應用於記憶體之多穩態感測放大器
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文應用於記憶體之多穩態感測放大器的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是98, 專利性質是發明, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 ,, 證書號碼是I312154.

序號5814
產出年度98
領域別(空)
專利名稱-中文應用於記憶體之多穩態感測放大器
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 ,
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I312154
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：源極隨耦器，耦接於該記憶單元之輸出端與一第一輸出節點之間，用以限定該記憶單元之輸出端之電壓，進而使該記憶單元產生一記憶單元電流；源極隨耦電路，耦接於該等複數參考單元之輸出端與複數第二輸出節點之間，用以限定該等參考單元之輸出端之電壓，進而使該等參考單元產生複數個參考電流；以及電流鏡電路，耦接至該第一輸出節點與該等第二輸出節點，用以依據該記憶單元電流與該等參考電流，分別於該第一輸出節點與該等第二輸出節點產生一記憶單元電位與複數之參考電位。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註20101079-Joanne
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

5814

產出年度

98

領域別

(空)

專利名稱-中文

應用於記憶體之多穩態感測放大器

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 ,

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I312154

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：源極隨耦器，耦接於該記憶單元之輸出端與一第一輸出節點之間，用以限定該記憶單元之輸出端之電壓，進而使該記憶單元產生一記憶單元電流；源極隨耦電路，耦接於該等複數參考單元之輸出端與複數第二輸出節點之間，用以限定該等參考單元之輸出端之電壓，進而使該等參考單元產生複數個參考電流；以及電流鏡電路，耦接至該第一輸出節點與該等第二輸出節點，用以依據該記憶單元電流與該等參考電流，分別於該第一輸出節點與該等第二輸出節點產生一記憶單元電位與複數之參考電位。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

tephen.chung@itri.org.tw

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備註

20101079-Joanne

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 應用於記憶體之多穩態感測放大器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號5815
產出年度98
領域別(空)
專利名稱-中文應用於記憶體之多穩態感測放大器
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 ,
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼7539068
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：源極隨耦器，耦接於該記憶單元之輸出端與一第一輸出節點之間，用以限定該記憶單元之輸出端之電壓，進而使該記憶單元產生一記憶單元電流；源極隨耦電路，耦接於該等複數參考單元之輸出端與複數第二輸出節點之間，用以限定該等參考單元之輸出端之電壓，進而使該等參考單元產生複數個參考電流；以及電流鏡電路，耦接至該第一輸出節點與該等第二輸出節點，用以依據該記憶單元電流與該等參考電流，分別於該第一輸出節點與該等第二輸出節點產生一記憶單元電位與複數之參考電位。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註20101080-Joanne
特殊情形(空)
序號: 5815
產出年度: 98
領域別: (空)
專利名稱-中文: 應用於記憶體之多穩態感測放大器
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 ,
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 7539068
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：源極隨耦器，耦接於該記憶單元之輸出端與一第一輸出節點之間，用以限定該記憶單元之輸出端之電壓，進而使該記憶單元產生一記憶單元電流；源極隨耦電路，耦接於該等複數參考單元之輸出端與複數第二輸出節點之間，用以限定該等參考單元之輸出端之電壓，進而使該等參考單元產生複數個參考電流；以及電流鏡電路，耦接至該第一輸出節點與該等第二輸出節點，用以依據該記憶單元電流與該等參考電流，分別於該第一輸出節點與該等第二輸出節點產生一記憶單元電位與複數之參考電位。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
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備註: 20101080-Joanne
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# 應用於記憶體之多穩態感測放大器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號4155
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文應用於記憶體之多穩態感測放大器
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人王敏全 林志昇 張嘉伯 蘇耿立
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I298886
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：第一電流鏡電路，耦接至該記憶單元之輸出端，用以產生大小為通過該記憶單元之第一記憶單元電流之兩倍的第二記憶單元電流；第二電流鏡電路，耦接至該等參考單元之輸出端，用以分別產生大小等於通過該等參考單元之複數第一參考電流的複數第二參考電流；以及負載電路，耦接至該第一電流鏡電路與該第二電流鏡電路，用以分別提供該第二記憶單元電流與該等第二參考電流之相等負載，而分別產生與該第二記憶單元電流以及該等第二參考電流之大小成比例之記憶單元電位以及複數參考電位。 The invention provides a multi-state sense amplifier, coupled to at least one memory cell with changeable resistance and a plurality of reference cells. The first current mirror circuit, coupled to the output terminal of the memory cell, generates a second memory cell current at a first node according to a first memory cell current through the memory cell. The second current mirror circuit, coupled to the output terminal of the reference cells, generates a plurality of second reference currents at a plurality of second nodes according to a plurality of first reference currents through the reference cells. The load circuit, coupled to the first node, the second nodes, and a ground, provides equal loads for the second memory cell current and the second reference currents to respectively generate a memory cell voltage at the first node and a plurality of reference voltages at the second nodes.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
序號: 4155
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 應用於記憶體之多穩態感測放大器
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 王敏全 林志昇 張嘉伯 蘇耿立
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: I298886
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：第一電流鏡電路，耦接至該記憶單元之輸出端，用以產生大小為通過該記憶單元之第一記憶單元電流之兩倍的第二記憶單元電流；第二電流鏡電路，耦接至該等參考單元之輸出端，用以分別產生大小等於通過該等參考單元之複數第一參考電流的複數第二參考電流；以及負載電路，耦接至該第一電流鏡電路與該第二電流鏡電路，用以分別提供該第二記憶單元電流與該等第二參考電流之相等負載，而分別產生與該第二記憶單元電流以及該等第二參考電流之大小成比例之記憶單元電位以及複數參考電位。 The invention provides a multi-state sense amplifier, coupled to at least one memory cell with changeable resistance and a plurality of reference cells. The first current mirror circuit, coupled to the output terminal of the memory cell, generates a second memory cell current at a first node according to a first memory cell current through the memory cell. The second current mirror circuit, coupled to the output terminal of the reference cells, generates a plurality of second reference currents at a plurality of second nodes according to a plurality of first reference currents through the reference cells. The load circuit, coupled to the first node, the second nodes, and a ground, provides equal loads for the second memory cell current and the second reference currents to respectively generate a memory cell voltage at the first node and a plurality of reference voltages at the second nodes.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 0
特殊情形: (空)

# 應用於記憶體之多穩態感測放大器 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號5818
產出年度98
領域別(空)
專利名稱-中文應用於記憶體之多穩態感測放大器
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 ,
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼7486546
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：第一電流鏡電路，耦接至該記憶單元之輸出端，用以產生大小為通過該記憶單元之第一記憶單元電流之兩倍的第二記憶單元電流；第二電流鏡電路，耦接至該等參考單元之輸出端，用以分別產生大小等於通過該等參考單元之複數第一參考電流的複數第二參考電流；以及負載電路，耦接至該第一電流鏡電路與該第二電流鏡電路，用以分別提供該第二記憶單元電流與該等第二參考電流之相等負載，而分別產生與該第二記憶單元電流以及該等第二參考電流之大小成比例之記憶單元電位以及複數參考電位。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註20101083-Joanne
特殊情形(空)
序號: 5818
產出年度: 98
領域別: (空)
專利名稱-中文: 應用於記憶體之多穩態感測放大器
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 ,
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 7486546
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：第一電流鏡電路，耦接至該記憶單元之輸出端，用以產生大小為通過該記憶單元之第一記憶單元電流之兩倍的第二記憶單元電流；第二電流鏡電路，耦接至該等參考單元之輸出端，用以分別產生大小等於通過該等參考單元之複數第一參考電流的複數第二參考電流；以及負載電路，耦接至該第一電流鏡電路與該第二電流鏡電路，用以分別提供該第二記憶單元電流與該等第二參考電流之相等負載，而分別產生與該第二記憶單元電流以及該等第二參考電流之大小成比例之記憶單元電位以及複數參考電位。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: 20101083-Joanne
特殊情形: (空)
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根據姓名 王敏全 林志昇 張嘉伯 蘇耿立 找到的相關資料

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應用于存儲器的多穩態讀出放大器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , | 證書號碼: ZL200610121574.X

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

應用於存儲器的多穩態感測放大器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , | 證書號碼: ZL200610143353.2

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

應用于存儲器的多穩態讀出放大器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , | 證書號碼: ZL200610121574.X

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

應用於存儲器的多穩態感測放大器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , | 證書號碼: ZL200610143353.2

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根據電話 03-5912777 找到的相關資料

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# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號7016
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人洪建中 ,高明哲 ,李元仁 ,王連昌 ,
核准國家中國大陸
獲證日期99/06/03
證書號碼ZL200610058803.8
專利期間起99/05/12
專利期間訖115/03/03
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7016
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,李元仁 ,王連昌 ,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 99/06/03
證書號碼: ZL200610058803.8
專利期間起: 99/05/12
專利期間訖: 115/03/03
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號7018
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文磁性記憶胞的結構、存取方法以及磁性記憶體電路
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 ,
核准國家中華民國
獲證日期99/03/03
證書號碼I320929
專利期間起99/02/21
專利期間訖115/04/17
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7018
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 磁性記憶胞的結構、存取方法以及磁性記憶體電路
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 ,
核准國家: 中華民國
獲證日期: 99/03/03
證書號碼: I320929
專利期間起: 99/02/21
專利期間訖: 115/04/17
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號12043
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏
核准國家美國
獲證日期102/04/22
證書號碼8,397,584
專利期間起102/03/19
專利期間訖120/03/06
專利性質發明
技術摘要-中文一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12043
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人: 謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏
核准國家: 美國
獲證日期: 102/04/22
證書號碼: 8,397,584
專利期間起: 102/03/19
專利期間訖: 120/03/06
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號7015
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文磁阻式記憶陣列
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人陳啟明 ,洪建中 ,陳永祥 ,王連昌 ,
核准國家日本
獲證日期99/03/01
證書號碼4448485
專利期間起99/01/29
專利期間訖114/10/30
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7015
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 磁阻式記憶陣列
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 陳啟明 ,洪建中 ,陳永祥 ,王連昌 ,
核准國家: 日本
獲證日期: 99/03/01
證書號碼: 4448485
專利期間起: 99/01/29
專利期間訖: 114/10/30
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號7017
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文磁性存儲單元的結構、存取方法以及磁性存儲器電路
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 ,
核准國家中國大陸
獲證日期99/03/22
證書號碼ZL200610084560.5
專利期間起99/01/27
專利期間訖115/05/24
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7017
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 磁性存儲單元的結構、存取方法以及磁性存儲器電路
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 ,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 99/03/22
證書號碼: ZL200610084560.5
專利期間起: 99/01/27
專利期間訖: 115/05/24
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號7019
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文讀?放大器
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人張嘉伯 ,林志昇 ,蘇耿立 ,
核准國家中國大陸
獲證日期99/06/07
證書號碼ZL200610071485.9
專利期間起99/05/12
專利期間訖115/03/23
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7019
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 讀?放大器
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 張嘉伯 ,林志昇 ,蘇耿立 ,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 99/06/07
證書號碼: ZL200610071485.9
專利期間起: 99/05/12
專利期間訖: 115/03/23
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號7020
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人洪建中 ,李元仁 ,高明哲 ,
核准國家美國
獲證日期99/03/02
證書號碼7,577,017
專利期間起98/08/18
專利期間訖115/10/16
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7020
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 洪建中 ,李元仁 ,高明哲 ,
核准國家: 美國
獲證日期: 99/03/02
證書號碼: 7,577,017
專利期間起: 98/08/18
專利期間訖: 115/10/16
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號7022
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文磁性記憶體之資料讀取電路
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人陳永祥 ,王丁勇 ,
核准國家美國
獲證日期99/07/02
證書號碼7,646,635
專利期間起99/01/12
專利期間訖117/08/03
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7022
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 磁性記憶體之資料讀取電路
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 陳永祥 ,王丁勇 ,
核准國家: 美國
獲證日期: 99/07/02
證書號碼: 7,646,635
專利期間起: 99/01/12
專利期間訖: 117/08/03
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)
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與應用於記憶體之多穩態感測放大器同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

液晶顯示面板點燈測試的方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 巫吉原 | 證書號碼: 190439

單增益緩衝器

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 施俊任, 陳尚立 | 證書號碼: 3500353

廣視角橫向電極多域排列液晶顯示面板及製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 | 證書號碼: 206398

連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖, 陳慶逸 | 證書號碼: 185475

顯示器自動伽馬(GAMMA)校正系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊, 楊和興, 沈毓仁 | 證書號碼: 200771

一種全彩化發光二極體裝置及製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 彭遠清, 陳建志 | 證書號碼: 6730937

調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊, 陳明道, 楊和興 | 證書號碼: 190460

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 190469

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 6680755

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 3522705

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 190470

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 6778161

矽單晶液晶顯示器及製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖 | 證書號碼: 6721027

簡易式塊狀彈性體的製程方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧明, 林志榮 | 證書號碼: 6605525

蝕刻玻璃面板之裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 | 證書號碼: 6673195

液晶顯示面板點燈測試的方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 巫吉原 | 證書號碼: 190439

單增益緩衝器

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 施俊任, 陳尚立 | 證書號碼: 3500353

廣視角橫向電極多域排列液晶顯示面板及製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 | 證書號碼: 206398

連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖, 陳慶逸 | 證書號碼: 185475

顯示器自動伽馬(GAMMA)校正系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊, 楊和興, 沈毓仁 | 證書號碼: 200771

一種全彩化發光二極體裝置及製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 彭遠清, 陳建志 | 證書號碼: 6730937

調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊, 陳明道, 楊和興 | 證書號碼: 190460

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 190469

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 6680755

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 3522705

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 190470

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 6778161

矽單晶液晶顯示器及製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖 | 證書號碼: 6721027

簡易式塊狀彈性體的製程方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧明, 林志榮 | 證書號碼: 6605525

蝕刻玻璃面板之裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 | 證書號碼: 6673195

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