光陽電氣行 @ 政府開放資料
光陽電氣行 - 搜尋結果總共有 312 筆政府開放資料，以下是 1 - 20 [第 1 頁]。
光陽電氣行 | 電話: | 高雄市大樹區久堂村建村街38號 | 銷售項目: 電視機,洗衣機,電冰箱,冷、暖氣機 @ 應設置資源回收設施之電子電器販賣業者資料 |
台北市北投區東華社區 | 地址: 東華街二段180-1號 | 縣市: 臺北市 | 主類別: 社區 | 簡介: 東華里於日據時代稱為：台北三星郡北投區唭哩岸。光復後改制稱為：台北縣七星區北投鎮立農里。民國三十六年八月改稱：陽明山管理局北投鎮立農里。民國五十七年七月一日改稱：台北市北投區立農里。民國六十三年十二月... | 經度座標: 121.511167 | 緯度座標: 25.1203 @ 經緯度查詢附近文化設施資料 |
次氯酸水對硫化氫反應速率研究暨太陽光電自主電力技術 | 執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1.以次氯酸水對硫化氫氣體進行消解 2.以太陽光電做為系統自主電力技術 | 潛力預估: 1.擴展至公共衛生事業應用 2.自主電力，消解過程不產生硫、鹽酸等副產物 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
次氯酸水對硫化氫反應速率研究暨太陽光電自主電力技術 | 執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 可撓式CIGS太陽電池非真空試量產線開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1.以次氯酸水對硫化氫氣體進行消解2.以太陽光電做為系統自主電力技術 | 潛力預估: 1.擴展至公共衛生事業應用2.自主電力，消解過程不產生硫、鹽酸等副產物 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
銅銦鎵硒膜層硒化燒結裝置 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 張百鎔; 胡松城; 盧永添 | 證書號碼: I440204 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
臺北公會堂 | 級別名稱: 國定古蹟 | 所屬主管機關: 文化部 | 指定登錄理由: (一)具高度歷史、藝術或科學價值者： １、歷史價值： (１)清領至日治初期：臺北公會堂原址為清領時期最高行政機關布政使司衙門建築群所在地。1895年5月乙未戰爭初期，衙門旁的行臺做為臺灣民主國的籌防局... @ 文資局古蹟 |
特展 島．電生活－臺灣電力的時代樣貌 | 國立臺灣博物館 | 活動起始日期: 2022/12/06 | 活動結束日期: 2024/04/07 | 折扣資訊: @ 展覽資訊 |
特展 島．電生活－臺灣電力的時代樣貌 | 國立臺灣博物館 | 活動起始日期: 2022/12/06 | 活動結束日期: 2024/04/07 | 折扣資訊: @ 藝文活動-所有類別 |
螢蝶舞東光‧星月菇饗宴 | 遊程主題: 賞蝶行程， 。 食農教育， 。 民俗文化， 。 生態保育 | 內容: 社區地理環境介紹 東光社區位於南投縣魚池鄉境內，緊鄰過坑山、大尖山及水社大山，社區亦被東光溪所貫穿，建庄至今一直延續農村聚落，保持農村風光，而怡人的氣候造就社區生態資源及產業的豐富和多元化。是個隱... | 更新日期: 2018/10/11 下午 09:10:03 @ 農村小旅行 |
奈米黏土表面改質技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 研發出奈米層狀基板材料，此混成基板是以無機有機混成之奈米層狀材料，而具方向性之奈米層狀排列材料設計將大幅度提升聚合物薄膜的機械、熱學及光學性質，除此之外，其也具有良好的透光率與極低的熱膨脹係數之特點 | 潛力預估: 本年度已輔導廠商應用此技術投入於太陽電池背板上之阻氣層開發，此主導性計畫核定之自籌研發經費為27,825千元，而太陽光電模組背板之開發成功將可取代關鍵膜材之進口值期約10億元/年,每年可創約50億元產... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
新型透明導電膜LFTO材料開發及圖案化技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 1. LFTO薄膜電性可達100W/□，薄膜厚度100nm，電阻率~1x10-3W-cm。 2. LFTO薄膜可見光穿透率可達89%，亮度90%，b*=0.8~-1.5(偏藍色)。 3. LFTO薄膜... | 潛力預估: 本技術未來可移轉國內光電產業，強化廠商在新型透明導電膜之關鍵材料與噴鍍製程之技術能力，將可大幅降低國內產業對稀有金屬銦的依賴進，並且替代目前真空濺鍍製程氧化銦錫薄膜，整合材料、製程、設備與系統各關鍵技... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TTA 南北大師開講-遨遊元宇宙，拓展新創大商機 | 聯絡方式: 06-3032369#206 | 是否收費: | 活動地點: 台灣台南市歸仁區歸仁十三路一段六號六樓(TTA南部據點) | 開始日期: 20220217 | 結束日期: 20220217 | 發起單位: 林先生 | 主辦單位: TTA(Taiwan Tech Arena台灣科技新創基地) @ 社會創新平台-探消息-活動看板 |
氣浮式高剛性奈米定位平台設計技術 | 執行單位: 精機中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業機械關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: ˙氣浮式次微米定位平台設計 －行程：180 mm －真直度：±0.5μm －平面度：±0.5μm －剛性：250N/μm(垂直) 105N/μm (水平) －重量：18.6 kg －最大推力：120N... | 潛力預估: 微細切削加工其高穩定度、高精度與多維度的製程特質，將提供光電、3C等產業有別於微機電系統技術的實質優勢。譬如光纖通訊上之低光學能量損耗、低干擾、甚至全光纖網路的建構，均可在微細加工這個領域內加以實現並... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
大氣噴鍍氧化物技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術開發之透明導電氧化物薄膜，薄膜片電阻值可達50/?且可見光穿透率為85%，將可以應用於觸控面板產業；如將材料組成進一步做調整將可以應用在節能玻璃技術上，其紅外線反射率可達85%以上，節能效果超... | 潛力預估: 本技術可廣泛的應用於觸控面板、顯示、太陽電池與節能玻璃產業，在顯示與觸控面板產業可促進ITO替代的演進時程，並大幅降低廠商的製造成本與提升產能的優勢，而在節能玻璃產業可以替換目前昂貴且製程效率差的金屬... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿製程設備技術 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面形遠距... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿製程設備技術 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿製程設備技術 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3(專利申請) 長線形遠距式射頻波電漿源：≧720 mm，電漿密度1010cm-3(已獲專利) 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1... | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
淡水街長多田榮吉故居 | 級別名稱: 直轄市定古蹟 | 所屬主管機關: 新北市政府 | 指定登錄理由: 1.本建物為日本治臺時期官員之住宅，具有歷史見證意義，位於日式住宅區，增添淡水的國際性色彩。 2.環境形式優美，位在砲臺埔前緣，俯瞰淡水河，遠眺觀音山，附近植栽茂盛。 3.整體建物仍具日式木造住宅之完... @ 文資局古蹟 |
一種改善Ti-V-Cr系BCC儲氫合金活化性能之方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 鄭榮瑞;伍員鵬;聶若光;梁仕昌 | 證書號碼: I393782 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
社創中心五週年週年慶系列活動-淨零趨勢論壇——永續共好，打造淨零產業生態系 | 聯絡方式: 02-6631-5055 | 是否收費: | 活動地點: 大安區仁愛路三段99號 (社會創新實驗中心) | 開始日期: 20221028 | 結束日期: 20221028 | 發起單位: 社創五週年慶窗口 | 主辦單位: 社會創新實驗中心 @ 社會創新平台-探消息-活動看板 |
光陽電氣行電話: | 高雄市大樹區久堂村建村街38號 | 銷售項目: 電視機,洗衣機,電冰箱,冷、暖氣機 @ 應設置資源回收設施之電子電器販賣業者資料 |
台北市北投區東華社區地址: 東華街二段180-1號 | 縣市: 臺北市 | 主類別: 社區 | 簡介: 東華里於日據時代稱為：台北三星郡北投區唭哩岸。光復後改制稱為：台北縣七星區北投鎮立農里。民國三十六年八月改稱：陽明山管理局北投鎮立農里。民國五十七年七月一日改稱：台北市北投區立農里。民國六十三年十二月... | 經度座標: 121.511167 | 緯度座標: 25.1203 @ 經緯度查詢附近文化設施資料 |
次氯酸水對硫化氫反應速率研究暨太陽光電自主電力技術執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1.以次氯酸水對硫化氫氣體進行消解 2.以太陽光電做為系統自主電力技術 | 潛力預估: 1.擴展至公共衛生事業應用 2.自主電力，消解過程不產生硫、鹽酸等副產物 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
次氯酸水對硫化氫反應速率研究暨太陽光電自主電力技術執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 可撓式CIGS太陽電池非真空試量產線開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1.以次氯酸水對硫化氫氣體進行消解2.以太陽光電做為系統自主電力技術 | 潛力預估: 1.擴展至公共衛生事業應用2.自主電力，消解過程不產生硫、鹽酸等副產物 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
銅銦鎵硒膜層硒化燒結裝置核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 張百鎔; 胡松城; 盧永添 | 證書號碼: I440204 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
臺北公會堂級別名稱: 國定古蹟 | 所屬主管機關: 文化部 | 指定登錄理由: (一)具高度歷史、藝術或科學價值者： １、歷史價值： (１)清領至日治初期：臺北公會堂原址為清領時期最高行政機關布政使司衙門建築群所在地。1895年5月乙未戰爭初期，衙門旁的行臺做為臺灣民主國的籌防局... @ 文資局古蹟 |
特展 島．電生活－臺灣電力的時代樣貌國立臺灣博物館 | 活動起始日期: 2022/12/06 | 活動結束日期: 2024/04/07 | 折扣資訊: @ 展覽資訊 |
特展 島．電生活－臺灣電力的時代樣貌國立臺灣博物館 | 活動起始日期: 2022/12/06 | 活動結束日期: 2024/04/07 | 折扣資訊: @ 藝文活動-所有類別 |
螢蝶舞東光‧星月菇饗宴遊程主題: 賞蝶行程， 。 食農教育， 。 民俗文化， 。 生態保育 | 內容: 社區地理環境介紹 東光社區位於南投縣魚池鄉境內，緊鄰過坑山、大尖山及水社大山，社區亦被東光溪所貫穿，建庄至今一直延續農村聚落，保持農村風光，而怡人的氣候造就社區生態資源及產業的豐富和多元化。是個隱... | 更新日期: 2018/10/11 下午 09:10:03 @ 農村小旅行 |
奈米黏土表面改質技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 研發出奈米層狀基板材料，此混成基板是以無機有機混成之奈米層狀材料，而具方向性之奈米層狀排列材料設計將大幅度提升聚合物薄膜的機械、熱學及光學性質，除此之外，其也具有良好的透光率與極低的熱膨脹係數之特點 | 潛力預估: 本年度已輔導廠商應用此技術投入於太陽電池背板上之阻氣層開發，此主導性計畫核定之自籌研發經費為27,825千元，而太陽光電模組背板之開發成功將可取代關鍵膜材之進口值期約10億元/年,每年可創約50億元產... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
新型透明導電膜LFTO材料開發及圖案化技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 1. LFTO薄膜電性可達100W/□，薄膜厚度100nm，電阻率~1x10-3W-cm。 2. LFTO薄膜可見光穿透率可達89%，亮度90%，b*=0.8~-1.5(偏藍色)。 3. LFTO薄膜... | 潛力預估: 本技術未來可移轉國內光電產業，強化廠商在新型透明導電膜之關鍵材料與噴鍍製程之技術能力，將可大幅降低國內產業對稀有金屬銦的依賴進，並且替代目前真空濺鍍製程氧化銦錫薄膜，整合材料、製程、設備與系統各關鍵技... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TTA 南北大師開講-遨遊元宇宙，拓展新創大商機聯絡方式: 06-3032369#206 | 是否收費: | 活動地點: 台灣台南市歸仁區歸仁十三路一段六號六樓(TTA南部據點) | 開始日期: 20220217 | 結束日期: 20220217 | 發起單位: 林先生 | 主辦單位: TTA(Taiwan Tech Arena台灣科技新創基地) @ 社會創新平台-探消息-活動看板 |
氣浮式高剛性奈米定位平台設計技術執行單位: 精機中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業機械關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: ˙氣浮式次微米定位平台設計 －行程：180 mm －真直度：±0.5μm －平面度：±0.5μm －剛性：250N/μm(垂直) 105N/μm (水平) －重量：18.6 kg －最大推力：120N... | 潛力預估: 微細切削加工其高穩定度、高精度與多維度的製程特質，將提供光電、3C等產業有別於微機電系統技術的實質優勢。譬如光纖通訊上之低光學能量損耗、低干擾、甚至全光纖網路的建構，均可在微細加工這個領域內加以實現並... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
大氣噴鍍氧化物技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術開發之透明導電氧化物薄膜，薄膜片電阻值可達50/?且可見光穿透率為85%，將可以應用於觸控面板產業；如將材料組成進一步做調整將可以應用在節能玻璃技術上，其紅外線反射率可達85%以上，節能效果超... | 潛力預估: 本技術可廣泛的應用於觸控面板、顯示、太陽電池與節能玻璃產業，在顯示與觸控面板產業可促進ITO替代的演進時程，並大幅降低廠商的製造成本與提升產能的優勢，而在節能玻璃產業可以替換目前昂貴且製程效率差的金屬... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿製程設備技術執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面形遠距... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿製程設備技術執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度電漿製程設備技術執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3(專利申請) 長線形遠距式射頻波電漿源：≧720 mm，電漿密度1010cm-3(已獲專利) 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1... | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
淡水街長多田榮吉故居級別名稱: 直轄市定古蹟 | 所屬主管機關: 新北市政府 | 指定登錄理由: 1.本建物為日本治臺時期官員之住宅，具有歷史見證意義，位於日式住宅區，增添淡水的國際性色彩。 2.環境形式優美，位在砲臺埔前緣，俯瞰淡水河，遠眺觀音山，附近植栽茂盛。 3.整體建物仍具日式木造住宅之完... @ 文資局古蹟 |
一種改善Ti-V-Cr系BCC儲氫合金活化性能之方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 鄭榮瑞;伍員鵬;聶若光;梁仕昌 | 證書號碼: I393782 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
社創中心五週年週年慶系列活動-淨零趨勢論壇——永續共好，打造淨零產業生態系聯絡方式: 02-6631-5055 | 是否收費: | 活動地點: 大安區仁愛路三段99號 (社會創新實驗中心) | 開始日期: 20221028 | 結束日期: 20221028 | 發起單位: 社創五週年慶窗口 | 主辦單位: 社會創新實驗中心 @ 社會創新平台-探消息-活動看板 |