氮化物半導體結構
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文氮化物半導體結構的核准國家是美國, 執行單位是工研院機械所, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是機械與系統領域工業基礎技術研究計畫, 專利發明人是廖宸梓, 胡智威, 劉訓志, 宣融, 證書號碼是9,112,077.

序號	16575
產出年度	104
領域別	製造精進
專利名稱-中文	氮化物半導體結構
執行單位	工研院機械所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	機械與系統領域工業基礎技術研究計畫
專利發明人	廖宸梓, 胡智威, 劉訓志, 宣融
核准國家	美國
獲證日期	104/06/01
證書號碼	9,112,077
專利期間起	104/08/18
專利期間訖	123/04/27
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種氮化物半導體結構，至少包括一矽基板、一AlN層、一AlGaN層以及形成於AlGaN層上的一GaN層。所述矽基板具有一表面，其與垂直(111)晶面的軸之間具有大於0度且小於等於0.5度的傾斜角度。所述AlN層形成於矽基板的所述表面上。所述AlGaN層形成於所述AlN層上。而所述AlGaN層的Al含量在從AlN層側往GaN層側的厚度方向上降低。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

16575

產出年度

104

領域別

製造精進

專利名稱-中文

氮化物半導體結構

執行單位

工研院機械所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

機械與系統領域工業基礎技術研究計畫

專利發明人

廖宸梓, 胡智威, 劉訓志, 宣融

核准國家

美國

獲證日期

104/06/01

證書號碼

9,112,077

專利期間起

104/08/18

專利期間訖

123/04/27

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種氮化物半導體結構，至少包括一矽基板、一AlN層、一AlGaN層以及形成於AlGaN層上的一GaN層。所述矽基板具有一表面，其與垂直(111)晶面的軸之間具有大於0度且小於等於0.5度的傾斜角度。所述AlN層形成於矽基板的所述表面上。所述AlGaN層形成於所述AlN層上。而所述AlGaN層的Al含量在從AlN層側往GaN層側的厚度方向上降低。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

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特殊情形

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同步更新日期

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(112)縣民公園設施優化及改善工程委託設計監造	標案案號: 112-077-0530P1 \| 標的分類: 土木工程施工服務 \| 預算金額(元): 2430000 \| 招標方式: 經公開評選或公開徵求之限制性招標 \| 履約地點: 屏東縣(非原住民地區) \| 機關名稱: 屏東縣政府 \| 公告日期: 2023-05-31 @ 前1年度公告金額以上採購限制性招標公告
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氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張郁香 ,郭威宏 ,林素芳 ,宣融 \| 證書號碼: I433354 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 \| 證書號碼: I386981 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 \| 專利發明人: 方彥翔 ,呂健賓 ,廖宸梓 ,宣融 ,傅毅耕 ,胡智威 ,劉訓志 \| 證書號碼: 13/726,648 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構及其制造方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭義德 ,林素芳 ,郭威宏 ,劉柏均 ,紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 \| 證書號碼: ZL200910160715.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 \| 專利發明人: 方彥翔 ,趙主立 ,葉沛璇 ,郭義德 \| 證書號碼: I416723 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融 \| 證書號碼: I482314 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融 \| 證書號碼: 8,946,775 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 \| 專利發明人: 胡智威, 廖宸梓, 方彥翔, 宣融 \| 證書號碼: I482276 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體結構

揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , \| 證書號碼: ZL200810211084.8 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 \| 證書號碼: 8,384,215 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 \| 證書號碼: 8,416,213 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: 8,391,520 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 \| 證書號碼: I402456 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 \| 證書號碼: 8,940,333 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

堆疊快取函式框之系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳正哲 \| 證書號碼: I220733
一種知識分持之金鑰信託系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 網際網路應用技術營運計畫 \| 專利發明人: 樊國楨, 宋振華, 薛紀建, 張耿豪, 張明信, 謝東明 \| 證書號碼: 131670
廢日光燈管之拆解方法及其裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 楊奉儒、蔡憲坤 \| 證書號碼: 6637098
雜質振盪分離送料器結構之改良	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李明晃、陳珠修、楊奉儒 \| 證書號碼: 210230
以工業廢棄物作為原料的樹脂混凝土	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳清齊、賴明柱、楊奉儒、陳志恒 \| 證書號碼: 207309
研磨機進料結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳珠修、楊奉儒、李明晃 \| 證書號碼: 211613
液晶顯示器反射表面的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 韋忠光 \| 證書號碼: 195728
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 \| 證書號碼: 6713377
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 \| 證書號碼: 6660625
消除光阻中近接效應之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 高蔡勝, 戴昌銘 \| 證書號碼: 183704
製造反射型液晶顯示面板之方法及所製之裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 丁岱良 \| 證書號碼: 185243
具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達 \| 證書號碼: 188081
具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達 \| 證書號碼: 6747727
正向修補型之薄膜電晶體液晶顯示裝置以及正向修補方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃庭輝 \| 證書號碼: 6714269
低漏光及低訊號線阻值之IPS-TFT 陣列設計	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張世昌, 陳志宏, 劉秉德 \| 證書號碼: 185400

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