ACIDIC FLUORINE-CONTAINING POLY(SILOXANE AMIDEIMIDE) SILICA HYBRIDS
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文ACIDIC FLUORINE-CONTAINING POLY(SILOXANE AMIDEIMIDE) SILICA HYBRIDS的核准國家是美國, 執行單位是中科院化學所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是關鍵元件材料開發及應用四年計畫, 專利發明人是邱義雄,黃興材,張德全,王國平,洪耀勳, 證書號碼是US 6815519 B2.

序號	315
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	ACIDIC FLUORINE-CONTAINING POLY(SILOXANE AMIDEIMIDE) SILICA HYBRIDS
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	關鍵元件材料開發及應用四年計畫
專利發明人	邱義雄,黃興材,張德全,王國平,洪耀勳
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	US 6815519 B2
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	The present invention discloses an acidic fluorinecontaining hybrid having a uniform dibtribution of an organic and an inorganic components prepared by a sol-gel process. The organic component is a fluorinecontaining poly(siloxane amideimide) having a good processing ability , gas permeability .The inorganic component is silica having good heat resistance and moisture resistance . The hybrid has excellant properties , such as a good film formation property , a high gas selectivity , a low dielectric constant , a good resistance to scraping , and a good transparency, etc., and can be used in making industrail products , such as gas detection films, sensors, encapsulation material, photoelectrical communication material, and biomedical material, etc.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	周進義
電話	03-4458328
傳真	(空)
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

315

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

ACIDIC FLUORINE-CONTAINING POLY(SILOXANE AMIDEIMIDE) SILICA HYBRIDS

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

關鍵元件材料開發及應用四年計畫

專利發明人

邱義雄,黃興材,張德全,王國平,洪耀勳

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

US 6815519 B2

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

The present invention discloses an acidic fluorinecontaining hybrid having a uniform dibtribution of an organic and an inorganic components prepared by a sol-gel process. The organic component is a fluorinecontaining poly(siloxane amideimide) having a good processing ability , gas permeability .The inorganic component is silica having good heat resistance and moisture resistance . The hybrid has excellant properties , such as a good film formation property , a high gas selectivity , a low dielectric constant , a good resistance to scraping , and a good transparency, etc., and can be used in making industrail products , such as gas detection films, sensors, encapsulation material, photoelectrical communication material, and biomedical material, etc.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

周進義

電話

03-4458328

傳真

(空)

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

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# 03-4458328 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	435
產出年度	93
技術名稱-中文	酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	關鍵元件材料開發及應用四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本發明揭示一種酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物，以溶膠-凝膠法合成此有機-無機分布均勻之材料，其主要結合有機成分 (含氟聚(醯胺亞醯胺) )之良好加工性、透氣性、機械性及化學安定性及無機成分(矽石)之良好耐熱和耐溼特性，合成一種可展現有機-無機互補性質的混成材料，且於結構中引入矽氧烷基及含氟羥基等功能性官能基以提升材料性質，本材料擁有良好成膜性、高氣體選擇比、低介電常數、耐刮及透明性佳等優點，可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。
技術成熟度	雛型
可應用範圍	可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。
潛力預估	有賴技術推廣
聯絡人員	周進義
電話	03-4458328
傳真	03-4458233
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	一般化工設備
需具備之專業人才	化工人才

序號: 435

產出年度: 93

技術名稱-中文: 酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所

產出單位: (空)

計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 本發明揭示一種酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物，以溶膠-凝膠法合成此有機-無機分布均勻之材料，其主要結合有機成分 (含氟聚(醯胺亞醯胺) )之良好加工性、透氣性、機械性及化學安定性及無機成分(矽石)之良好耐熱和耐溼特性，合成一種可展現有機-無機互補性質的混成材料，且於結構中引入矽氧烷基及含氟羥基等功能性官能基以提升材料性質，本材料擁有良好成膜性、高氣體選擇比、低介電常數、耐刮及透明性佳等優點，可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。

潛力預估: 有賴技術推廣

聯絡人員: 周進義

電話: 03-4458328

傳真: 03-4458233

電子信箱: (空)

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 一般化工設備

需具備之專業人才: 化工人才

# 03-4458328 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號	309
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	關鍵元件材料開發及應用四年計畫
專利發明人	張錫邦 ,鄒正德 ,李鴻飛
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	196134
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物，對無機系遇熱膨脹型耐燃劑而言，可膨脹性石墨由於售價較昂且其燃燒後所形成之碳化層較為鬆散，因此尚需借助其他方式來強化其碳化層結構強度，而矽酸鹽類其優點為價廉、製程容易及無污染，具有高膨脹壓力且燃燒所生成之Char結構強度極為優異，但卻有抗水性普遍不佳之缺點。本發明以提升矽酸鹽中之B/Na莫耳比率並兼顧其遇熱膨脹倍率之方式，來改進其抗水性。因此具有優異抗水特性，可做為功能添加劑，加入其他膠合劑(Binder)中，做成各式耐燃材料。依本發明製作之遇熱膨脹型耐燃劑或其製品，其抗水性及使用壽命較一般類似商品可增加1倍以上，甚具產業利用價值。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	周進義
電話	03-4458328
傳真	(空)
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號: 309

產出年度: 93

領域別: (空)

專利名稱-中文: 高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物

執行單位: 中科院化學所

產出單位: (空)

計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫

專利發明人: 張錫邦 ,鄒正德 ,李鴻飛

核准國家: 中華民國

獲證日期: (空)

證書號碼: 196134

專利期間起: (空)

專利期間訖: (空)

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明係高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物，對無機系遇熱膨脹型耐燃劑而言，可膨脹性石墨由於售價較昂且其燃燒後所形成之碳化層較為鬆散，因此尚需借助其他方式來強化其碳化層結構強度，而矽酸鹽類其優點為價廉、製程容易及無污染，具有高膨脹壓力且燃燒所生成之Char結構強度極為優異，但卻有抗水性普遍不佳之缺點。本發明以提升矽酸鹽中之B/Na莫耳比率並兼顧其遇熱膨脹倍率之方式，來改進其抗水性。因此具有優異抗水特性，可做為功能添加劑，加入其他膠合劑(Binder)中，做成各式耐燃材料。依本發明製作之遇熱膨脹型耐燃劑或其製品，其抗水性及使用壽命較一般類似商品可增加1倍以上，甚具產業利用價值。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 周進義

電話: 03-4458328

傳真: (空)

電子信箱: (空)

參考網址: (空)

備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形: (空)

# 03-4458328 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號	310
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	含磷化合物及其難燃應用
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	關鍵元件材料開發及應用四年計畫
專利發明人	邱義雄,江孟丹,劉英麟
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	195040
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明揭示一種新型的含磷化合物，所發明之含磷化合物具有新穎化學結構及優良之耐熱性，且具有官能基可作為含磷聚合體之合成單體及各種有機材料之耐燃劑
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	周進義
電話	03-4458328
傳真	(空)
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號: 310

產出年度: 93

領域別: (空)

專利名稱-中文: 含磷化合物及其難燃應用

執行單位: 中科院化學所

產出單位: (空)

計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫

專利發明人: 邱義雄,江孟丹,劉英麟

核准國家: 中華民國

獲證日期: (空)

證書號碼: 195040

專利期間起: (空)

專利期間訖: (空)

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明揭示一種新型的含磷化合物，所發明之含磷化合物具有新穎化學結構及優良之耐熱性，且具有官能基可作為含磷聚合體之合成單體及各種有機材料之耐燃劑

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 周進義

電話: 03-4458328

傳真: (空)

電子信箱: (空)

參考網址: (空)

備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形: (空)

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可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 \| 證書號碼: 190469
可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 \| 證書號碼: 6680755
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 3522705
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 190470
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 6778161
矽單晶液晶顯示器及製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 莊立聖 \| 證書號碼: 6721027
簡易式塊狀彈性體的製程方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 盧思維, 盧明, 林志榮 \| 證書號碼: 6605525
蝕刻玻璃面板之裝置及方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 \| 證書號碼: 6673195
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 \| 證書號碼: 184692
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 \| 證書號碼: 6714268
具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 \| 證書號碼: 191581
具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 \| 證書號碼: 6677189
薄膜電晶體面板的製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 李啟聖, 張鈞傑 \| 證書號碼: 6713328
增快液晶顯示器應答速度之驅動系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 廖明俊, 徐正池 \| 證書號碼: 200112
可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 李明林, 徐欽山 \| 證書號碼: 6683469

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序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

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傳真

電子信箱

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備註

特殊情形

同步更新日期

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