氮化物半導體結構
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文氮化物半導體結構的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院機械所, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是機械與系統領域工業基礎技術研究計畫, 專利發明人是方彥翔, 呂健賓, 廖宸梓, 宣融, 傅毅耕, 胡智威, 劉訓志, 證書號碼是I491068.

序號	16573
產出年度	104
領域別	製造精進
專利名稱-中文	氮化物半導體結構
執行單位	工研院機械所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	機械與系統領域工業基礎技術研究計畫
專利發明人	方彥翔, 呂健賓, 廖宸梓, 宣融, 傅毅耕, 胡智威, 劉訓志
核准國家	中華民國
獲證日期	104/05/08
證書號碼	I491068
專利期間起	104/07/01
專利期間訖	121/11/07
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種氮化物半導體結構，至少包括一矽基板、一AlN層、一AlGaN層以及形成於AlGaN層上的一GaN層。所述矽基板具有一表面，其與垂直(111)晶面的軸之間具有大於0度且小於等於0.5度的傾斜角度。所述AlN層形成於矽基板的所述表面上。所述AlGaN層形成於所述AlN層上。而所述AlGaN層的Al含量在從AlN層側往GaN層側的厚度方向上降低。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

16573

產出年度

104

領域別

製造精進

專利名稱-中文

氮化物半導體結構

執行單位

工研院機械所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

機械與系統領域工業基礎技術研究計畫

專利發明人

方彥翔, 呂健賓, 廖宸梓, 宣融, 傅毅耕, 胡智威, 劉訓志

核准國家

中華民國

獲證日期

104/05/08

證書號碼

I491068

專利期間起

104/07/01

專利期間訖

121/11/07

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種氮化物半導體結構，至少包括一矽基板、一AlN層、一AlGaN層以及形成於AlGaN層上的一GaN層。所述矽基板具有一表面，其與垂直(111)晶面的軸之間具有大於0度且小於等於0.5度的傾斜角度。所述AlN層形成於矽基板的所述表面上。所述AlGaN層形成於所述AlN層上。而所述AlGaN層的Al含量在從AlN層側往GaN層側的厚度方向上降低。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張郁香 ,郭威宏 ,林素芳 ,宣融 \| 證書號碼: I433354 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 \| 證書號碼: I386981 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 \| 專利發明人: 方彥翔 ,呂健賓 ,廖宸梓 ,宣融 ,傅毅耕 ,胡智威 ,劉訓志 \| 證書號碼: 13/726,648 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構及其制造方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭義德 ,林素芳 ,郭威宏 ,劉柏均 ,紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 \| 證書號碼: ZL200910160715.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 \| 專利發明人: 方彥翔 ,趙主立 ,葉沛璇 ,郭義德 \| 證書號碼: I416723 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融 \| 證書號碼: I482314 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融 \| 證書號碼: 8,946,775 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 \| 專利發明人: 胡智威, 廖宸梓, 方彥翔, 宣融 \| 證書號碼: I482276 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體結構

揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , \| 證書號碼: ZL200810211084.8 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 \| 證書號碼: 8,384,215 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 \| 證書號碼: 8,416,213 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: 8,391,520 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 \| 證書號碼: I402456 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 \| 證書號碼: 8,940,333 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

步階式充放電之低功率液晶顯示器的驅動電路及其驅動方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳尚立, 易建宇 \| 證書號碼: 195737
具內凹型表面結構的多域分割液晶顯示器的結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達, 陳慶逸, 陳績檍 \| 證書號碼: 193993
液晶顯示面板點燈測試的方法及其結構	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 巫吉原 \| 證書號碼: 3553864
液晶顯示面板點燈測試的方法及其結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 巫吉原 \| 證書號碼: 190439
單增益緩衝器	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王博文, 施俊任, 陳尚立 \| 證書號碼: 3500353
廣視角橫向電極多域排列液晶顯示面板及製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達 \| 證書號碼: 206398
連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 莊立聖, 陳慶逸 \| 證書號碼: 185475
顯示器自動伽馬(GAMMA)校正系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊, 楊和興, 沈毓仁 \| 證書號碼: 200771
一種全彩化發光二極體裝置及製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 彭遠清, 陳建志 \| 證書號碼: 6730937
調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊, 陳明道, 楊和興 \| 證書號碼: 190460
可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 \| 證書號碼: 190469
可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 \| 證書號碼: 6680755
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 3522705
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 190470
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 6778161

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序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

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