相變化記憶體裝置及其製造方法
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專利名稱-中文相變化記憶體裝置及其製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I449170, 專利期間起是118/12/28, 專利期間訖是本發明提供相變化記憶體裝置及其製造方法。上述相變化記憶體裝置包括一基底結構，一第一電極設置於該基底結構上，一含氫矽酸鹽(HSQ)中空尖錐狀結構設置於該基底結構上，一多位階相變化記憶體(MLC-PCM)結構設置於尖錐狀結構上，以及一第二電極設置於該多位階相變化記憶體結構上。, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是103, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 專利發明人是陳維恕.

序號	14038
產出年度	103
領域別	智慧科技
專利名稱-中文	相變化記憶體裝置及其製造方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人	陳維恕
核准國家	中華民國
獲證日期	103/08/11
證書號碼	I449170
專利期間起	118/12/28
專利期間訖	本發明提供相變化記憶體裝置及其製造方法。上述相變化記憶體裝置包括一基底結構，一第一電極設置於該基底結構上，一含氫矽酸鹽(HSQ)中空尖錐狀結構設置於該基底結構上，一多位階相變化記憶體(MLC-PCM)結構設置於尖錐狀結構上，以及一第二電極設置於該多位階相變化記憶體結構上。
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供相變化記憶體裝置及其製造方法。上述相變化記憶體裝置包括一基底結構，一第一電極設置於該基底結構上，一含氫矽酸鹽(HSQ)中空尖錐狀結構設置於該基底結構上，一多位階相變化記憶體(MLC-PCM)結構設置於尖錐狀結構上，以及一第二電極設置於該多位階相變化記憶體結構上。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	stephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

14038

產出年度

103

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

相變化記憶體裝置及其製造方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

專利發明人

陳維恕

核准國家

中華民國

獲證日期

103/08/11

證書號碼

I449170

專利期間起

118/12/28

專利期間訖

本發明提供相變化記憶體裝置及其製造方法。上述相變化記憶體裝置包括一基底結構，一第一電極設置於該基底結構上，一含氫矽酸鹽(HSQ)中空尖錐狀結構設置於該基底結構上，一多位階相變化記憶體(MLC-PCM)結構設置於尖錐狀結構上，以及一第二電極設置於該多位階相變化記憶體結構上。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

stephen.chung@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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通孔結構、記憶體陣列、三維電阻式記憶體與其形成方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9,257,641 \| 專利期間起: 105/02/09 \| 專利期間訖: 123/09/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: FREDERICK T. CHEN \| 吳岱原 \| 陳佑昇 \| 陳維恕 \| 辜佩儀 \| 林雨德 @ 技術司專利資料集
通孔結構、記憶體陣列、三維電阻式記憶體與其形成方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9257641 \| 專利期間起: 105/02/09 \| 專利期間訖: 123/09/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: FREDERICK T. CHEN \| 吳岱原 \| 陳佑昇 \| 陳維恕 \| 辜佩儀 \| 林雨德 @ 技術司專利資料集
電阻式隨機存取記憶體及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 100148956 \| 專利期間起: 104/05/01 \| 專利期間訖: 120/12/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| 吳岱原 \| 楊姍意 \| 陳鵬升 \| FREDERICK T. CHEN @ 技術司專利資料集
電阻式記憶元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I521674 \| 專利期間起: 105/06/21 \| 專利期間訖: 123/09/09 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| FREDERICK T. CHEN \| 楊姍意 \| 陳鵬升 @ 技術司專利資料集
二維碟盤狀相變化記憶體元件結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I284389 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕陳頤承王文翰許宏輝李乾銘卓言趙得勝李敏鴻 @ 技術司專利資料集
電阻式隨機存取記憶體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I458077 \| 專利期間起: 121/05/30 \| 專利期間訖: 一種電阻式隨機存取記憶體，包括第一電極、第二電極以及堆疊結構。堆疊結構位於第一電極與第二電極之間，其包括氮氧化鋯鉿層與氮氧化鋯層。此外，本申請還提出ㄧ種電阻式隨機存取記憶體的製造方法。 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| 吳岱原 \| FREDERICK T. CHEN \| 陳邦旭 @ 技術司專利資料集
電阻式記憶元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I433364 \| 專利期間起: 118/12/28 \| 專利期間訖: 一種電阻式記憶元件及其製造方法。於基底中形成多數個下電極。於基底上提供具有多數個杯狀電極的第一介電層，且各杯狀電極的底部與對應的下電極接觸。於基底上形成覆蓋杯狀電極所圍之部份面積的多數條第二介電層。於... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集
電阻式隨機存取記憶體元件及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I451608 \| 專利期間起: 120/05/16 \| 專利期間訖: 本發明揭示一種電阻式隨機存取記憶體元件及其製作方法，可形成於一上電極及一下電極之間，該記憶體元件包含：一電阻切換層，係以一第一半導體於該下電極上形成一預設的圖案，該第一半導體包含一第一氧化物且具有多個... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集

通孔結構、記憶體陣列、三維電阻式記憶體與其形成方法

用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610058803.8 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,397,584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8397584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610071485.9 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 \| 林志昇 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,577,017 \| 專利期間起: 98/08/18 \| 專利期間訖: 115/10/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,646,635 \| 專利期間起: 99/01/12 \| 專利期間訖: 117/08/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330844 \| 專利期間起: 1999/9/21 \| 專利期間訖: 116/05/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343574 \| 專利期間起: 100/06/11 \| 專利期間訖: 115/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集

高性能白金觸媒之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 193328 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 陳永松 \| 翁炳志 \| 莊明志 \| 溫啟明 \| 陳文德
高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196134 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 張錫邦 \| 鄒正德 \| 李鴻飛
含磷化合物及其難燃應用	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195040 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄 \| 江孟丹 \| 劉英麟
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196459 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄 \| 黃興材 \| 張德全 \| 王國平 \| 洪耀勳
複材管件結構改良	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M 248593 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 莫文偉 \| 卓錫樑 \| 王正煥 \| 孫士璋 \| 葛光祥 \| 黃鼎貴
具傾角之疊瓦式複合材料管件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 201585 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 盧志勤 \| 章俊文 \| 林進龍 \| 黃茂益
耐高溫微波複合材料之強化方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206626 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 翁炳志 \| 吳宗明 \| 趙樹漢 \| 黃金堂
ACIDIC FLUORINE-CONTAINING POLY(SILOXANE AMIDEIMIDE) SILICA HYBRIDS	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US 6815519 B2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄 \| 黃興材 \| 張德全 \| 王國平 \| 洪耀勳
含多孔導波管之複材厚板結構與製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 221114號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 林永崑 \| 莊毓蕙 \| 李昌崙 \| 李錦坤 \| 柯正忠 \| 陳振航
多重複雜斷面之複材導波管及其製法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 224554號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 陳育德 \| 林永崑 \| 莊毓蕙 \| 施宗仁 \| 陳振航
纖維強化塑膠管件之改良結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 新型第M 251105號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 葛光祥 \| 王正煥 \| 萬瑞華 \| 葉勝雄 \| 陳浩明 \| 林治舜
具斜角之疊瓦式複合材料管件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 201585號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 章俊文 \| 黃茂益 \| 林進龍 \| 盧志勤
金屬濺鍍靶材的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第182793號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 李滄曉 \| 陳俊雄 \| 葉建宏 \| 陳李賀 \| 趙勤孝 \| 陳虹樺
含有微量鈧之塊狀鋯基非晶質合金鑄造	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197724號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭榮瑞 \| 林於隆 \| 陳俊雄 \| 許華夫 \| 葉建宏 \| 張忠柄
鎳錸合金電鑄液組成物	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第223010號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 吳憲明 \| 黃建和 \| 許文榮 \| 詹忠榮

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