方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I441270 \| 專利期間起: 117/12/16 \| 專利期間訖: 一種三維積體電路之直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via，TSV)製程監控方法，其中該三維積體電路具有複數個TSV，該方法包括提供複數個反相器；使該等反相器與該等TSV彼此連接並首尾相接... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立 ,林志昇 ,蕭智文 @ 技術司專利資料集
三維積體電路之直通矽晶穿孔製程監控方法及裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9,064,837 \| 專利期間起: 104/06/23 \| 專利期間訖: 118/05/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立 ,林志昇 ,蕭智文 @ 技術司專利資料集
三維積體電路之直通矽晶穿孔製程監控方法及裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9064837 \| 專利期間起: 104/06/23 \| 專利期間訖: 118/05/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立 ,林志昇 ,蕭智文 @ 技術司專利資料集
提升寫入電流的記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I340981 \| 專利期間起: 100/04/21 \| 專利期間訖: 117/11/11 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 林志昇,王敏全,蕭智文,蘇耿立 @ 技術司專利資料集
提升寫入電流的記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,894,274 \| 專利期間起: 100/02/22 \| 專利期間訖: 118/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 林志昇,王敏全,蕭智文,蘇耿立 @ 技術司專利資料集
三維積體電路直通矽晶穿孔元件之靜電放電結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,164,113 \| 專利期間起: 101/04/24 \| 專利期間訖: 119/11/09 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 林志昇,蕭智文,蘇耿立 @ 技術司專利資料集
三維積體電路之直通矽晶穿孔製程監控方法及裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,219,340 \| 專利期間起: 101/07/10 \| 專利期間訖: 119/09/13 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立,林志昇,蕭智文 @ 技術司專利資料集
三維積體電路直通矽晶穿孔元件之靜電放電結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 20290319 \| 專利期間起: 101/10/01 \| 專利期間訖: 118/03/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 林志昇,蕭智文,蘇耿立 @ 技術司專利資料集

三維積體電路之直通矽晶穿孔製程監控方法及裝置

用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610058803.8 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,李元仁 ,王連昌 , @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,397,584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8397584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610071485.9 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 ,林志昇 ,蘇耿立 , @ 技術司專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,577,017 \| 專利期間起: 98/08/18 \| 專利期間訖: 115/10/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,李元仁 ,高明哲 , @ 技術司專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,646,635 \| 專利期間起: 99/01/12 \| 專利期間訖: 117/08/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 ,王丁勇 , @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330844 \| 專利期間起: 1999/9/21 \| 專利期間訖: 116/05/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,李元仁 ,高明哲 , @ 技術司專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343574 \| 專利期間起: 100/06/11 \| 專利期間訖: 115/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中,高明哲,李元仁,王連昌, @ 技術司專利資料集

多層膜碟片膜層分離裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 187272 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張朝信, 郭利德, 馬榮昌, 張裕修
多層膜碟片膜層分離裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,668,894 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張朝信, 郭利德, 馬榮昌, 張裕修
多層膜資訊儲存媒體之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190370 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 楊惠雯, 廖文毅, 鄭尊仁, 黃建喨, 黃得瑞, 鄭懷瑜
多層膜資訊儲存媒體之製作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,797,090 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 楊惠雯, 廖文毅, 鄭尊仁, 黃建喨, 黃得瑞, 鄭懷瑜
多層膜可蓋寫型資訊儲存媒體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197221 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林志銘, 廖文毅, 鄭尊仁, 顏文信, 楊惠雯
氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192770 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 江文章, 宋嘉斌, 楊泓斌, 尤信介
矽晶基板之微小反射鏡加工法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,695,455 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 蘇忠傑
次微米解析度光學同調斷層攝影技術	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I223719 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 孫啟光
被動式電激發光二極體陣列的驅動方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190526 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 何貫睿
基於動態影像壓縮標準之階層式物件切割法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188953 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 甘敏成, 郭鐘榮, 吳國瑞, 蔡孟翰
位相差式防偽方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,667,797 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王迺岳, 蔡朝旭
微透鏡之製作方法及其製造裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224210 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳錦泰
噴墨頭晶片封裝結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195329 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 許法源, 胡紀平
一種快速尋找列印頻率以獲得立體影像的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220506 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 連健淋, 黃偉倫
三維度影像接合處之色彩處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200533 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳佳綸

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