製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是王珽玉 ,陳建勳 ,杜政勳 ,貢中元, 證書號碼是I489647.

序號15903
產出年度104
領域別服務創新
專利名稱-中文製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院綠能所
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人王珽玉 ,陳建勳 ,杜政勳 ,貢中元
核准國家中華民國
獲證日期104/06/26
證書號碼I489647
專利期間起104/06/21
專利期間訖122/01/10
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
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備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

15903

產出年度

104

領域別

服務創新

專利名稱-中文

製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院綠能所

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

王珽玉 ,陳建勳 ,杜政勳 ,貢中元

核准國家

中華民國

獲證日期

104/06/26

證書號碼

I489647

專利期間起

104/06/21

專利期間訖

122/01/10

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。

技術摘要-英文

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李露蘋

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# 製作具有織化表面之半導體層之方法 製作太陽能電池之方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號13425
產出年度103
領域別服務創新
專利名稱-中文製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院綠能所
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人王珽玉 ,陳建勳 ,杜政勳 ,貢中元
核准國家美國
獲證日期102/12/17
證書號碼8609456
專利期間起121/09/08
專利期間訖本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
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序號: 13425
產出年度: 103
領域別: 服務創新
專利名稱-中文: 製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院綠能所
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 王珽玉 ,陳建勳 ,杜政勳 ,貢中元
核准國家: 美國
獲證日期: 102/12/17
證書號碼: 8609456
專利期間起: 121/09/08
專利期間訖: 本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
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# 製作具有織化表面之半導體層之方法 製作太陽能電池之方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號13444
產出年度103
領域別服務創新
專利名稱-中文製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院綠能所
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人王珽玉 ,陳建勳 ,杜政勳 ,貢中元
核准國家美國
獲證日期103/11/25
證書號碼8895347
專利期間起121/09/10
專利期間訖本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
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序號: 13444
產出年度: 103
領域別: 服務創新
專利名稱-中文: 製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院綠能所
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 王珽玉 ,陳建勳 ,杜政勳 ,貢中元
核准國家: 美國
獲證日期: 103/11/25
證書號碼: 8895347
專利期間起: 121/09/10
專利期間訖: 本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
技術摘要-英文: (空)
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# 製作具有織化表面之半導體層之方法 製作太陽能電池之方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號17554
產出年度105
領域別服務創新
專利名稱-中文制作具有織化表面的半導體層的方法、製作太陽能電池的方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院綠能所
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人王珽玉 ,陳建勳 ,杜政勳 ,貢中元
核准國家中國大陸
獲證日期105/04/01
證書號碼ZL201210104020.4
專利期間起105/03/09
專利期間訖121/04/08
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
技術摘要-英文(空)
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序號: 17554
產出年度: 105
領域別: 服務創新
專利名稱-中文: 制作具有織化表面的半導體層的方法、製作太陽能電池的方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院綠能所
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 王珽玉 ,陳建勳 ,杜政勳 ,貢中元
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 105/04/01
證書號碼: ZL201210104020.4
專利期間起: 105/03/09
專利期間訖: 121/04/08
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種製作具有織化表面之半導體層之方法與製作太陽能電池之方法,前者包括以下步驟:(a)提供圖案化基板;(b)形成至少一半導體層於圖案化基板之上;(c)形成金屬層於半導體層之上;以及(d)對圖案化基板與其上述各層進行熱處理製程,以將半導體層轉印到金屬層之上並移除圖案化基板,以得到具有織化(textured)表面之半導體層。
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號11993
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文揚聲器單體結構
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人陳明道 ,劉昌和 ,
核准國家中國大陸
獲證日期102/03/11
證書號碼ZL200810211084.8
專利期間起102/01/23
專利期間訖117/08/19
專利性質發明
技術摘要-中文一種具備輕、薄、可撓曲等特性的音腔結構,運用在揚聲器單體結構上,其為在一音腔基材上設計相當的支撐體組成。而此支撐體的製程可為製作於音腔基材上、或者製作於振膜電極上,而支撐體可以採取與音腔電極或振膜電極有黏著或不黏著的兩種設計方式,或者先行製作支撐體完成後再置入振膜電極與音腔基材間。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
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特殊情形(空)
序號: 11993
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 揚聲器單體結構
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 ,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 102/03/11
證書號碼: ZL200810211084.8
專利期間起: 102/01/23
專利期間訖: 117/08/19
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種具備輕、薄、可撓曲等特性的音腔結構,運用在揚聲器單體結構上,其為在一音腔基材上設計相當的支撐體組成。而此支撐體的製程可為製作於音腔基材上、或者製作於振膜電極上,而支撐體可以採取與音腔電極或振膜電極有黏著或不黏著的兩種設計方式,或者先行製作支撐體完成後再置入振膜電極與音腔基材間。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號11997
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文晶圓級模封接合結構及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民
核准國家美國
獲證日期102/03/27
證書號碼8,384,215
專利期間起102/02/26
專利期間訖120/06/30
專利性質發明
技術摘要-中文一種晶圓級的模封接合結構,在多個實施例其中的一個結構中,包含至少一上晶片與一下晶片以及置於其間的黏著材料。上晶片包含晶背、晶面和多個晶側,晶面上有多個電極。下晶片包含晶背及晶面,其上面分別有多個晶背凸塊和晶面凸塊。下晶片中包含多個貫穿電極,分別電性導通上述晶背凸塊和晶面凸塊。黏著材料包含高分子膠材,在一實施例中包含例如多個導電顆粒,或更包含非導電顆粒,以達成多個電極和上述晶背凸塊的電性導通,並同時完全包覆上晶片之晶側。
技術摘要-英文(空)
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特殊情形(空)
序號: 11997
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 晶圓級模封接合結構及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民
核准國家: 美國
獲證日期: 102/03/27
證書號碼: 8,384,215
專利期間起: 102/02/26
專利期間訖: 120/06/30
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種晶圓級的模封接合結構,在多個實施例其中的一個結構中,包含至少一上晶片與一下晶片以及置於其間的黏著材料。上晶片包含晶背、晶面和多個晶側,晶面上有多個電極。下晶片包含晶背及晶面,其上面分別有多個晶背凸塊和晶面凸塊。下晶片中包含多個貫穿電極,分別電性導通上述晶背凸塊和晶面凸塊。黏著材料包含高分子膠材,在一實施例中包含例如多個導電顆粒,或更包含非導電顆粒,以達成多個電極和上述晶背凸塊的電性導通,並同時完全包覆上晶片之晶側。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號11999
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文感測裝置及其掃描驅動方法
執行單位工研院南分院
產出單位工研院南分院
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人沈煜棠 ,葉紹興
核准國家美國
獲證日期102/05/27
證書號碼8,416,213
專利期間起102/04/09
專利期間訖120/03/17
專利性質發明
技術摘要-中文一種感測裝置及其掃描驅動方法。感測裝置包括第一電極、第二電極、感測元件陣列、第一電極掃描驅動電路、第二電極掃描驅動電路及控制電路。感測元件陣列係位於第一電極與第二電極之間,並於被施力觸摸後輸出至少一第一感測電壓。第一電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第一電極,其中,被驅動之第一電極被設定為高準位輸出狀態,而未被驅動之第一電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。第二電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第二電極,其中,被驅動之第二電極呈現為高阻抗輸入狀態,而未被驅動之第二電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。控制電路用以控制第一電極掃描驅動電路及第二電極掃描驅動電路。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 11999
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 感測裝置及其掃描驅動方法
執行單位: 工研院南分院
產出單位: 工研院南分院
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興
核准國家: 美國
獲證日期: 102/05/27
證書號碼: 8,416,213
專利期間起: 102/04/09
專利期間訖: 120/03/17
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種感測裝置及其掃描驅動方法。感測裝置包括第一電極、第二電極、感測元件陣列、第一電極掃描驅動電路、第二電極掃描驅動電路及控制電路。感測元件陣列係位於第一電極與第二電極之間,並於被施力觸摸後輸出至少一第一感測電壓。第一電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第一電極,其中,被驅動之第一電極被設定為高準位輸出狀態,而未被驅動之第一電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。第二電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第二電極,其中,被驅動之第二電極呈現為高阻抗輸入狀態,而未被驅動之第二電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。控制電路用以控制第一電極掃描驅動電路及第二電極掃描驅動電路。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號12001
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文揚聲器單體結構
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人劉昌和 ,陳明道
核准國家中國大陸
獲證日期102/05/14
證書號碼ZL200710184913.3
專利期間起102/03/20
專利期間訖116/10/28
專利性質發明
技術摘要-中文在此提出一種揚聲器單體結構,包括單一駐極體振膜結構、具多個開孔的單一金屬電極與邊框支撐體所組成。此駐極體振膜結構在一例子中是由駐極體振膜層、極薄金屬薄膜電極以及絕緣層堆疊而成,其中此極薄金屬薄膜電極位於駐極體振膜層以及絕緣層之間。在另一例子中,駐極體振膜結構是由駐極體振膜層與具有氧化導電材料的導電電極層所組成。而邊框支撐體位於駐極體振膜結構與金屬電極之間,形成用以作為駐極體振膜結構振動之空間,以產生聲音。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12001
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 揚聲器單體結構
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 劉昌和 ,陳明道
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 102/05/14
證書號碼: ZL200710184913.3
專利期間起: 102/03/20
專利期間訖: 116/10/28
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 在此提出一種揚聲器單體結構,包括單一駐極體振膜結構、具多個開孔的單一金屬電極與邊框支撐體所組成。此駐極體振膜結構在一例子中是由駐極體振膜層、極薄金屬薄膜電極以及絕緣層堆疊而成,其中此極薄金屬薄膜電極位於駐極體振膜層以及絕緣層之間。在另一例子中,駐極體振膜結構是由駐極體振膜層與具有氧化導電材料的導電電極層所組成。而邊框支撐體位於駐極體振膜結構與金屬電極之間,形成用以作為駐極體振膜結構振動之空間,以產生聲音。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
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傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號12009
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人劉昌和 ,陳明道
核准國家中國大陸
獲證日期102/05/27
證書號碼ZL200910202828.4
專利期間起102/04/03
專利期間訖118/05/25
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置,是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性,將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層,用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12009
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 劉昌和 ,陳明道
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 102/05/27
證書號碼: ZL200910202828.4
專利期間起: 102/04/03
專利期間訖: 118/05/25
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置,是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性,將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層,用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號12010
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人劉昌和 ,陳明道
核准國家美國
獲證日期102/04/10
證書號碼8,391,520
專利期間起102/03/05
專利期間訖120/12/15
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置,是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性,將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層,用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
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特殊情形(空)
序號: 12010
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 劉昌和 ,陳明道
核准國家: 美國
獲證日期: 102/04/10
證書號碼: 8,391,520
專利期間起: 102/03/05
專利期間訖: 120/12/15
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置,是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性,將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層,用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號12021
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文照明裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人黃承揚 ,許詔開
核准國家中華民國
獲證日期102/07/30
證書號碼I402456
專利期間起102/07/21
專利期間訖119/03/16
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種照明裝置,包括一連接盤、一軟性照明元件、複數個懸臂以及一傳動模組。複數個懸臂呈放射狀排列,其中每一懸臂之一端以可旋轉的方式設置於連接盤中,另一端則與軟性照明元件連接,傳動模組與懸臂連接,並趨使懸臂旋轉以使軟性照明元件變形。或者是,一距離形成於軟性照明元件以及連接盤之間,並藉由改變此距離而使軟性照明元件變形。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12021
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 照明裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 黃承揚 ,許詔開
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/07/30
證書號碼: I402456
專利期間起: 102/07/21
專利期間訖: 119/03/16
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種照明裝置,包括一連接盤、一軟性照明元件、複數個懸臂以及一傳動模組。複數個懸臂呈放射狀排列,其中每一懸臂之一端以可旋轉的方式設置於連接盤中,另一端則與軟性照明元件連接,傳動模組與懸臂連接,並趨使懸臂旋轉以使軟性照明元件變形。或者是,一距離形成於軟性照明元件以及連接盤之間,並藉由改變此距離而使軟性照明元件變形。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號15264
產出年度104
領域別民生福祉
專利名稱-中文Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same
執行單位工研院生醫所
產出單位工研院生醫所
計畫名稱智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫
專利發明人謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐
核准國家美國
獲證日期104/03/11
證書號碼8,940,333
專利期間起104/01/27
專利期間訖116/05/11
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種兩性團聯共聚高分子,包括一或多個親水性高分子、一或多個疏水性高分子以及一或多個兩性分子。本發明另提供一種包含此兩性團聯共聚高分子之奈米微粒及載體,用以傳輸脂溶性藥物、生長因子、基因或化妝品。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露頻
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 15264
產出年度: 104
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same
執行單位: 工研院生醫所
產出單位: 工研院生醫所
計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫
專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐
核准國家: 美國
獲證日期: 104/03/11
證書號碼: 8,940,333
專利期間起: 104/01/27
專利期間訖: 116/05/11
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種兩性團聯共聚高分子,包括一或多個親水性高分子、一或多個疏水性高分子以及一或多個兩性分子。本發明另提供一種包含此兩性團聯共聚高分子之奈米微粒及載體,用以傳輸脂溶性藥物、生長因子、基因或化妝品。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露頻
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: (空)
特殊情形: (空)
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與製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 朱良謙, 張志吉 | 證書號碼: ZL00108097.0

可調整的鏡群裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 涂銀發, 姜皇成, 陳志文, 張耿智 | 證書號碼: 195758

雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林明慧, 劉通發 | 證書號碼: 201010

環場影像接圖器及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝君偉, 江政欽, 魏德樂 | 證書號碼: 6,798,923

取紙傳動模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林智堅, 陳英棋, 鄭兆凱, 張惠珍 | 證書號碼: 215325

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟 | 證書號碼: ZL98106298.9

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: ZL98116196.0

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: 19914700

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文, 吳義勇, 胡鴻烈, 李明玲 | 證書號碼: ZL98115179.5

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平, 吳義勇, 藍元亮, 賴怡絢, 王惠芳 | 證書號碼: ZL98118397.2

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興, 吳義勇, 鄭陳煜, 邱紹玲, 徐享楨 | 證書號碼: ZL98124126.3

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超 | 證書號碼: ZL00100896.X

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL00100897.8

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: 189849

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文 | 證書號碼: ZL00100898.6

聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 朱良謙, 張志吉 | 證書號碼: ZL00108097.0

可調整的鏡群裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 涂銀發, 姜皇成, 陳志文, 張耿智 | 證書號碼: 195758

雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林明慧, 劉通發 | 證書號碼: 201010

環場影像接圖器及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝君偉, 江政欽, 魏德樂 | 證書號碼: 6,798,923

取紙傳動模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林智堅, 陳英棋, 鄭兆凱, 張惠珍 | 證書號碼: 215325

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟 | 證書號碼: ZL98106298.9

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: ZL98116196.0

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: 19914700

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文, 吳義勇, 胡鴻烈, 李明玲 | 證書號碼: ZL98115179.5

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平, 吳義勇, 藍元亮, 賴怡絢, 王惠芳 | 證書號碼: ZL98118397.2

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興, 吳義勇, 鄭陳煜, 邱紹玲, 徐享楨 | 證書號碼: ZL98124126.3

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超 | 證書號碼: ZL00100896.X

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL00100897.8

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: 189849

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文 | 證書號碼: ZL00100898.6

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