多維度微型致動裝置
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專利名稱-中文多維度微型致動裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是103, 專利性質是發明, 計畫名稱是CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫, 專利發明人是李大青 ; 江建德 ; 蔡品羣 ; 鄭宇舜 ; 沈聖智, 證書號碼是I428548.

序號14583
產出年度103
領域別綠能科技
專利名稱-中文多維度微型致動裝置
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人李大青 ; 江建德 ; 蔡品羣 ; 鄭宇舜 ; 沈聖智
核准國家中華民國
獲證日期103/03/01
證書號碼I428548
專利期間起119/12/23
專利期間訖本發明係為一種多維度微型致動裝置,使用一滑動平板式結構設計一雙軸陣列同步作動機構,該結構組成之驅動元件為一對稱型壓電致動器、x、y軸活動元件及一固定架,透過壓電致動器整合二種振動模態作為驅動方式,並利用切換對稱型壓電元件不同電極表面驅動電壓,俾使微型致動裝置產生不同的振動模態,推動活動元件帶動半圓球體產生同步作動,達到多維度作動之目的。
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係為一種多維度微型致動裝置,使用一滑動平板式結構設計一雙軸陣列同步作動機構,該結構組成之驅動元件為一對稱型壓電致動器、x、y軸活動元件及一固定架,透過壓電致動器整合二種振動模態作為驅動方式,並利用切換對稱型壓電元件不同電極表面驅動電壓,俾使微型致動裝置產生不同的振動模態,推動活動元件帶動半圓球體產生同步作動,達到多維度作動之目的。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李大青
電話03-4712201-357324
傳真03-4711024
電子信箱csist.suntek@gmail.com
參考網址http://001A569D0005010100000000000100A00000003E000000000
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

14583

產出年度

103

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

多維度微型致動裝置

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

中科院材料暨光電研究所

計畫名稱

CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫

專利發明人

李大青 ; 江建德 ; 蔡品羣 ; 鄭宇舜 ; 沈聖智

核准國家

中華民國

獲證日期

103/03/01

證書號碼

I428548

專利期間起

119/12/23

專利期間訖

本發明係為一種多維度微型致動裝置,使用一滑動平板式結構設計一雙軸陣列同步作動機構,該結構組成之驅動元件為一對稱型壓電致動器、x、y軸活動元件及一固定架,透過壓電致動器整合二種振動模態作為驅動方式,並利用切換對稱型壓電元件不同電極表面驅動電壓,俾使微型致動裝置產生不同的振動模態,推動活動元件帶動半圓球體產生同步作動,達到多維度作動之目的。

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係為一種多維度微型致動裝置,使用一滑動平板式結構設計一雙軸陣列同步作動機構,該結構組成之驅動元件為一對稱型壓電致動器、x、y軸活動元件及一固定架,透過壓電致動器整合二種振動模態作為驅動方式,並利用切換對稱型壓電元件不同電極表面驅動電壓,俾使微型致動裝置產生不同的振動模態,推動活動元件帶動半圓球體產生同步作動,達到多維度作動之目的。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李大青

電話

03-4712201-357324

傳真

03-4711024

電子信箱

csist.suntek@gmail.com

參考網址

http://001A569D0005010100000000000100A00000003E000000000

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特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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序號14582
產出年度103
領域別綠能科技
專利名稱-中文一種高效率之太陽能電池結構
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人李大青 ; 季法文
核准國家中華民國
獲證日期103/02/01
證書號碼I425644
專利期間起117/08/31
專利期間訖本發明為有關於高效率之太陽能電池結構,於太陽能電池結構吸光面設有一透明導電層及一絕緣層,利用通入一外加脈衝式偏壓於該透明導電層,改變該第二半導體層與該絕緣層之間之載子濃度分佈及能帶區,以提高該能帶區吸收太陽光子所產生之複數載子之運動,進而提升該太陽能電池結構的光電轉換效率。
專利性質發明
技術摘要-中文本發明為有關於高效率之太陽能電池結構,於太陽能電池結構吸光面設有一透明導電層及一絕緣層,利用通入一外加脈衝式偏壓於該透明導電層,改變該第二半導體層與該絕緣層之間之載子濃度分佈及能帶區,以提高該能帶區吸收太陽光子所產生之複數載子之運動,進而提升該太陽能電池結構的光電轉換效率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李大青
電話03-4712201-357324
傳真03-4711024
電子信箱csist.suntek@gmail.com
參考網址http://twpat-simple.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?00BFD3270004020100000000000100A00000003E000000000^__
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 14582
產出年度: 103
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 一種高效率之太陽能電池結構
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人: 李大青 ; 季法文
核准國家: 中華民國
獲證日期: 103/02/01
證書號碼: I425644
專利期間起: 117/08/31
專利期間訖: 本發明為有關於高效率之太陽能電池結構,於太陽能電池結構吸光面設有一透明導電層及一絕緣層,利用通入一外加脈衝式偏壓於該透明導電層,改變該第二半導體層與該絕緣層之間之載子濃度分佈及能帶區,以提高該能帶區吸收太陽光子所產生之複數載子之運動,進而提升該太陽能電池結構的光電轉換效率。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明為有關於高效率之太陽能電池結構,於太陽能電池結構吸光面設有一透明導電層及一絕緣層,利用通入一外加脈衝式偏壓於該透明導電層,改變該第二半導體層與該絕緣層之間之載子濃度分佈及能帶區,以提高該能帶區吸收太陽光子所產生之複數載子之運動,進而提升該太陽能電池結構的光電轉換效率。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李大青
電話: 03-4712201-357324
傳真: 03-4711024
電子信箱: csist.suntek@gmail.com
參考網址: http://twpat-simple.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?00BFD3270004020100000000000100A00000003E000000000^__
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電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 198717

自組裝奈米導電凸塊及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 汪若蕙, 陳裕華 | 證書號碼: 200159

貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 李啟聖, 黃順發, 張榮芳, 許財源, 胡文智, 王亮棠 | 證書號碼: 200277

動態影像灰階檢測方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊 | 證書號碼: 200272

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 6757189

改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 江欣峻, 何璨佑, 許家榮 | 證書號碼: 189045

多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 莊世瑋, 鍾震桂, 陳仲竹 | 證書號碼: 189620

低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 莊世瑋, 陳仲竹 | 證書號碼: 196530

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 | 證書號碼: 206597

靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 | 證書號碼: 198717

自組裝奈米導電凸塊及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 汪若蕙, 陳裕華 | 證書號碼: 200159

貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 李啟聖, 黃順發, 張榮芳, 許財源, 胡文智, 王亮棠 | 證書號碼: 200277

動態影像灰階檢測方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊 | 證書號碼: 200272

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