堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法
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專利名稱-中文堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I475623, 專利期間起是104/03/01, 專利期間訖是120/12/26, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是104, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 專利發明人是陳裕華.

序號16416
產出年度104
領域別智慧科技
專利名稱-中文堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人陳裕華
核准國家中華民國
獲證日期104/04/07
證書號碼I475623
專利期間起104/03/01
專利期間訖120/12/26
專利性質發明
技術摘要-中文一種堆疊式半導體結構的接合結構,包括至少一接合構件。接合構件包括基板、凸塊、銲墊、矽或玻璃通孔、聚合物層、第一保護層及第二保護層。基板中具有貫穿孔。凸塊蓋住貫穿孔的一端。銲墊設置於凸塊朝向貫穿孔的一側上。矽或玻璃通孔共形地設置於貫穿孔的側壁上與銲墊上,且部分延伸至位於貫穿孔的另一端的基板的表面上。聚合物層設置於矽或玻璃通孔上並填滿貫穿孔,且暴露出位於上述表面上的矽或玻璃通孔。第一保護層設置於凸塊與基板之間。第二保護層設置於矽或玻璃通孔與基板之間。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

16416

產出年度

104

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

專利發明人

陳裕華

核准國家

中華民國

獲證日期

104/04/07

證書號碼

I475623

專利期間起

104/03/01

專利期間訖

120/12/26

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種堆疊式半導體結構的接合結構,包括至少一接合構件。接合構件包括基板、凸塊、銲墊、矽或玻璃通孔、聚合物層、第一保護層及第二保護層。基板中具有貫穿孔。凸塊蓋住貫穿孔的一端。銲墊設置於凸塊朝向貫穿孔的一側上。矽或玻璃通孔共形地設置於貫穿孔的側壁上與銲墊上,且部分延伸至位於貫穿孔的另一端的基板的表面上。聚合物層設置於矽或玻璃通孔上並填滿貫穿孔,且暴露出位於上述表面上的矽或玻璃通孔。第一保護層設置於凸塊與基板之間。第二保護層設置於矽或玻璃通孔與基板之間。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳玲君

電話

03-5913792

傳真

03-5917690

電子信箱

KellyChen@itri.org.tw

參考網址

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備註

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特殊情形

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導電顆粒植佈方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I239574 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳有志 | 汪若蕙 | 陳裕華

@ 技術司專利資料集

電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I250629 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

@ 技術司專利資料集

導電顆粒植佈方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳有志 汪若蕙 陳裕華

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電子元件安裝及安裝方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200510004652.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,632,707 | 專利期間起: 98/12/15 | 專利期間訖: 116/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,838,333 | 專利期間起: 99/11/23 | 專利期間訖: 114/11/08 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7632707 | 專利期間起: 1998/12/15 | 專利期間訖: 116/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7838333 | 專利期間起: 1999/11/23 | 專利期間訖: 114/11/08 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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導電顆粒植佈方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I239574 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳有志 | 汪若蕙 | 陳裕華

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電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I250629 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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導電顆粒植佈方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳有志 汪若蕙 陳裕華

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電子元件安裝及安裝方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200510004652.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,632,707 | 專利期間起: 98/12/15 | 專利期間訖: 116/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,838,333 | 專利期間起: 99/11/23 | 專利期間訖: 114/11/08 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7632707 | 專利期間起: 1998/12/15 | 專利期間訖: 116/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

@ 技術司專利資料集

電子元件構裝及構裝方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7838333 | 專利期間起: 1999/11/23 | 專利期間訖: 114/11/08 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 陳守龍 | 蕭景文 | 陳裕華 | 柯正達 | 林志榮

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晶片堆疊結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 13/912,207 | 專利期間起: 104/04/21 | 專利期間訖: 122/12/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 劉昌熾 | 余迅 | 陳鵬書 | 吳仕先

@ 技術司專利資料集

電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 9,385,314 | 專利期間起: 105/02/09 | 專利期間訖: 119/12/14 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李亨元 | 辜佩儀 | 陳佑昇

@ 技術司專利資料集

變容器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I518864 | 專利期間起: 105/01/20 | 專利期間訖: 120/12/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李思翰 | 曾珮玲 | 林哲輝 | 林志昇

@ 技術司專利資料集

電阻式記憶體裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 9,378,785 | 專利期間起: 105/03/21 | 專利期間訖: 123/01/13 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 林志和 | 李思翰 | 林文斌 | 許世玄

@ 技術司專利資料集

半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I515866 | 專利期間起: 105/02/01 | 專利期間訖: 123/05/22 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 曾珮玲 | 蘇耿立 | 林志昇 | 許世玄

@ 技術司專利資料集

電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 9385314 | 專利期間起: 105/02/09 | 專利期間訖: 119/12/14 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李亨元 | 辜佩儀 | 陳佑昇

@ 技術司專利資料集

電阻式記憶體裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 9378785 | 專利期間起: 105/03/21 | 專利期間訖: 123/01/13 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 林志和 | 李思翰 | 林文斌 | 許世玄

@ 技術司專利資料集

Backside TSV製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal. | 潛力預估: 減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊

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晶片堆疊結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 13/912,207 | 專利期間起: 104/04/21 | 專利期間訖: 122/12/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 劉昌熾 | 余迅 | 陳鵬書 | 吳仕先

@ 技術司專利資料集

電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 9,385,314 | 專利期間起: 105/02/09 | 專利期間訖: 119/12/14 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李亨元 | 辜佩儀 | 陳佑昇

@ 技術司專利資料集

變容器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I518864 | 專利期間起: 105/01/20 | 專利期間訖: 120/12/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李思翰 | 曾珮玲 | 林哲輝 | 林志昇

@ 技術司專利資料集

電阻式記憶體裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 9,378,785 | 專利期間起: 105/03/21 | 專利期間訖: 123/01/13 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 林志和 | 李思翰 | 林文斌 | 許世玄

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半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I515866 | 專利期間起: 105/02/01 | 專利期間訖: 123/05/22 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 曾珮玲 | 蘇耿立 | 林志昇 | 許世玄

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電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 9385314 | 專利期間起: 105/02/09 | 專利期間訖: 119/12/14 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李亨元 | 辜佩儀 | 陳佑昇

@ 技術司專利資料集

電阻式記憶體裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 9378785 | 專利期間起: 105/03/21 | 專利期間訖: 123/01/13 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 林志和 | 李思翰 | 林文斌 | 許世玄

@ 技術司專利資料集

Backside TSV製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal. | 潛力預估: 減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊

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姓名 陳裕華 找到的公司登記或商業登記

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公司地址負責人統一編號狀態

彰化縣彰化市向陽街99巷49弄39號1樓
陳裕華94218488核准設立

彰化縣彰化市向陽街99巷49弄39號1樓
陳裕華94218699核准設立

臺北市中正區懷寧街64號7樓
陳裕華24538874解散 (核准解散日期: 2024-10-24)

臺北市文山區木柵路3段85號3樓
陳裕華42611600核准設立

臺中市東區精武路25號
陳裕華42881358核准設立

高雄市鳳山區新強路37號12樓
陳裕華47650052廢止 - 獨資

彰化縣彰化市阿夷里金馬路一段509號
陳裕華53137700核准設立

臺北市信義區基隆路1段155號7樓
陳裕華53538727核准設立

登記地址: 彰化縣彰化市向陽街99巷49弄39號1樓 | 負責人: 陳裕華 | 統編: 94218488 | 核准設立

登記地址: 彰化縣彰化市向陽街99巷49弄39號1樓 | 負責人: 陳裕華 | 統編: 94218699 | 核准設立

登記地址: 臺北市中正區懷寧街64號7樓 | 負責人: 陳裕華 | 統編: 24538874 | 解散 (核准解散日期: 2024-10-24)

登記地址: 臺北市文山區木柵路3段85號3樓 | 負責人: 陳裕華 | 統編: 42611600 | 核准設立

登記地址: 臺中市東區精武路25號 | 負責人: 陳裕華 | 統編: 42881358 | 核准設立

登記地址: 高雄市鳳山區新強路37號12樓 | 負責人: 陳裕華 | 統編: 47650052 | 廢止 - 獨資

登記地址: 彰化縣彰化市阿夷里金馬路一段509號 | 負責人: 陳裕華 | 統編: 53137700 | 核准設立

登記地址: 臺北市信義區基隆路1段155號7樓 | 負責人: 陳裕華 | 統編: 53538727 | 核准設立

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光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6808323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰 | 劉君愷 | 周意工

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190623 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維 | 盧威華 | 呂芳俊

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184711 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊 | 盧思維 | 樓百堯

具有主動控制之可調式場發射顯示器

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氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6682311 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強 | 吳得群 | 郭遠峰 | 黃士豪

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184703 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6617264 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191653 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663278 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200260 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊學安 | 李正中 | 蕭名君 | 黃榮堂

形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692983 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強 | 莊景桑 | 張鈞傑

可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥 | 王文通 | 戴遠東 | 林炯暐 | 陳麒麟 | 廖宗能 | 李啟聖

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220265 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚 | 鄭華琦 | 許志榮 | 趙慶勳 | 陳光中

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6769945 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚 | 鄭華琦 | 許志榮 | 趙慶勳 | 陳光中

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206590 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 | 李正中 | 許志榮 | 張悠揚 | 何家充 | 王右武

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6808323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰 | 劉君愷 | 周意工

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190623 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維 | 盧威華 | 呂芳俊

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184711 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊 | 盧思維 | 樓百堯

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202493 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武 | 李鈞道 | 李正中

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6682311 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強 | 吳得群 | 郭遠峰 | 黃士豪

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184703 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6617264 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君 | 蘇凱農 | 李正中 | 林鵬 | 陳三元

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191653 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663278 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑 | 曾明溪 | 柯文旺 | 王志耀 | 陳宜孝

接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200260 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊學安 | 李正中 | 蕭名君 | 黃榮堂

形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692983 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強 | 莊景桑 | 張鈞傑

可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥 | 王文通 | 戴遠東 | 林炯暐 | 陳麒麟 | 廖宗能 | 李啟聖

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220265 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚 | 鄭華琦 | 許志榮 | 趙慶勳 | 陳光中

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6769945 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚 | 鄭華琦 | 許志榮 | 趙慶勳 | 陳光中

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206590 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 | 李正中 | 許志榮 | 張悠揚 | 何家充 | 王右武

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