相變化記憶元件及其製造方法
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專利名稱-中文相變化記憶元件及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是7868314, 專利期間起是100/01/11, 專利期間訖是115/06/29, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是100, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陳維恕,陳頤承,王文翰,許宏輝,李乾銘,卓言,趙得勝,李敏鴻.

序號7871
產出年度100
領域別創新前瞻
專利名稱-中文相變化記憶元件及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻
核准國家美國
獲證日期100/03/09
證書號碼7868314
專利期間起100/01/11
專利期間訖115/06/29
專利性質發明
技術摘要-中文一種相變化記憶元件及其製造方法,主要是將碟盤狀相變層埋入於絕緣材料中,並利用微影技術產生位於碟盤狀相變層中心且貫穿相變層之中心貫孔,和以中心貫孔為中心且外圍係位於碟盤狀相變層邊緣上之環狀貫孔。此時,設置於中心貫孔中之加熱電極可對相變層進行焦耳加熱,並藉由控制相變層之厚度即可達到縮小兩者間的接觸面積。再者,設置於環狀貫孔中之環狀第二電極,其可將傳送至與相變層間之環形接觸界面的熱經由第二電極擴散出,以致避免熱擴散至相變層外圍的蝕刻邊界,進而避免蝕刻缺陷及/或殘留物熔解擴散至相變化材料內導致相變化異常。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱noralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

7871

產出年度

100

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

相變化記憶元件及其製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院院本部

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

核准國家

美國

獲證日期

100/03/09

證書號碼

7868314

專利期間起

100/01/11

專利期間訖

115/06/29

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種相變化記憶元件及其製造方法,主要是將碟盤狀相變層埋入於絕緣材料中,並利用微影技術產生位於碟盤狀相變層中心且貫穿相變層之中心貫孔,和以中心貫孔為中心且外圍係位於碟盤狀相變層邊緣上之環狀貫孔。此時,設置於中心貫孔中之加熱電極可對相變層進行焦耳加熱,並藉由控制相變層之厚度即可達到縮小兩者間的接觸面積。再者,設置於環狀貫孔中之環狀第二電極,其可將傳送至與相變層間之環形接觸界面的熱經由第二電極擴散出,以致避免熱擴散至相變層外圍的蝕刻邊界,進而避免蝕刻缺陷及/或殘留物熔解擴散至相變化材料內導致相變化異常。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,598,113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

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相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,868,314 | 專利期間起: 100/01/11 | 專利期間訖: 115/06/29 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

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相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7598113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

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半導體記憶元件、相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I284899 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕

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半導體記憶元件、相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7728320 | 專利期間起: 1999/6/1 | 專利期間訖: 117/05/04 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕

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半導體記憶元件、相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7687377 | 專利期間起: 1999/3/30 | 專利期間訖: 115/08/10 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕

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相變化存儲元件及其制造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610000297.7 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

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二維碟盤狀相變化記憶體元件結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I284389 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 陳頤承 王文翰 許宏輝 李乾銘 卓言 趙得勝 李敏鴻

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相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,598,113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

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相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,868,314 | 專利期間起: 100/01/11 | 專利期間訖: 115/06/29 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

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相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7598113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

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半導體記憶元件、相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I284899 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕

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半導體記憶元件、相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7728320 | 專利期間起: 1999/6/1 | 專利期間訖: 117/05/04 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕

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半導體記憶元件、相變化記憶元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7687377 | 專利期間起: 1999/3/30 | 專利期間訖: 115/08/10 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕

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相變化存儲元件及其制造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610000297.7 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 陳頤承 | 王文翰 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 李敏鴻

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二維碟盤狀相變化記憶體元件結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I284389 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 陳頤承 王文翰 許宏輝 李乾銘 卓言 趙得勝 李敏鴻

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相變化記憶層及其製作方法及相變化記憶胞

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I312998 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳頤承 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 王文翰 | 陳維恕 | 李敏鴻

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間隙壁電極側接式相變化記憶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I291745 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 趙得勝 王文翰 李敏鴻 許宏輝 李乾銘 卓言 陳頤承 陳維恕

@ 技術司專利資料集

間隙壁電極側接式相變化記憶體及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7626191 | 專利期間起: 1998/12/1 | 專利期間訖: 115/07/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 趙得勝 | 王文翰 | 李敏鴻 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 陳頤承 | 陳維恕

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相變化記憶層及其製作方法及相變化記憶胞

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I312998 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳頤承 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 趙得勝 | 王文翰 | 陳維恕 | 李敏鴻

@ 技術司專利資料集

間隙壁電極側接式相變化記憶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I291745 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 趙得勝 王文翰 李敏鴻 許宏輝 李乾銘 卓言 陳頤承 陳維恕

@ 技術司專利資料集

間隙壁電極側接式相變化記憶體及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7626191 | 專利期間起: 1998/12/1 | 專利期間訖: 115/07/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 趙得勝 | 王文翰 | 李敏鴻 | 許宏輝 | 李乾銘 | 卓言 | 陳頤承 | 陳維恕

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810211084.8 | 專利期間起: 102/01/23 | 專利期間訖: 117/08/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 劉昌和

@ 技術司專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,384,215 | 專利期間起: 102/02/26 | 專利期間訖: 120/06/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 | 莊敬業 | 林育民

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感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,416,213 | 專利期間起: 102/04/09 | 專利期間訖: 120/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 | 葉紹興

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710184913.3 | 專利期間起: 102/03/20 | 專利期間訖: 116/10/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200910202828.4 | 專利期間起: 102/04/03 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,391,520 | 專利期間起: 102/03/05 | 專利期間訖: 120/12/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 | 許詔開

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Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,940,333 | 專利期間起: 104/01/27 | 專利期間訖: 116/05/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發 | 張學曾 | 陳進富 | 張原嘉 | 甘霈 | 林才祐

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810211084.8 | 專利期間起: 102/01/23 | 專利期間訖: 117/08/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 劉昌和

@ 技術司專利資料集

晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,384,215 | 專利期間起: 102/02/26 | 專利期間訖: 120/06/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 | 莊敬業 | 林育民

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感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,416,213 | 專利期間起: 102/04/09 | 專利期間訖: 120/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 | 葉紹興

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710184913.3 | 專利期間起: 102/03/20 | 專利期間訖: 116/10/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200910202828.4 | 專利期間起: 102/04/03 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,391,520 | 專利期間起: 102/03/05 | 專利期間訖: 120/12/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

@ 技術司專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 | 許詔開

@ 技術司專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,940,333 | 專利期間起: 104/01/27 | 專利期間訖: 116/05/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發 | 張學曾 | 陳進富 | 張原嘉 | 甘霈 | 林才祐

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電力控制電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 214743 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 陳盛仁 | 楊景榮 | 林俊宏 | 陳燦林

提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184318 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 郭晉榮 | 黃俊雄

低頻率漂移數位頻率調制裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195328 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 高炳文 | 謝賜山 | 紀秋棉

光學編碼器定位裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193120 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林慶芳

影像偵測元件與其與待測物件相對移動方向之垂直偏移度量測方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200068 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林俊育 | 宋新岳 | 羅偕益

熱釋電型感測器信號轉換電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197821 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 涂鐘範 | 林耀明

顯示裝置之檢測系統及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220689 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 田立芬 | 葉峻毅 | 楊福祥

寬頻掃頻電路架構

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光源產生裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200164 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林勝雄 | 江敏華 | 郭葉琮

相位差調整裝置及方法以及應用該相位差調整裝置之感測裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206753 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 楊景榮 | 高清芬 | 陳譽元

新型窄長平直薄型基材專用浸泡塗佈裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206450 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 葉清銘 | 陳燦林 | 陳譽元

反射尺讀頭裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201496 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林慶芳 | 高清芬 | 陳燦林 | 陳譽元

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,735,228 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明

具有整波電路之高速雷射驅動器

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,798,802 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 周明忠

壓制電流分配的充放電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,794,911 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張毓仁

電力控制電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 214743 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 陳盛仁 | 楊景榮 | 林俊宏 | 陳燦林

提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184318 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 郭晉榮 | 黃俊雄

低頻率漂移數位頻率調制裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195328 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 高炳文 | 謝賜山 | 紀秋棉

光學編碼器定位裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193120 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林慶芳

影像偵測元件與其與待測物件相對移動方向之垂直偏移度量測方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200068 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林俊育 | 宋新岳 | 羅偕益

熱釋電型感測器信號轉換電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197821 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 涂鐘範 | 林耀明

顯示裝置之檢測系統及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220689 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 田立芬 | 葉峻毅 | 楊福祥

寬頻掃頻電路架構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198444 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 郭晉榮 | 謝賜山

光源產生裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200164 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林勝雄 | 江敏華 | 郭葉琮

相位差調整裝置及方法以及應用該相位差調整裝置之感測裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206753 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 楊景榮 | 高清芬 | 陳譽元

新型窄長平直薄型基材專用浸泡塗佈裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206450 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 葉清銘 | 陳燦林 | 陳譽元

反射尺讀頭裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201496 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林慶芳 | 高清芬 | 陳燦林 | 陳譽元

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