變容器
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文變容器的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電光系統所, 產出年度是105, 專利性質是發明, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 專利發明人是李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇, 證書號碼是I518864.

序號18296
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文變容器
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇
核准國家中華民國
獲證日期105/03/29
證書號碼I518864
專利期間起105/01/20
專利期間訖120/12/12
專利性質發明
技術摘要-中文一種變容器。一基底具有第一表面與第二表面以及位於上述基底之第一開口以及第二開口。一導電材料填充於上述第一與第二開口，以分別形成一第一晶圓穿孔以及一第二晶圓穿孔。一第一電容耦接於上述第一晶圓穿孔以及一第一端點之間。一第二電容耦接於上述第二晶圓穿孔以及一第二端點之間。上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔之間之一空乏區電容的電容值係由施加於上述第一以及第二晶圓穿孔的一偏壓電壓所決定。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51010026TW
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

18296

產出年度

105

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

變容器

執行單位

工研院電光系統所

產出單位

工研院電光系統所

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

專利發明人

李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇

核准國家

中華民國

獲證日期

105/03/29

證書號碼

I518864

專利期間起

105/01/20

專利期間訖

120/12/12

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種變容器。一基底具有第一表面與第二表面以及位於上述基底之第一開口以及第二開口。一導電材料填充於上述第一與第二開口，以分別形成一第一晶圓穿孔以及一第二晶圓穿孔。一第一電容耦接於上述第一晶圓穿孔以及一第一端點之間。一第二電容耦接於上述第二晶圓穿孔以及一第二端點之間。上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔之間之一空乏區電容的電容值係由施加於上述第一以及第二晶圓穿孔的一偏壓電壓所決定。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳玲君

電話

03-5913792

傳真

03-5917690

電子信箱

KellyChen@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

P51010026TW

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 變容器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號8360
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文數位控制變容器、數位控制振盪器和全數位鎖相回路
執行單位工研院資通所
產出單位工研院資通所
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人黃弘一,劉仁傑,朱元華,
核准國家美國
獲證日期100/01/17
證書號碼7,859,343
專利期間起99/12/28
專利期間訖118/06/09
專利性質發明
技術摘要-中文一種數位控制振盪器（DCO），包括：脈衝產生器，在觸發信號邊緣處產生脈衝信號；以及至少一個延遲電路，以延遲脈衝產生器所產生的脈衝信號。脈衝產生器接收來自延遲電路的延遲後脈衝信號與致能信號之一作為觸發信號。一種數位控制變容器（DCV）包含：具有閘極、源極、汲極和基極的電晶體，其中所述閘極、所述源極、所述汲極和所述基極之至少一者接收兩個或多個電壓之一，其中兩個或多個電壓之至少一者不是電源電壓或接地電壓。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8360
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 數位控制變容器、數位控制振盪器和全數位鎖相回路
執行單位: 工研院資通所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人: 黃弘一,劉仁傑,朱元華,
核准國家: 美國
獲證日期: 100/01/17
證書號碼: 7,859,343
專利期間起: 99/12/28
專利期間訖: 118/06/09
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種數位控制振盪器（DCO），包括：脈衝產生器，在觸發信號邊緣處產生脈衝信號；以及至少一個延遲電路，以延遲脈衝產生器所產生的脈衝信號。脈衝產生器接收來自延遲電路的延遲後脈衝信號與致能信號之一作為觸發信號。一種數位控制變容器（DCV）包含：具有閘極、源極、汲極和基極的電晶體，其中所述閘極、所述源極、所述汲極和所述基極之至少一者接收兩個或多個電壓之一，其中兩個或多個電壓之至少一者不是電源電壓或接地電壓。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 變容器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號8365
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文數位控制變容器、數位控制振盪器和全數位鎖相回路
執行單位工研院資通所
產出單位工研院資通所
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人黃弘一,劉仁傑,朱元華,
核准國家中華民國
獲證日期100/01/17
證書號碼I348276
專利期間起99/12/28
專利期間訖118/06/09
專利性質發明
技術摘要-中文一種數位控制振盪器（DCO），包括：脈衝產生器，在觸發信號邊緣處產生脈衝信號；以及至少一個延遲電路，以延遲脈衝產生器所產生的脈衝信號。脈衝產生器接收來自延遲電路的延遲後脈衝信號與致能信號之一作為觸發信號。一種數位控制變容器（DCV）包含：具有閘極、源極、汲極和基極的電晶體，其中所述閘極、所述源極、所述汲極和所述基極之至少一者接收兩個或多個電壓之一，其中兩個或多個電壓之至少一者不是電源電壓或接地電壓。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8365
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 數位控制變容器、數位控制振盪器和全數位鎖相回路
執行單位: 工研院資通所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人: 黃弘一,劉仁傑,朱元華,
核准國家: 中華民國
獲證日期: 100/01/17
證書號碼: I348276
專利期間起: 99/12/28
專利期間訖: 118/06/09
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種數位控制振盪器（DCO），包括：脈衝產生器，在觸發信號邊緣處產生脈衝信號；以及至少一個延遲電路，以延遲脈衝產生器所產生的脈衝信號。脈衝產生器接收來自延遲電路的延遲後脈衝信號與致能信號之一作為觸發信號。一種數位控制變容器（DCV）包含：具有閘極、源極、汲極和基極的電晶體，其中所述閘極、所述源極、所述汲極和所述基極之至少一者接收兩個或多個電壓之一，其中兩個或多個電壓之至少一者不是電源電壓或接地電壓。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
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特殊情形: (空)

# 變容器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號16427
產出年度104
領域別智慧科技
專利名稱-中文矽穿孔元件之可變電容裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇
核准國家美國
獲證日期104/07/31
證書號碼9,076,771
專利期間起104/07/07
專利期間訖122/09/28
專利性質發明
技術摘要-中文一種變容器。一基底具有第一表面與第二表面以及位於上述基底之第一開口以及第二開口。一導電材料填充於上述第一與第二開口，以分別形成一第一晶圓穿孔以及一第二晶圓穿孔。一第一電容耦接於上述第一晶圓穿孔以及一第一端點之間。一第二電容耦接於上述第二晶圓穿孔以及一第二端點之間。上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔之間之一空乏區電容的電容值係由施加於上述第一以及第二晶圓穿孔的一偏壓電壓所決定。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16427
產出年度: 104
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 矽穿孔元件之可變電容裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇
核准國家: 美國
獲證日期: 104/07/31
證書號碼: 9,076,771
專利期間起: 104/07/07
專利期間訖: 122/09/28
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種變容器。一基底具有第一表面與第二表面以及位於上述基底之第一開口以及第二開口。一導電材料填充於上述第一與第二開口，以分別形成一第一晶圓穿孔以及一第二晶圓穿孔。一第一電容耦接於上述第一晶圓穿孔以及一第一端點之間。一第二電容耦接於上述第二晶圓穿孔以及一第二端點之間。上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔之間之一空乏區電容的電容值係由施加於上述第一以及第二晶圓穿孔的一偏壓電壓所決定。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 變容器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號2671
產出年度95
領域別(空)
專利名稱-中文具可自我校正及快速鎖頻功能之頻率合成器
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人蘇志欽、王照勳
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提出一具有快速鎖頻自我校正機制的頻率合成器已利用於無線數位通訊使用。此案的頻率合成器首先使用頻率鎖頻迴路來達到快速鎖頻以及自我校正的機制，然後使用相位鎖相迴路來達到較準確的相位鎖定。當頻率鎖頻迴路運作時，相位鎖相迴路會被數位邏輯和狀態控制器切斷，此時壓控震盪器的壓控變容器的控制電壓會被初始化接到一固定的直流偏壓。頻率鎖頻迴路透過數位邏輯和狀態控制器來控制壓控震盪器的五個位元數位控制電容組，直到頻率已經鎖定以及自我校正機制完成，則此時五個位元的數位控制將會被設定。接著，相位鎖相迴路會被啟動而進入微調和相位鎖定的模式。A frequency synthesizer for dual-band high frequency RF application. The frequency synthesizer first uses a frequency-locked loop circuit (“FLL”) to achieve self-calibration and frequency-locking, and then uses a phase-locked loop circuit (“PLL”) to achieve phase-locking. During the FLL, the PLL is de-activated by control signals from the digital control and state machine of the FLL. The varactor of the VCO is initially connected to a fixed voltage, thus isolating the varactor from the PLL. The FLL adjusts the VCO’s capacitor array by varying the five binary control bits from the state machine and digital control, until frequency-locking and self-calibration is achieved. Then, those five binary weighting control bits are also fixed for the VCO. The PLL is then activated to perform a fine-tuning and phase-locking loop, where the varactor of the VCO is controlled by the signal from the charge pump and the low-pass filter.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 2671
產出年度: 95
領域別: (空)
專利名稱-中文: 具可自我校正及快速鎖頻功能之頻率合成器
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 蘇志欽、王照勳
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: (空)
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提出一具有快速鎖頻自我校正機制的頻率合成器已利用於無線數位通訊使用。此案的頻率合成器首先使用頻率鎖頻迴路來達到快速鎖頻以及自我校正的機制，然後使用相位鎖相迴路來達到較準確的相位鎖定。當頻率鎖頻迴路運作時，相位鎖相迴路會被數位邏輯和狀態控制器切斷，此時壓控震盪器的壓控變容器的控制電壓會被初始化接到一固定的直流偏壓。頻率鎖頻迴路透過數位邏輯和狀態控制器來控制壓控震盪器的五個位元數位控制電容組，直到頻率已經鎖定以及自我校正機制完成，則此時五個位元的數位控制將會被設定。接著，相位鎖相迴路會被啟動而進入微調和相位鎖定的模式。A frequency synthesizer for dual-band high frequency RF application. The frequency synthesizer first uses a frequency-locked loop circuit (“FLL”) to achieve self-calibration and frequency-locking, and then uses a phase-locked loop circuit (“PLL”) to achieve phase-locking. During the FLL, the PLL is de-activated by control signals from the digital control and state machine of the FLL. The varactor of the VCO is initially connected to a fixed voltage, thus isolating the varactor from the PLL. The FLL adjusts the VCO’s capacitor array by varying the five binary control bits from the state machine and digital control, until frequency-locking and self-calibration is achieved. Then, those five binary weighting control bits are also fixed for the VCO. The PLL is then activated to perform a fine-tuning and phase-locking loop, where the varactor of the VCO is controlled by the signal from the charge pump and the low-pass filter.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 變容器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號3467
產出年度96
領域別(空)
專利名稱-中文具可自我校正及快速鎖頻功能之頻率合成器
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱無線多媒體系統晶片關鍵技術發展四年計畫
專利發明人蘇志欽 王照勳
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I281790
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提出一具有快速鎖頻自我校正機制的頻率合成器已利用於無線數位通訊使用。此案的頻率合成器首先使用頻率鎖頻迴路來達到快速鎖頻以及自我校正的機制，然後使用相位鎖相迴路來達到較準確的相位鎖定。當頻率鎖頻迴路運作時，相位鎖相迴路會被數位邏輯和狀態控制器切斷，此時壓控震盪器的壓控變容器的控制電壓會被初始化接到一固定的直流偏壓。頻率鎖頻迴路透過數位邏輯和狀態控制器來控制壓控震盪器的五個位元數位控制電容組，直到頻率已經鎖定以及自我校正機制完成，則此時五個位元的數位控制將會被設定。接著，相位鎖相迴路會被啟動而進入微調和相位鎖定的模式。_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 3467
產出年度: 96
領域別: (空)
專利名稱-中文: 具可自我校正及快速鎖頻功能之頻率合成器
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 無線多媒體系統晶片關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 蘇志欽 王照勳
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: I281790
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提出一具有快速鎖頻自我校正機制的頻率合成器已利用於無線數位通訊使用。此案的頻率合成器首先使用頻率鎖頻迴路來達到快速鎖頻以及自我校正的機制，然後使用相位鎖相迴路來達到較準確的相位鎖定。當頻率鎖頻迴路運作時，相位鎖相迴路會被數位邏輯和狀態控制器切斷，此時壓控震盪器的壓控變容器的控制電壓會被初始化接到一固定的直流偏壓。頻率鎖頻迴路透過數位邏輯和狀態控制器來控制壓控震盪器的五個位元數位控制電容組，直到頻率已經鎖定以及自我校正機制完成，則此時五個位元的數位控制將會被設定。接著，相位鎖相迴路會被啟動而進入微調和相位鎖定的模式。_x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 變容器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號10032
產出年度101
領域別電資通光
專利名稱-中文使用單緣觸發數位控制振盪器之全數位鎖相迴路
執行單位工研院資通所
產出單位工研院資通所
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人黃弘一,劉仁傑,朱元華
核准國家美國
獲證日期101/03/19
證書號碼8,125,286
專利期間起101/02/08
專利期間訖115/11/12
專利性質發明
技術摘要-中文一種數位控制振盪器（DCO），包括：脈衝產生器，在觸發信號邊緣處產生脈衝信號；以及至少一個延遲電路，以延遲脈衝產生器所產生的脈衝信號。脈衝產生器接收來自延遲電路的延遲後脈衝信號與致能信號之一作為觸發信號。一種數位控制變容器（DCV）包含：具有閘極、源極、汲極和基極的電晶體，其中所述閘極、所述源極、所述汲極和所述基極之至少一者接收兩個或多個電壓之一，其中兩個或多個電壓之至少一者不是電源電壓或接地電壓。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉倡明
電話03591-6301
傳真03582-0224
電子信箱liu@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 10032
產出年度: 101
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 使用單緣觸發數位控制振盪器之全數位鎖相迴路
執行單位: 工研院資通所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人: 黃弘一,劉仁傑,朱元華
核准國家: 美國
獲證日期: 101/03/19
證書號碼: 8,125,286
專利期間起: 101/02/08
專利期間訖: 115/11/12
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種數位控制振盪器（DCO），包括：脈衝產生器，在觸發信號邊緣處產生脈衝信號；以及至少一個延遲電路，以延遲脈衝產生器所產生的脈衝信號。脈衝產生器接收來自延遲電路的延遲後脈衝信號與致能信號之一作為觸發信號。一種數位控制變容器（DCV）包含：具有閘極、源極、汲極和基極的電晶體，其中所述閘極、所述源極、所述汲極和所述基極之至少一者接收兩個或多個電壓之一，其中兩個或多個電壓之至少一者不是電源電壓或接地電壓。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉倡明
電話: 03591-6301
傳真: 03582-0224
電子信箱: liu@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 變容器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號8366
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文數字控制振盪器和全數字鎖相環
執行單位工研院資通所
產出單位工研院資通所
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人黃弘一,劉仁傑,朱元華
核准國家中國大陸
獲證日期100/06/16
證書號碼ZL200710088558.X
專利期間起100/05/18
專利期間訖117/03/15
專利性質發明
技術摘要-中文（DCO），包括：脈衝產生器，在觸發信號邊緣處產生脈衝信號；以及至少一個延遲電路，以延遲脈衝產生器所產生的脈衝信號。脈衝產生器接收來自延遲電路的延遲後脈衝信號與致能信號之一作為觸發信號。一種數位控制變容器（DCV）包含：具有閘極、源極、汲極和基極的電晶體，其中所述閘極、所述源極、所述汲極和所述基極之至少一者接收兩個或多個電壓之一，其中兩個或多個電壓之至少一者不是電源電壓或接地電壓。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8366
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 數字控制振盪器和全數字鎖相環
執行單位: 工研院資通所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人: 黃弘一,劉仁傑,朱元華
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 100/06/16
證書號碼: ZL200710088558.X
專利期間起: 100/05/18
專利期間訖: 117/03/15
專利性質: 發明
技術摘要-中文: （DCO），包括：脈衝產生器，在觸發信號邊緣處產生脈衝信號；以及至少一個延遲電路，以延遲脈衝產生器所產生的脈衝信號。脈衝產生器接收來自延遲電路的延遲後脈衝信號與致能信號之一作為觸發信號。一種數位控制變容器（DCV）包含：具有閘極、源極、汲極和基極的電晶體，其中所述閘極、所述源極、所述汲極和所述基極之至少一者接收兩個或多個電壓之一，其中兩個或多個電壓之至少一者不是電源電壓或接地電壓。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)
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# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號16416
產出年度104
領域別智慧科技
專利名稱-中文堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人陳裕華
核准國家中華民國
獲證日期104/04/07
證書號碼I475623
專利期間起104/03/01
專利期間訖120/12/26
專利性質發明
技術摘要-中文一種堆疊式半導體結構的接合結構，包括至少一接合構件。接合構件包括基板、凸塊、銲墊、矽或玻璃通孔、聚合物層、第一保護層及第二保護層。基板中具有貫穿孔。凸塊蓋住貫穿孔的一端。銲墊設置於凸塊朝向貫穿孔的一側上。矽或玻璃通孔共形地設置於貫穿孔的側壁上與銲墊上，且部分延伸至位於貫穿孔的另一端的基板的表面上。聚合物層設置於矽或玻璃通孔上並填滿貫穿孔，且暴露出位於上述表面上的矽或玻璃通孔。第一保護層設置於凸塊與基板之間。第二保護層設置於矽或玻璃通孔與基板之間。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16416
產出年度: 104
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 陳裕華
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/04/07
證書號碼: I475623
專利期間起: 104/03/01
專利期間訖: 120/12/26
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種堆疊式半導體結構的接合結構，包括至少一接合構件。接合構件包括基板、凸塊、銲墊、矽或玻璃通孔、聚合物層、第一保護層及第二保護層。基板中具有貫穿孔。凸塊蓋住貫穿孔的一端。銲墊設置於凸塊朝向貫穿孔的一側上。矽或玻璃通孔共形地設置於貫穿孔的側壁上與銲墊上，且部分延伸至位於貫穿孔的另一端的基板的表面上。聚合物層設置於矽或玻璃通孔上並填滿貫穿孔，且暴露出位於上述表面上的矽或玻璃通孔。第一保護層設置於凸塊與基板之間。第二保護層設置於矽或玻璃通孔與基板之間。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號16419
產出年度104
領域別智慧科技
專利名稱-中文晶片堆疊結構
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人劉昌熾 ,余迅 ,陳鵬書 ,吳仕先
核准國家美國
獲證日期104/05/28
證書號碼13/912,207
專利期間起104/04/21
專利期間訖122/12/03
專利性質發明
技術摘要-中文一種晶片堆疊結構，包括多個微凸塊結構、多個第一基板、至少一第一間隙層、多個第二基板以及至少一第二間隙層。所述第一基板利用所述微凸塊結構之一部份彼此堆疊，並且各第一基板包括至少一第一重佈線層。第一間隙層位於所堆疊的第一基板之間。所述第二基板利用所述微凸塊結構之另一部份與所述第一基板至少其中之一堆疊，並且各第二基板包括至少一第二重佈線層。第二間隙層位於所堆疊的第一基板與第二基板之間。所述第一重佈線層、所述第二重佈線層以及所述微凸塊結構形成多個阻抗元件，並且所述阻抗元件提供一特定的振盪頻率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16419
產出年度: 104
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 晶片堆疊結構
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 劉昌熾 ,余迅 ,陳鵬書 ,吳仕先
核准國家: 美國
獲證日期: 104/05/28
證書號碼: 13/912,207
專利期間起: 104/04/21
專利期間訖: 122/12/03
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種晶片堆疊結構，包括多個微凸塊結構、多個第一基板、至少一第一間隙層、多個第二基板以及至少一第二間隙層。所述第一基板利用所述微凸塊結構之一部份彼此堆疊，並且各第一基板包括至少一第一重佈線層。第一間隙層位於所堆疊的第一基板之間。所述第二基板利用所述微凸塊結構之另一部份與所述第一基板至少其中之一堆疊，並且各第二基板包括至少一第二重佈線層。第二間隙層位於所堆疊的第一基板與第二基板之間。所述第一重佈線層、所述第二重佈線層以及所述微凸塊結構形成多個阻抗元件，並且所述阻抗元件提供一特定的振盪頻率。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
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特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號18294
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人李亨元 ,辜佩儀 ,陳佑昇
核准國家美國
獲證日期105/03/10
證書號碼9,385,314
專利期間起105/02/09
專利期間訖119/12/14
專利性質發明
技術摘要-中文一種電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法。所述方法包括形成第一電極。在第一電極上形成金屬氧化物層。在金屬氧化物層上形成電極緩衝疊層，其中電極緩衝疊層包括第一緩衝層以及第二緩衝層，第一緩衝層位於金屬氧化物層與第二緩衝層之間，第一緩衝層相對地不易與金屬氧化物層產生氧化反應，且第二緩衝層相對地容易與金屬氧化層產生氧化反應。在電極緩衝疊層上形成第二電極。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51000170USC1
特殊情形(空)
序號: 18294
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 李亨元 ,辜佩儀 ,陳佑昇
核准國家: 美國
獲證日期: 105/03/10
證書號碼: 9,385,314
專利期間起: 105/02/09
專利期間訖: 119/12/14
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法。所述方法包括形成第一電極。在第一電極上形成金屬氧化物層。在金屬氧化物層上形成電極緩衝疊層，其中電極緩衝疊層包括第一緩衝層以及第二緩衝層，第一緩衝層位於金屬氧化物層與第二緩衝層之間，第一緩衝層相對地不易與金屬氧化物層產生氧化反應，且第二緩衝層相對地容易與金屬氧化層產生氧化反應。在電極緩衝疊層上形成第二電極。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51000170USC1
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號18301
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文電阻式記憶體裝置
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄
核准國家美國
獲證日期105/04/12
證書號碼9,378,785
專利期間起105/03/21
專利期間訖123/01/13
專利性質發明
技術摘要-中文一種電阻式記憶體裝置，包括記憶體陣列、讀取電路、寫回邏輯電路以及寫回電路。讀取電路讀取一被選擇的記憶體單元內所儲存之資料，並產生第一控制信號。寫回邏輯電路根據第一控制信號與第二控制信號產生寫回控制信號。寫回電路根據寫回控制信號以及一寫回電壓對被選擇的記憶體單元執行寫回操作，使得被選擇的記憶體單元之一電阻狀態由一低電阻狀態轉換為一高電阻狀態，並且根據被選擇的記憶體單元之電阻狀態產生第二控制信號。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51010092US
特殊情形(空)
序號: 18301
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 電阻式記憶體裝置
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄
核准國家: 美國
獲證日期: 105/04/12
證書號碼: 9,378,785
專利期間起: 105/03/21
專利期間訖: 123/01/13
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種電阻式記憶體裝置，包括記憶體陣列、讀取電路、寫回邏輯電路以及寫回電路。讀取電路讀取一被選擇的記憶體單元內所儲存之資料，並產生第一控制信號。寫回邏輯電路根據第一控制信號與第二控制信號產生寫回控制信號。寫回電路根據寫回控制信號以及一寫回電壓對被選擇的記憶體單元執行寫回操作，使得被選擇的記憶體單元之一電阻狀態由一低電阻狀態轉換為一高電阻狀態，並且根據被選擇的記憶體單元之電阻狀態產生第二控制信號。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51010092US
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號18304
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人曾珮玲 ,蘇耿立 ,林志昇 ,許世玄
核准國家中華民國
獲證日期105/03/08
證書號碼I515866
專利期間起105/02/01
專利期間訖123/05/22
專利性質發明
技術摘要-中文一種半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路，包括第一晶片以及一第二晶片、至少二個直通矽晶穿孔、至少二個資料路徑電路以及輸出邏輯電路。每個資料路徑電路包括輸入驅動電路、直通矽晶穿孔偵測電路、記憶裝置、保護電路以及電源控制電路。直通矽晶穿孔偵測電路偵測直通矽晶穿孔狀態，記憶裝置保存該直通矽晶穿孔狀態，保護電路根據該直通矽晶穿孔狀態決定是否將直通矽晶穿孔的第一端拉至該接地電壓，電源控制電路根據該直通矽晶穿孔狀態避免該電源電壓的漏電流流經基板。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51020024TW
特殊情形(空)
序號: 18304
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 曾珮玲 ,蘇耿立 ,林志昇 ,許世玄
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/03/08
證書號碼: I515866
專利期間起: 105/02/01
專利期間訖: 123/05/22
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路，包括第一晶片以及一第二晶片、至少二個直通矽晶穿孔、至少二個資料路徑電路以及輸出邏輯電路。每個資料路徑電路包括輸入驅動電路、直通矽晶穿孔偵測電路、記憶裝置、保護電路以及電源控制電路。直通矽晶穿孔偵測電路偵測直通矽晶穿孔狀態，記憶裝置保存該直通矽晶穿孔狀態，保護電路根據該直通矽晶穿孔狀態決定是否將直通矽晶穿孔的第一端拉至該接地電壓，電源控制電路根據該直通矽晶穿孔狀態避免該電源電壓的漏電流流經基板。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51020024TW
特殊情形: (空)

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號6764
產出年度103
技術名稱-中文Backside TSV製程技術
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文該技術已經成功應用在Logic晶片上，並完成TEG電性驗證。目前正測試用於DRAM晶片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal.
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍高密度佈局之邏輯晶片與記憶體晶片，應用於記憶體模組的同質與異質堆疊整合。
潛力預估減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備Lithography(Aligner or Stepper), Si etcher for TSV, PECVD, PVD, Cu plating, CMP
需具備之專業人才黃光, 蝕刻, 薄膜, 電鍍, 與化學機械研磨製程之專業人才
序號: 6764
產出年度: 103
技術名稱-中文: Backside TSV製程技術
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 該技術已經成功應用在Logic晶片上，並完成TEG電性驗證。目前正測試用於DRAM晶片。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal.
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 高密度佈局之邏輯晶片與記憶體晶片，應用於記憶體模組的同質與異質堆疊整合。
潛力預估: 減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: Lithography(Aligner or Stepper), Si etcher for TSV, PECVD, PVD, Cu plating, CMP
需具備之專業人才: 黃光, 蝕刻, 薄膜, 電鍍, 與化學機械研磨製程之專業人才

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號7962
產出年度101
技術名稱-中文半導體曝光製程技術
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文確認曝光機台具一定穩定性，變更疊對層別則將重工率由100%降至12.5%。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格奈米電子製程技術實驗室 * DUV Stepper疊對
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體製造與設計公司、記憶體製造廠商、生物晶片公司
潛力預估隨著半導體製程技術微縮，應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5915138
電子信箱kellychen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備半導體曝光機台
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 7962
產出年度: 101
技術名稱-中文: 半導體曝光製程技術
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 確認曝光機台具一定穩定性，變更疊對層別則將重工率由100%降至12.5%。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 奈米電子製程技術實驗室 * DUV Stepper疊對
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體製造與設計公司、記憶體製造廠商、生物晶片公司
潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮，應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5915138
電子信箱: kellychen@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 半導體曝光機台
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力

# 03-5913792 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號7963
產出年度102
技術名稱-中文半導體曝光製程技術
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文針對光罩上圖案密度與尺寸不同，進行曝光能量及聚焦之條件差異實驗。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格奈米電子製程技術實驗室 * 黃光製程 *曝光技術
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體製造與設計公司、記憶體製造廠商、生物晶片公司
潛力預估隨著半導體製程技術微縮，應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5915138
電子信箱kellychen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備半導體曝光機台
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 7963
產出年度: 102
技術名稱-中文: 半導體曝光製程技術
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 針對光罩上圖案密度與尺寸不同，進行曝光能量及聚焦之條件差異實驗。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 奈米電子製程技術實驗室 * 黃光製程 *曝光技術
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體製造與設計公司、記憶體製造廠商、生物晶片公司
潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮，應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5915138
電子信箱: kellychen@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 半導體曝光機台
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
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與變容器同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟 | 證書號碼: ZL98106298.9

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: ZL98116196.0

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: 19914700

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文, 吳義勇, 胡鴻烈, 李明玲 | 證書號碼: ZL98115179.5

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平, 吳義勇, 藍元亮, 賴怡絢, 王惠芳 | 證書號碼: ZL98118397.2

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興, 吳義勇, 鄭陳煜, 邱紹玲, 徐享楨 | 證書號碼: ZL98124126.3

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超 | 證書號碼: ZL00100896.X

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL00100897.8

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: 189849

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文 | 證書號碼: ZL00100898.6

噴墨印頭芯片及噴墨印頭壽命與缺陷的檢測方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 李明玲, 藍元亮, 呂志平, 鄭陳煜 | 證書號碼: ZL00106427.4

一種噴墨匣的噴墨頭晶片的封裝方法及封裝構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 王介文, 呂志平 | 證書號碼: ZL01102417.8

安排噴墨頭的噴孔的方法及其構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 張輝煌, 黃友澤 | 證書號碼: ZL01109007.3

一種熱氣泡噴墨印頭的制法及其結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 武東星, 鄭陳煜, 胡紀平, 吳義勇, 李憶興 | 證書號碼: ZL01100028.7

多色階噴墨頭晶片結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 邱慶龍, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL01109057.X

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟 | 證書號碼: ZL98106298.9

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: ZL98116196.0

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文 | 證書號碼: 19914700

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文, 吳義勇, 胡鴻烈, 李明玲 | 證書號碼: ZL98115179.5

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平, 吳義勇, 藍元亮, 賴怡絢, 王惠芳 | 證書號碼: ZL98118397.2

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興, 吳義勇, 鄭陳煜, 邱紹玲, 徐享楨 | 證書號碼: ZL98124126.3

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超 | 證書號碼: ZL00100896.X

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL00100897.8

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: 189849

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文 | 證書號碼: ZL00100898.6

噴墨印頭芯片及噴墨印頭壽命與缺陷的檢測方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 李明玲, 藍元亮, 呂志平, 鄭陳煜 | 證書號碼: ZL00106427.4

一種噴墨匣的噴墨頭晶片的封裝方法及封裝構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 王介文, 呂志平 | 證書號碼: ZL01102417.8

安排噴墨頭的噴孔的方法及其構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 張輝煌, 黃友澤 | 證書號碼: ZL01109007.3

一種熱氣泡噴墨印頭的制法及其結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 武東星, 鄭陳煜, 胡紀平, 吳義勇, 李憶興 | 證書號碼: ZL01100028.7

多色階噴墨頭晶片結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 邱慶龍, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL01109057.X

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