晶漿科技有限公司
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Name: 晶漿科技有限公司
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工廠名稱晶漿科技有限公司的主要產品是292其他專用機械設備, 統一編號是24211602, 工廠登記狀態是生產中, 工廠地址是桃園市中壢區仁和里中北路２段４５１巷１號.

工廠名稱	晶漿科技有限公司
工廠登記編號	99707901
工廠設立許可案號	(空)
工廠地址	桃園市中壢區仁和里中北路２段４５１巷１號
工廠市鎮鄉村里	桃園市中壢區仁和里
工廠負責人姓名	戴涪
統一編號	24211602
工廠組織型態	有限公司
工廠設立核准日期	(空)
工廠登記核准日期	0971103
工廠登記狀態	生產中
產業類別	29機械設備製造業
主要產品	292其他專用機械設備
同步更新日期	2024-05-05

工廠名稱

晶漿科技有限公司

工廠登記編號

99707901

工廠設立許可案號

(空)

工廠地址

桃園市中壢區仁和里中北路２段４５１巷１號

工廠市鎮鄉村里

桃園市中壢區仁和里

工廠負責人姓名

戴涪

統一編號

24211602

工廠組織型態

有限公司

工廠設立核准日期

(空)

工廠登記核准日期

0971103

工廠登記狀態

生產中

產業類別

29機械設備製造業

主要產品

292其他專用機械設備

同步更新日期

2024-05-05

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晶漿科技有限公司

統一編號: 24211602 | 電話號碼: 03-4374825 | 桃園市中壢區中北路二段451巷1號

晶漿科技有限公司

統一編號: 24211602 | 電話號碼: 03-4374825 | 桃園市中壢區中北路二段451巷1號

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圓極化微波橢圓球電漿源構造及其電漿產生方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 戴涪、許覺良、沈幼敏、鈕偉慶、黃重鈞、傅潮生、張錦泉 \| 證書號碼: 發明I233761 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
晶圓承載裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 戴涪、許覺良、黃重鈞、林隆湧、傅潮生 \| 證書號碼: 發明I233657 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線．蝕刻速率為2,500 A /min ．蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板大小:300mm×300mm，製程溫度低於450℃，均勻度為3% \| 潛力預估: 奈米碳管可用於場發射元件、奈米導線、奈米探針、儲能材料、結構複合材料等領域，為本世紀最具應用潛力的新材料，世界先進國家均積極投入研發，並列為各該國家奈米計畫研究重點項目。因此，開發大面積、高密度電漿源... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線；蝕刻速率為2,500 A /min ；蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
大尺寸長方型高真空閘閥	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Leak rate: body, valve seat< 1×10^-9 mbar Pressure range1×10^-9 mbar to 3.0 bar (abs)Differential pr... \| 潛力預估: 從半導體、平面顯示器到薄膜太陽能電池製程設備。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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公司地址	負責人	統一編號	狀態
晶漿科技有限公司桃園市中壢區中北路二段451巷1號	戴涪	24211602	解散 (核准解散日期: 2024-04-30)