感測放大器
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文感測放大器的核准國家是美國, 證書號碼是7394295, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是97, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是張嘉伯林志昇蘇耿立.

序號	4156
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	感測放大器
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	張嘉伯林志昇蘇耿立
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	7394295
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明為一種感測放大器，包括：一第一電流鏡單元，耦接一高電壓源，根據一第一參考電流輸出一第一電流以及一第二電流，其中第二電流為第一電流的兩倍；一第二電流鏡單元，耦接一高電壓源，根據一第二參考電流輸出一第三電流；一第一阻抗元件，耦接該第二電流以及一低電壓源；一第二阻抗元件，耦接該第三電流以及該低電壓源；一第三電流鏡單元，耦接該第一電流、該第二電流以及該第三電流，並根據該第一電流為該第三電流鏡單元的參考電流，使得流經該第一阻抗元件的電流為該第一電流，流經該第二阻抗元件的電流為一第四電流。 The invention relates to a sense amplifier comprising the following element: a first current mirror unit coupled to a high voltage source, outputting a first current and a second current according to a first reference current, wherein the second current is double of the first current; a second current mirror unit coupled to a high voltage source, outputting a third current according to a second reference current; a first impendence coupled to the second current and a low voltage source; a second impendence coupled to the third current and a low voltage source; a third current mirror coupled to the first, second and third currents, and the first current is regarded as the reference current of the third current mirror unit, thus, the current which flows through the first impendence is the first current, and the current which flows through the second impendence is a fourth current.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)

序號

4156

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

感測放大器

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

張嘉伯林志昇蘇耿立

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

7394295

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明為一種感測放大器，包括：一第一電流鏡單元，耦接一高電壓源，根據一第一參考電流輸出一第一電流以及一第二電流，其中第二電流為第一電流的兩倍；一第二電流鏡單元，耦接一高電壓源，根據一第二參考電流輸出一第三電流；一第一阻抗元件，耦接該第二電流以及一低電壓源；一第二阻抗元件，耦接該第三電流以及該低電壓源；一第三電流鏡單元，耦接該第一電流、該第二電流以及該第三電流，並根據該第一電流為該第三電流鏡單元的參考電流，使得流經該第一阻抗元件的電流為該第一電流，流經該第二阻抗元件的電流為一第四電流。 The invention relates to a sense amplifier comprising the following element: a first current mirror unit coupled to a high voltage source, outputting a first current and a second current according to a first reference current, wherein the second current is double of the first current; a second current mirror unit coupled to a high voltage source, outputting a third current according to a second reference current; a first impendence coupled to the second current and a low voltage source; a second impendence coupled to the third current and a low voltage source; a third current mirror coupled to the first, second and third currents, and the first current is regarded as the reference current of the third current mirror unit, thus, the current which flows through the first impendence is the first current, and the current which flows through the second impendence is a fourth current.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

(空)

根據識別碼 7394295 找到的相關資料

無其他 7394295 資料。

[ 搜尋所有 7394295 ... ]

根據名稱感測放大器找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 感測放大器 ...)

應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I298886 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全林志昇張嘉伯蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7486546 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I312154 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7539068 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I303068 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 @ 技術司專利資料集
感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,394,295 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 @ 技術司專利資料集
以電壓極性致動偵測之半導體氫氣感測器含積體化感測放大器	計畫編號: 104-2221-E-019-021-MY2 \| 日期: 20150801 \| 序號: 313717 @ 國家科學及技術委員會工程科技研究成果報告清冊
權重共享深度神經網路加速器結合記憶體內運算之感測機制與感測放大器設計	作者: 黃健宸 \| 指導教授: 王進賢 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 108 \| 論文名稱(外文): Design of Sensing Scheme and Sense Amplifier for CIM-Based Weight-Sharing DNN Accelerator \| 系所名稱: 電機工程研究所 \| 學校名稱: 國立中正大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

應用於記憶體之多穩態感測放大器

記憶體架構及其寫入方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I279802 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立林志昇張嘉伯 @ 技術司專利資料集
記憶體結構及其寫入方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7508727 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立 \| 林志昇 \| 張嘉伯 @ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,904,736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,916,129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7904736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7916129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,692,907 \| 專利期間起: 99/04/06 \| 專利期間訖: 117/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏 \| 柯明道 @ 技術司專利資料集
壓電驅動光學鏡頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,511,904 \| 專利期間起: 98/03/31 \| 專利期間訖: 116/05/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 胡朝彰 \| 蘇漢威 \| 沈聖智 @ 技術司專利資料集
氫甲醯化製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,683,219 \| 專利期間起: 99/03/23 \| 專利期間訖: 118/03/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 薛茂霖 \| 楊浩熏 \| 時國誠 \| 蘇再添 @ 技術司專利資料集
停車管理系統及裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710159782.3 \| 專利期間起: 100/03/16 \| 專利期間訖: 116/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 郭倫嘉 \| 吳忠郼 \| 沈仲九 \| 黃士一 @ 技術司專利資料集

具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206598 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋 \| 翁逸君 \| 劉康弘 \| 范揚宜
橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206589 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明 \| 范揚宜 \| 許家榮 \| 陳慶逸
測試蝕刻速率的結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197248 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 王欽宏 \| 梁兆鈞 \| 陳玉華
微通道流體導引元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188284 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
微通道流體導引元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6725882 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
薄膜電晶體的結構、其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198288 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林炯暐 \| 葉永輝
移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220255 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 王博文 \| 林展瑞
電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192543 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 陳昌昇 \| 吳俊昆 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 賴穎俊
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202861 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維 \| 李永忠 \| 潘宗銘 \| 卓言
有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200178 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 周維揚 \| 鄭弘隆 \| 賴志明 \| 廖奇璋
直下式背光模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200905 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹景翔 \| 蕭名君 \| 劉康弘 \| 林偉義
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198431 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6757189 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189045 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 江欣峻 \| 何璨佑 \| 許家榮
多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189620 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 莊世瑋 \| 鍾震桂 \| 陳仲竹

感測放大器 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與感測放大器同分類的技術司專利資料集

感測放大器
- 技術司專利資料集 @ 經濟部