相變化記憶元件及其製造方法
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專利名稱-中文相變化記憶元件及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是7598113, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是98, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陳維恕 ,陳頤承 ,王文翰 ,許宏輝 ,李乾銘 ,卓言 ,趙得勝 ,李敏鴻 ,.

序號	5392
產出年度	98
領域別	(空)
專利名稱-中文	相變化記憶元件及其製造方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	陳維恕 \| 陳頤承 \| 王文翰 \| 許宏輝 \| 李乾銘 \| 卓言 \| 趙得勝 \| 李敏鴻
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	7598113
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種相變化記憶元件及其製造方法，主要是將碟盤狀相變層埋入於絕緣材料中，並利用微影技術產生位於碟盤狀相變層中心且貫穿相變層之中心貫孔，和以中心貫孔為中心且外圍係位於碟盤狀相變層邊緣上之環狀貫孔。此時，設置於中心貫孔中之加熱電極可對相變層進行焦耳加熱，並藉由控制相變層之厚度即可達到縮小兩者間的接觸面積。再者，設置於環狀貫孔中之環狀第二電極，其可將傳送至與相變層間之環形接觸界面的熱經由第二電極擴散出，以致避免熱擴散至相變層外圍的蝕刻邊界，進而避免蝕刻缺陷及/或殘留物熔解擴散至相變化材料內導致相變化異常。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	20100656-Joanne
特殊情形	(空)

序號

5392

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

相變化記憶元件及其製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

7598113

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種相變化記憶元件及其製造方法，主要是將碟盤狀相變層埋入於絕緣材料中，並利用微影技術產生位於碟盤狀相變層中心且貫穿相變層之中心貫孔，和以中心貫孔為中心且外圍係位於碟盤狀相變層邊緣上之環狀貫孔。此時，設置於中心貫孔中之加熱電極可對相變層進行焦耳加熱，並藉由控制相變層之厚度即可達到縮小兩者間的接觸面積。再者，設置於環狀貫孔中之環狀第二電極，其可將傳送至與相變層間之環形接觸界面的熱經由第二電極擴散出，以致避免熱擴散至相變層外圍的蝕刻邊界，進而避免蝕刻缺陷及/或殘留物熔解擴散至相變化材料內導致相變化異常。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

20100656-Joanne

特殊情形

(空)

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相變化記憶元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,598,113 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| 陳頤承 \| 王文翰 \| 許宏輝 \| 李乾銘 \| 卓言 \| 趙得勝 \| 李敏鴻 @ 技術司專利資料集
相變化記憶元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,868,314 \| 專利期間起: 100/01/11 \| 專利期間訖: 115/06/29 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| 陳頤承 \| 王文翰 \| 許宏輝 \| 李乾銘 \| 卓言 \| 趙得勝 \| 李敏鴻 @ 技術司專利資料集
相變化記憶元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7868314 \| 專利期間起: 100/01/11 \| 專利期間訖: 115/06/29 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| 陳頤承 \| 王文翰 \| 許宏輝 \| 李乾銘 \| 卓言 \| 趙得勝 \| 李敏鴻 @ 技術司專利資料集
半導體記憶元件、相變化記憶元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I284899 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集
半導體記憶元件、相變化記憶元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7728320 \| 專利期間起: 1999/6/1 \| 專利期間訖: 117/05/04 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集
半導體記憶元件、相變化記憶元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7687377 \| 專利期間起: 1999/3/30 \| 專利期間訖: 115/08/10 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集
相變化存儲元件及其制造方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610000297.7 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| 陳頤承 \| 王文翰 \| 許宏輝 \| 李乾銘 \| 卓言 \| 趙得勝 \| 李敏鴻 @ 技術司專利資料集
二維碟盤狀相變化記憶體元件結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I284389 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕陳頤承王文翰許宏輝李乾銘卓言趙得勝李敏鴻 @ 技術司專利資料集

相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,598,113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

相變化記憶層及其製作方法及相變化記憶胞	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I312998 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳頤承 \| 許宏輝 \| 李乾銘 \| 卓言 \| 趙得勝 \| 王文翰 \| 陳維恕 \| 李敏鴻 @ 技術司專利資料集
間隙壁電極側接式相變化記憶體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I291745 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 趙得勝王文翰李敏鴻許宏輝李乾銘卓言陳頤承陳維恕 @ 技術司專利資料集
間隙壁電極側接式相變化記憶體及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7626191 \| 專利期間起: 1998/12/1 \| 專利期間訖: 115/07/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 趙得勝 \| 王文翰 \| 李敏鴻 \| 許宏輝 \| 李乾銘 \| 卓言 \| 陳頤承 \| 陳維恕 @ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,904,736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,916,129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7904736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7916129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,692,907 \| 專利期間起: 99/04/06 \| 專利期間訖: 117/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏 \| 柯明道 @ 技術司專利資料集
壓電驅動光學鏡頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,511,904 \| 專利期間起: 98/03/31 \| 專利期間訖: 116/05/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 胡朝彰 \| 蘇漢威 \| 沈聖智 @ 技術司專利資料集
氫甲醯化製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,683,219 \| 專利期間起: 99/03/23 \| 專利期間訖: 118/03/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 薛茂霖 \| 楊浩熏 \| 時國誠 \| 蘇再添 @ 技術司專利資料集
停車管理系統及裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710159782.3 \| 專利期間起: 100/03/16 \| 專利期間訖: 116/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 郭倫嘉 \| 吳忠郼 \| 沈仲九 \| 黃士一 @ 技術司專利資料集

空氣淨化裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03209118.4 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 王茂榮 \| 龍海蒂
空氣清淨裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M242211 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 洪劍長 \| 江旭政 \| 賀遵火
廢水回收之前處理系統與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188085 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 張振章 \| 林士正 \| 蔡幸芬
海水或滷水中鋰離子濃縮方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192177 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 吳宗杰 \| 林俊仁 \| 許哲源 \| 江玉琳
二氧化碳超臨界流萃取天然氨基酸之製造法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195746 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 劉致中 \| 林俊仁 \| 許哲源
化學機制控制型高濃度臭氧/反應液體產生系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197106 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 金光祖 \| 陳秋美
從滷水生產鋰濃縮液的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 203406 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 張怡隆 \| 江玉琳 \| 許哲源 \| 林俊仁
從滷水生產鋰濃縮液的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,764,584 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 張怡隆 \| 江玉琳 \| 許哲源 \| 林俊仁
用於鋰離子電池之正極的改質鋰鈷氧化物，其製備方法及鋰離子電池	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192322 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 李日琪 \| 林俊仁 \| 許哲源
四氧化三鈷之低溫合成方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206821 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 李日琪 \| 許哲源 \| 林俊仁
半固態金屬射出成形之方法與裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189315 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 彭暄 \| 蔡浪富 \| 梁沐旺 \| 徐文敏 \| 賴根賢 \| 胡立德
電腦視窗界面的快速多工控制系統	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98125165.X \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許文通 \| 郭文章 \| 王國光 \| 葉昭蘭
雙螺旋轉子總成	核准國家: 英國 \| 證書號碼: GB2352777 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 方宏聲 \| 馮展華 \| 王漢聰 \| 蔡政展 \| 陳俊宏 \| 陳明豐
無電鍍形成雙層以上金屬凸塊的製備方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01118735.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 梁沐旺 \| 曾乙修 \| 蔣邦民
無電鍍形成雙層以上金屬凸塊之製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6653235 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 梁沐旺 \| 曾乙修 \| 蔣邦民

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執行單位

產出單位

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專利發明人

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