一種尋邊裝置結構改良
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文一種尋邊裝置結構改良的核准國家是中華民國, 證書號碼是M478561, 專利期間起是112/12/23, 專利期間訖是一種尋邊裝置結構改良, 專利性質是新型, 執行單位是中科院飛彈火箭研究所, 產出年度是103, 計畫名稱是CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫, 專利發明人是徐滄銘、高德威、陳燦桐、潘文玨、李人傑.

序號	14545
產出年度	103
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	一種尋邊裝置結構改良
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	中科院飛彈火箭研究所
計畫名稱	CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人	徐滄銘 \| 高德威 \| 陳燦桐 \| 潘文玨 \| 李人傑
核准國家	中華民國
獲證日期	103/05/21
證書號碼	M478561
專利期間起	112/12/23
專利期間訖	一種尋邊裝置結構改良
專利性質	新型
技術摘要-中文	一種尋邊裝置結構改良
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#356460
傳真	03-4713318
電子信箱	zevy6934@yahoo.com.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

14545

產出年度

103

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

一種尋邊裝置結構改良

執行單位

中科院飛彈火箭研究所

產出單位

中科院飛彈火箭研究所

計畫名稱

CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫

專利發明人

徐滄銘 | 高德威 | 陳燦桐 | 潘文玨 | 李人傑

核准國家

中華民國

獲證日期

103/05/21

證書號碼

M478561

專利期間起

112/12/23

專利期間訖

一種尋邊裝置結構改良

專利性質

新型

技術摘要-中文

一種尋邊裝置結構改良

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

潘文玨

電話

03-4712201#356460

傳真

03-4713318

電子信箱

zevy6934@yahoo.com.tw

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用於玻璃基板之硒化製程設備	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I523963 \| 專利期間起: 105/03/01 \| 專利期間訖: 123/12/09 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 \| 專利發明人: 潘文玨 \| 徐滄銘 \| 韋士珊 \| 陳燦桐 \| 李人傑 @ 技術司專利資料集
液滴滴下時之重量即時量測方法及其裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I328113 \| 專利期間起: 1999/8/1 \| 專利期間訖: 115/12/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 潘文玨 \| 賴哲雄 \| 范陽鑑 \| 郭豐河 \| 黃啟芳 \| 方健維 @ 技術司專利資料集
軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.5μm以下。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
輻射式快速熱處理技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 熱處理溫度≧800 ℃、加熱速率≧10℃/s、加熱溫度均勻度±1%、底材：玻璃。 \| 潛力預估: 薄膜太陽能板製程設備。 @ 技術司可移轉技術資料集
軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.0μm以下。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.0μm以下。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
CIGS太陽電池真空線性蒸鍍技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 卷軸CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術蒸鍍溫度穩定度可達1400±1℃，卷軸速率20cm±1cm。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
CIGS太陽電池真空線性蒸鍍模組開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 卷軸CIGS採用DSMC分析技術精確計算銅銦鎵硒不同元素，於動態鍍膜狀態下組成率及厚度分佈的均勻性，並因而獲致較佳之噴嘴設計型態，其均勻度可達大面積下之非均勻性小於±5%。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集

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具有強健性與應用彈性之口語理解方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明197228 \| 專利期間起: 38028 \| 專利期間訖: 44781 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 \| 專利發明人: 林伯慎 \| 吳盈璋 \| 李琳山
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根據常識樹狀標示法計算概念相似度之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 204708 \| 專利期間起: 38139 \| 專利期間訖: 44918 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 謝文泰 \| 周世俊
超文件標示語言格式表格之轉換裝置及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198948 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 張履平 \| 蔣岳霖 \| 陳文鋕
以本體論為基礎之知識圖形系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198664 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 施信德
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網路服務推薦系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198827 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 施信德 \| 陳文鋕
網路服務檢索與叢集系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 194252 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 廖炳堯 \| 施信德 \| 喻瀚寬
音訊/視訊的檢索資料庫之建立方法及歌曲檢索系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220483 \| 專利期間起: 38220 \| 專利期間訖: 44850 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 \| 專利發明人: 吳宗德 \| 賴志群

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序號

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領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

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獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

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