P型氧化鋅薄膜的製作方法
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專利名稱-中文P型氧化鋅薄膜的製作方法的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是103, 專利性質是發明, 計畫名稱是高階稀有綠能材料應用研究發展計畫, 專利發明人是魏肇男、薄慧雲、吳振名、曹鈞涵、陳世偉、楊東翰, 證書號碼是發明第I447820號.

序號14581
產出年度103
領域別綠能科技
專利名稱-中文P型氧化鋅薄膜的製作方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
專利發明人魏肇男、薄慧雲、吳振名、曹鈞涵、陳世偉、楊東翰
核准國家中華民國
獲證日期103/08/01
證書號碼發明第I447820號
專利期間起119/12/26
專利期間訖本發明係一種P型氧化鋅薄膜的製作方法，其特點係同時使用含鋅、鋁、鎂之氧化物靶材及鋅金屬靶材，利用磁控射頻濺鍍裝置，鍍製氣氛為氬氣與氮氣混合氣體，直接鍍製成P型氧化鋅薄膜，可有效減少製程的繁複性與提升其薄膜電性性質。 詳細說明 本發明有關於一種P型氧化鋅薄膜的製作方法，利用此方法可以簡單的製程製備出不同於傳統n型的P型氧化鋅薄膜，且可提升薄膜之電性性質。 氧化鋅是一種化合物半導體，於室溫下之導帶與價帶間能隙高達3.37 eV，是極具潛力的藍光、紫外光、白光等短波長光電元件材料。另一種化合物半導體氮化鎵，也具有極高的能隙值3.4eV，由於氧化鋅亦同時具備有極高的激發子束縛能60 meV，及較簡易的製作方式，因此氧化鋅的製作方式越來越受重視。
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係一種P型氧化鋅薄膜的製作方法，其特點係同時使用含鋅、鋁、鎂之氧化物靶材及鋅金屬靶材，利用磁控射頻濺鍍裝置，鍍製氣氛為氬氣與氮氣混合氣體，直接鍍製成P型氧化鋅薄膜，可有效減少製程的繁複性與提升其薄膜電性性質。 詳細說明 本發明有關於一種P型氧化鋅薄膜的製作方法，利用此方法可以簡單的製程製備出不同於傳統n型的P型氧化鋅薄膜，且可提升薄膜之電性性質。 氧化鋅是一種化合物半導體，於室溫下之導帶與價帶間能隙高達3.37 eV，是極具潛力的藍光、紫外光、白光等短波長光電元件材料。另一種化合物半導體氮化鎵，也具有極高的能隙值3.4eV，由於氧化鋅亦同時具備有極高的激發子束縛能60 meV，及較簡易的製作方式，因此氧化鋅的製作方式越來越受重視。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員魏肇男
電話03-4712201#357047
傳真03-4714368
電子信箱kungcarothers@gmail.com
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

14581

產出年度

103

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

P型氧化鋅薄膜的製作方法

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

中科院材料暨光電研究所

計畫名稱

高階稀有綠能材料應用研究發展計畫

專利發明人

魏肇男、薄慧雲、吳振名、曹鈞涵、陳世偉、楊東翰

核准國家

中華民國

獲證日期

103/08/01

證書號碼

發明第I447820號

專利期間起

119/12/26

專利期間訖

本發明係一種P型氧化鋅薄膜的製作方法，其特點係同時使用含鋅、鋁、鎂之氧化物靶材及鋅金屬靶材，利用磁控射頻濺鍍裝置，鍍製氣氛為氬氣與氮氣混合氣體，直接鍍製成P型氧化鋅薄膜，可有效減少製程的繁複性與提升其薄膜電性性質。 詳細說明 本發明有關於一種P型氧化鋅薄膜的製作方法，利用此方法可以簡單的製程製備出不同於傳統n型的P型氧化鋅薄膜，且可提升薄膜之電性性質。 氧化鋅是一種化合物半導體，於室溫下之導帶與價帶間能隙高達3.37 eV，是極具潛力的藍光、紫外光、白光等短波長光電元件材料。另一種化合物半導體氮化鎵，也具有極高的能隙值3.4eV，由於氧化鋅亦同時具備有極高的激發子束縛能60 meV，及較簡易的製作方式，因此氧化鋅的製作方式越來越受重視。

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係一種P型氧化鋅薄膜的製作方法，其特點係同時使用含鋅、鋁、鎂之氧化物靶材及鋅金屬靶材，利用磁控射頻濺鍍裝置，鍍製氣氛為氬氣與氮氣混合氣體，直接鍍製成P型氧化鋅薄膜，可有效減少製程的繁複性與提升其薄膜電性性質。 詳細說明 本發明有關於一種P型氧化鋅薄膜的製作方法，利用此方法可以簡單的製程製備出不同於傳統n型的P型氧化鋅薄膜，且可提升薄膜之電性性質。 氧化鋅是一種化合物半導體，於室溫下之導帶與價帶間能隙高達3.37 eV，是極具潛力的藍光、紫外光、白光等短波長光電元件材料。另一種化合物半導體氮化鎵，也具有極高的能隙值3.4eV，由於氧化鋅亦同時具備有極高的激發子束縛能60 meV，及較簡易的製作方式，因此氧化鋅的製作方式越來越受重視。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

魏肇男

電話

03-4712201#357047

傳真

03-4714368

電子信箱

kungcarothers@gmail.com

參考網址

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特殊情形

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# 03-4712201 357047 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號10751
產出年度101
領域別機械運輸
專利名稱-中文一種具核殼結構擴散粒子
執行單位中科院材料所
產出單位中科院五所
計畫名稱綠色產業用金屬材料應用研究發展計畫
專利發明人施修正
核准國家中華民國
獲證日期101/07/21
證書號碼I368569
專利期間起101/07/21
專利期間訖116/03/02
專利性質發明
技術摘要-中文本發明之擴散粒子，係結合有機與無機的核殼(core-shell)多層微珠結構，來改善並提昇現有擴散膜(板)中有機及無機高分子微珠擴散劑的功能，本結構不但提昇擴散粒子之擴散效應，同時也強化其熱安定性及幾何安定性。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳彥仲
電話03-4712201-357047
傳真03-4714368
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 10751
產出年度: 101
領域別: 機械運輸
專利名稱-中文: 一種具核殼結構擴散粒子
執行單位: 中科院材料所
產出單位: 中科院五所
計畫名稱: 綠色產業用金屬材料應用研究發展計畫
專利發明人: 施修正
核准國家: 中華民國
獲證日期: 101/07/21
證書號碼: I368569
專利期間起: 101/07/21
專利期間訖: 116/03/02
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明之擴散粒子，係結合有機與無機的核殼(core-shell)多層微珠結構，來改善並提昇現有擴散膜(板)中有機及無機高分子微珠擴散劑的功能，本結構不但提昇擴散粒子之擴散效應，同時也強化其熱安定性及幾何安定性。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳彥仲
電話: 03-4712201-357047
傳真: 03-4714368
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201 357047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號5370
產出年度100
技術名稱-中文鍍膜材料製程技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱綠色產業用金屬材料應用研究發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成CIGS薄膜太陽能元件用鍍膜材料及製程技術開發
技術現況敘述-英文(空)
技術規格靶材尺寸：φ6inch、相對密度≧98%、純度≧3N5、晶粒尺寸≦50μm。
技術成熟度量產
可應用範圍CIGS太陽能元件。
潛力預估預估產值超過2億元。
聯絡人員魏肇男
電話03-4712201-357047
傳真03-4714368
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備熱壓設備
需具備之專業人才材料研究、真空熔煉、粉末冶金相關背景。
序號: 5370
產出年度: 100
技術名稱-中文: 鍍膜材料製程技術
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 綠色產業用金屬材料應用研究發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 完成CIGS薄膜太陽能元件用鍍膜材料及製程技術開發
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 靶材尺寸：φ6inch、相對密度≧98%、純度≧3N5、晶粒尺寸≦50μm。
技術成熟度: 量產
可應用範圍: CIGS太陽能元件。
潛力預估: 預估產值超過2億元。
聯絡人員: 魏肇男
電話: 03-4712201-357047
傳真: 03-4714368
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備: 熱壓設備
需具備之專業人才: 材料研究、真空熔煉、粉末冶金相關背景。

# 03-4712201 357047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號8408
產出年度105
技術名稱-中文高強度高爾夫球打擊面板技術開發
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位(空)
計畫名稱高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術改良既有高強度鋼板及鈦合金等材料技術，開發輕質高硬度及強度合金材。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格硬度46~55 HRC、抗拉強度＞2000MPa、降伏強度＞1860MPa、伸長率＞5%。
技術成熟度試量產
可應用範圍高強度高爾夫球打擊面板技術，具高硬度及強度能應用於高爾夫球打擊面板。
潛力預估提升相關上游材料產業之自主性及競爭力，為配合產業相關產品之性能提升，促進國內傳統產業之轉型及升級，改良既有高強度鋼板及鈦合金等材料技術，開發輕質高硬度及強度合金材，降低對國外材料之依賴，提高關鍵材料自主性及產業競爭力。
聯絡人員魏肇男
電話03-4712201# 357047
傳真03-4714368
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx
所須軟硬體設備真空熔煉、真空精煉相關設備。
需具備之專業人才材料相關研發工程師
序號: 8408
產出年度: 105
技術名稱-中文: 高強度高爾夫球打擊面板技術開發
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術改良既有高強度鋼板及鈦合金等材料技術，開發輕質高硬度及強度合金材。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 硬度46~55 HRC、抗拉強度＞2000MPa、降伏強度＞1860MPa、伸長率＞5%。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 高強度高爾夫球打擊面板技術，具高硬度及強度能應用於高爾夫球打擊面板。
潛力預估: 提升相關上游材料產業之自主性及競爭力，為配合產業相關產品之性能提升，促進國內傳統產業之轉型及升級，改良既有高強度鋼板及鈦合金等材料技術，開發輕質高硬度及強度合金材，降低對國外材料之依賴，提高關鍵材料自主性及產業競爭力。
聯絡人員: 魏肇男
電話: 03-4712201# 357047
傳真: 03-4714368
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx
所須軟硬體設備: 真空熔煉、真空精煉相關設備。
需具備之專業人才: 材料相關研發工程師

# 03-4712201 357047 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號8413
產出年度105
技術名稱-中文鈷鉻合金及鈦合金熔煉化性再現性驗證與其特性研究
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位(空)
計畫名稱高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文生醫級高純鈷鉻合金及鈦合金熔煉製程技術開發。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格主成分分別符合ASTM F75及ASTM F3001-14規範，鈷鉻合金鑄錠30-40Kg、鈦合金鑄錠10-15Kg。
技術成熟度試量產
可應用範圍生醫級高純鈷鉻合金及鈦合金材料可應用於人工關節及頭蓋骨等醫療用途。
潛力預估國際上將「粉床式金屬粉末熔融積層製造技術」，使用於整型外科、義肢、關節、牙齒之應用最為廣泛，國際上己有廠商使用雷射積層製造應用於量產及客製化醫材，包含：骨科、牙科、義肢用合金材料最為合適。 本計畫電子束、真空感應及真空電弧等熔煉/精煉製程技術，極適合進行生醫級高清淨合金材料開發。
聯絡人員魏肇男
電話03-4712201# 357047
傳真03-4714368
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx
所須軟硬體設備電子束熔煉、真空熔煉、真空精煉相關設備。
需具備之專業人才材料相關研發工程師
序號: 8413
產出年度: 105
技術名稱-中文: 鈷鉻合金及鈦合金熔煉化性再現性驗證與其特性研究
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 生醫級高純鈷鉻合金及鈦合金熔煉製程技術開發。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 主成分分別符合ASTM F75及ASTM F3001-14規範，鈷鉻合金鑄錠30-40Kg、鈦合金鑄錠10-15Kg。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 生醫級高純鈷鉻合金及鈦合金材料可應用於人工關節及頭蓋骨等醫療用途。
潛力預估: 國際上將「粉床式金屬粉末熔融積層製造技術」，使用於整型外科、義肢、關節、牙齒之應用最為廣泛，國際上己有廠商使用雷射積層製造應用於量產及客製化醫材，包含：骨科、牙科、義肢用合金材料最為合適。 本計畫電子束、真空感應及真空電弧等熔煉/精煉製程技術，極適合進行生醫級高清淨合金材料開發。
聯絡人員: 魏肇男
電話: 03-4712201# 357047
傳真: 03-4714368
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: http://www.ncsist.org.tw/csistdup/main/Default.aspx
所須軟硬體設備: 電子束熔煉、真空熔煉、真空精煉相關設備。
需具備之專業人才: 材料相關研發工程師

# 03-4712201 357047 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號16628
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文尖晶石鎳鈷氧化物靶材之製造方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
專利發明人魏肇男、薄慧雲、伍員鵬、倪國裕、方冠榮
核准國家中華民國
獲證日期104/03/11
證書號碼發明第I476291號
專利期間起104/03/11
專利期間訖121/12/16
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係為一種尖晶石鎳鈷氧化物靶材之製造方法，係藉由尖晶石鎳鈷氧化物(NiCo2O4)添加鹼金屬離子，係藉由鹼金屬離子之助熔特性，改善靶材的緻密性，因此添加鹼金屬離子，可達到靶材燒結緻密性的提升效果，製備出高緻密化之靶材材料。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員魏肇男
電話03-4712201轉357047
傳真03-4714368
電子信箱kungcarothers@gmail.com
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16628
產出年度: 104
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 尖晶石鎳鈷氧化物靶材之製造方法
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
專利發明人: 魏肇男、薄慧雲、伍員鵬、倪國裕、方冠榮
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/03/11
證書號碼: 發明第I476291號
專利期間起: 104/03/11
專利期間訖: 121/12/16
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係為一種尖晶石鎳鈷氧化物靶材之製造方法，係藉由尖晶石鎳鈷氧化物(NiCo2O4)添加鹼金屬離子，係藉由鹼金屬離子之助熔特性，改善靶材的緻密性，因此添加鹼金屬離子，可達到靶材燒結緻密性的提升效果，製備出高緻密化之靶材材料。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 魏肇男
電話: 03-4712201轉357047
傳真: 03-4714368
電子信箱: kungcarothers@gmail.com
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201 357047 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號16631
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文球微影蝕刻玻璃基材的方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
專利發明人魏肇男、薄慧雲、方冠榮、蔡孟宏
核准國家中華民國
獲證日期104/07/01
證書號碼發明第I491053號
專利期間起104/07/01
專利期間訖119/12/02
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係一種球微影蝕刻玻璃基材的方法，包含以下步驟：提供一玻璃基板；於該玻璃基板上形成複數作為阻擋層之球體；對該玻璃基板及阻擋層進行反應離子蝕刻；以及將該蝕刻後之玻璃基板進行鍍膜，藉以提高光散射程度，及降低光的反射率，進而提升太陽能電池的效率。詳細說明本發明是有關於一種以球微影蝕刻玻璃基材的方法，此玻璃基材可應用於太陽能電池，增加光進入元件的散射，及降低光的反射，進而提升太陽能電池效率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員魏肇男
電話03-4712201轉357047
傳真03-4714368
電子信箱kungcarothers@gmail.com
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16631
產出年度: 104
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 球微影蝕刻玻璃基材的方法
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
專利發明人: 魏肇男、薄慧雲、方冠榮、蔡孟宏
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/07/01
證書號碼: 發明第I491053號
專利期間起: 104/07/01
專利期間訖: 119/12/02
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係一種球微影蝕刻玻璃基材的方法，包含以下步驟：提供一玻璃基板；於該玻璃基板上形成複數作為阻擋層之球體；對該玻璃基板及阻擋層進行反應離子蝕刻；以及將該蝕刻後之玻璃基板進行鍍膜，藉以提高光散射程度，及降低光的反射率，進而提升太陽能電池的效率。詳細說明本發明是有關於一種以球微影蝕刻玻璃基材的方法，此玻璃基材可應用於太陽能電池，增加光進入元件的散射，及降低光的反射，進而提升太陽能電池效率。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 魏肇男
電話: 03-4712201轉357047
傳真: 03-4714368
電子信箱: kungcarothers@gmail.com
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201 357047 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號18505
產出年度105
領域別綠能科技
專利名稱-中文鐵酸鉍薄膜太陽能電池及其製造方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
專利發明人魏肇男、薄慧雲、林佳詩、倪國裕、吳振名
核准國家中華民國
獲證日期105/06/01
證書號碼發明第I536598 號
專利期間起105/06/01
專利期間訖123/11/06
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種鐵酸鉍薄膜太陽能電池及其製造方法，係透過摻雜鋅元素來控制鐵酸鉍薄膜中Fe2+缺陷的數量，透過降低薄膜內的Fe2+缺陷數量，有效提升閉路電流密度及光電轉換效率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員魏肇男
電話03-4712201轉357047
傳真03-4714368
電子信箱chaonancs@gmail.com
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 18505
產出年度: 105
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 鐵酸鉍薄膜太陽能電池及其製造方法
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
專利發明人: 魏肇男、薄慧雲、林佳詩、倪國裕、吳振名
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/06/01
證書號碼: 發明第I536598 號
專利期間起: 105/06/01
專利期間訖: 123/11/06
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係提供一種鐵酸鉍薄膜太陽能電池及其製造方法，係透過摻雜鋅元素來控制鐵酸鉍薄膜中Fe2+缺陷的數量，透過降低薄膜內的Fe2+缺陷數量，有效提升閉路電流密度及光電轉換效率。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 魏肇男
電話: 03-4712201轉357047
傳真: 03-4714368
電子信箱: chaonancs@gmail.com
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核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 | 證書號碼: 197219

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文, 蔡晴翔, 吳清沂 | 證書號碼: 200381

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 206462

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 6806929

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥, 范榮昌, 劉君愷 | 證書號碼: 220733

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰, 劉君愷, 周意工 | 證書號碼: 6808323

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧威華, 呂芳俊 | 證書號碼: 190623

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 盧思維, 樓百堯 | 證書號碼: 184711

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 202493

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強, 吳得群, 郭遠峰, 黃士豪 | 證書號碼: 6682311

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 184703

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 6617264

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 | 證書號碼: 191653

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 | 證書號碼: 6663278

接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂 | 證書號碼: 200260

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 | 證書號碼: 197219

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文, 蔡晴翔, 吳清沂 | 證書號碼: 200381

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 206462

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 6806929

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥, 范榮昌, 劉君愷 | 證書號碼: 220733

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰, 劉君愷, 周意工 | 證書號碼: 6808323

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧威華, 呂芳俊 | 證書號碼: 190623

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 盧思維, 樓百堯 | 證書號碼: 184711

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 202493

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強, 吳得群, 郭遠峰, 黃士豪 | 證書號碼: 6682311

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 184703

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 6617264

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 | 證書號碼: 191653

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝 | 證書號碼: 6663278

接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂 | 證書號碼: 200260

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