張弘昇 @ 政府開放資料

張弘昇 - 搜尋結果總共有 33 筆政府開放資料,以下是 1 - 20 [第 1 頁]。

欣興電子股份有限公司大園廠

主要產品: 263印刷電路板 | 統一編號: 23535435 | 工廠登記狀態: 生產中 | 桃園市大園區內海里民權路5號

@ 登記工廠名錄

張弘昇 餅乾店

公司統一編號: | 登錄項目: 公司/商業登記 | 嘉義縣中埔鄉中山路五段961巷8弄20號 | 食品業者登錄字號: Q-200196352-00000-1

@ 食品業者登錄資料集

文昌國小游泳池(館)

場館實際管理人電話: 05-3742172 | 場館分類: 游泳池(館) | 停車場種類: 無停車場 | 嘉義縣新港鄉宮前村古民街12號

@ 全國運動場館資訊

光資訊儲存與影像標準驗證

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧為工研院自行開發之藍光碟片染料及新製程技術,此研發成果已申請專利,配合驗證測試能力,可提高國內藍光光碟片業者的自製率,並可規避或降低權利金支出_x000D_‧經由參與國際 HD DVD新規格訂定之組... | 潛力預估: 藍光光碟用染料及配方製程技術,可技轉國內生產染料的化工廠、生產碟片的碟片廠及製造碟機錄影機的系統廠,以提昇光碟產業技術水準,並縮短產品開發時程,提高國際市場競爭力

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

蝶型光訊號收發模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 朱慕道, 吳文進, 張淵仁, 陳穎志, 李俊興, 陳智禮 | 證書號碼: 215129

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

高速光電元件技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 | 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來,會對LD與PIN的市場需求量大增,故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧,以符合未來市場或技轉的要求。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

高速光發射、接收次模組封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 工研院光電所已掌握高速光發射、接收次模組之元件設計、製作與封裝技術,並已在此領域中提出光次模組中、美專利申請。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化物(藍光)發光二極體

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 藍光LED (430nm~480nm)、綠光LED (510nm-550nm)、白光LED。 | 潛力預估: 白光LED應用於照明用產品還處於雛型階段,目前並無通用之照明燈具之商用規格,若能結合照明產業,加緊研發腳步,爭取新的智慧財產權,未來有機會參與制定國際規格,可為國內照明產業開創新的商機。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

平面光波導對準封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment_x000D_;X,Y, Z, ?x, ?y, ?z 6-axis Alignme... | 潛力預估: 本技術包含程式化的主動耦光對準、自動填膠固化、熱烤溫控封裝及環測等技術,極具產品競爭力。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

陣列式高速光接收模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 經測試驗證符合SNAP 12規範要求。 | 潛力預估: 由於目前90%以上campus or building都是佈建多模光纖且涵蓋範圍小於300m區域,若要有效提升傳輸頻寬,陣列式光模組技術適時提供一高速、多通道、小型化solution,預計將逐漸成為...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鋁銦鎵深紫外光發光二極體製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 發光波長:365+/-5nm, 輸出功率 Pout>3.6mW@20mA | 潛力預估: 光電所以針對深紫外光發光二極體製作技術與白光 LED 製作技術進行相關專利佈局,未來在發光效率如能提昇,有機會突破現有藍光加螢光粉之專利封鎖

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鎵基板

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。光電所已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術,並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準,並提供氮化鎵元件磊晶所需之基...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化物(藍光)雷射二極體

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 370nm~440nm,Po≧5mW (CW, RT),single transverse mode適用於HD-DVD ROM;370nm~440nm,Po≧30mW (CW,RT),single_x... | 潛力預估: 光電所已建立完整DVD LD上游磊晶、中游製程、下游封裝之技術能力,預期未來技術趕上世界水準,開創下世化HD-DVD所需光源。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

可撓式増艷型高對比螢幕技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 半導體光源及應用關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 採用金屬與介電質材料交替層設計,利用超薄金屬膜吸收特性,達到光譜需求。準確控制RGB訊號光的峰值位置,可利用輔助層設計來調整膜系峰值位置 | 潛力預估: 可延伸出其他諸如車後娛樂系統等顯示應用

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鎵 (藍光) LD磊晶技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 氮化鎵雷射二極體(λ=405±5nm,5mW:CW lifetime≧100hrs) | 潛力預估: 未來藍光雷射二極體可將光碟片之儲存容量提昇到單15G Byte,約為目前DVD光碟片儲存密度之4倍

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鎵基板技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。本技術已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術,並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準,並提供氮化鎵元件磊晶所需之基...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鎵基板

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 低缺陷密度且Free Standing GaN基板的獲得,對於高效率UV-LED與高品質藍紫光LD元件是不可或缺的,所以此一技術在國內的開發成功,不僅能突破目前國際上對於GaN元件的專利封鎖,更能加速...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

中國古代文化經濟史

作者: 張永昇編著 | 出版單位: 弘雅三民圖書 | 版次: | 出版年月: 112/08 | 適讀對象: 成人(一般) | 頁數: | 得獎紀錄: | ISBN: 978-626-370-116-8 (EPUB)

@ 臺灣出版新書預告書訊

環境保護35年回顧與展望

作者: 丁子芸, 王盈方, 溫育勇, 吳奕霖, 郭孟芸, 吳孟兒, 葉信君, 郭文娟, 龔偉玲, 潘淑華, 方敬勛, 章心怡, 何麗卿, 劉婉儀, 李維民, 魏 薇, 張育禎, 羅禮淳, 周雯萱, 陳冠宇, ... | 出版單位: 環保署 | 版次: | 出版年月: 111/08 | 適讀對象: 成人(一般) | 頁數: | 得獎紀錄: | ISBN: 978-986-5438-69-2 (全套:平裝, 28公分)

@ 臺灣出版新書預告書訊

無題8. 橙(2/2)

蕭勤 | 臺北市 | 場域: 其他 | 114臺北市內湖區民權東路六段91號 辦公廳舍三樓

@ 文化部公共藝術

欣興電子股份有限公司大園廠

主要產品: 263印刷電路板 | 統一編號: 23535435 | 工廠登記狀態: 生產中 | 桃園市大園區內海里民權路5號

@ 登記工廠名錄

張弘昇 餅乾店

公司統一編號: | 登錄項目: 公司/商業登記 | 嘉義縣中埔鄉中山路五段961巷8弄20號 | 食品業者登錄字號: Q-200196352-00000-1

@ 食品業者登錄資料集

文昌國小游泳池(館)

場館實際管理人電話: 05-3742172 | 場館分類: 游泳池(館) | 停車場種類: 無停車場 | 嘉義縣新港鄉宮前村古民街12號

@ 全國運動場館資訊

光資訊儲存與影像標準驗證

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧為工研院自行開發之藍光碟片染料及新製程技術,此研發成果已申請專利,配合驗證測試能力,可提高國內藍光光碟片業者的自製率,並可規避或降低權利金支出_x000D_‧經由參與國際 HD DVD新規格訂定之組... | 潛力預估: 藍光光碟用染料及配方製程技術,可技轉國內生產染料的化工廠、生產碟片的碟片廠及製造碟機錄影機的系統廠,以提昇光碟產業技術水準,並縮短產品開發時程,提高國際市場競爭力

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

蝶型光訊號收發模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 專利發明人: 朱慕道, 吳文進, 張淵仁, 陳穎志, 李俊興, 陳智禮 | 證書號碼: 215129

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

高速光電元件技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 | 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來,會對LD與PIN的市場需求量大增,故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧,以符合未來市場或技轉的要求。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

高速光發射、接收次模組封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 工研院光電所已掌握高速光發射、接收次模組之元件設計、製作與封裝技術,並已在此領域中提出光次模組中、美專利申請。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化物(藍光)發光二極體

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 藍光LED (430nm~480nm)、綠光LED (510nm-550nm)、白光LED。 | 潛力預估: 白光LED應用於照明用產品還處於雛型階段,目前並無通用之照明燈具之商用規格,若能結合照明產業,加緊研發腳步,爭取新的智慧財產權,未來有機會參與制定國際規格,可為國內照明產業開創新的商機。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

平面光波導對準封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment_x000D_;X,Y, Z, ?x, ?y, ?z 6-axis Alignme... | 潛力預估: 本技術包含程式化的主動耦光對準、自動填膠固化、熱烤溫控封裝及環測等技術,極具產品競爭力。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

陣列式高速光接收模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 經測試驗證符合SNAP 12規範要求。 | 潛力預估: 由於目前90%以上campus or building都是佈建多模光纖且涵蓋範圍小於300m區域,若要有效提升傳輸頻寬,陣列式光模組技術適時提供一高速、多通道、小型化solution,預計將逐漸成為...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鋁銦鎵深紫外光發光二極體製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 發光波長:365+/-5nm, 輸出功率 Pout>3.6mW@20mA | 潛力預估: 光電所以針對深紫外光發光二極體製作技術與白光 LED 製作技術進行相關專利佈局,未來在發光效率如能提昇,有機會突破現有藍光加螢光粉之專利封鎖

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鎵基板

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。光電所已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術,並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準,並提供氮化鎵元件磊晶所需之基...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化物(藍光)雷射二極體

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 370nm~440nm,Po≧5mW (CW, RT),single transverse mode適用於HD-DVD ROM;370nm~440nm,Po≧30mW (CW,RT),single_x... | 潛力預估: 光電所已建立完整DVD LD上游磊晶、中游製程、下游封裝之技術能力,預期未來技術趕上世界水準,開創下世化HD-DVD所需光源。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

可撓式増艷型高對比螢幕技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 半導體光源及應用關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 採用金屬與介電質材料交替層設計,利用超薄金屬膜吸收特性,達到光譜需求。準確控制RGB訊號光的峰值位置,可利用輔助層設計來調整膜系峰值位置 | 潛力預估: 可延伸出其他諸如車後娛樂系統等顯示應用

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鎵 (藍光) LD磊晶技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 氮化鎵雷射二極體(λ=405±5nm,5mW:CW lifetime≧100hrs) | 潛力預估: 未來藍光雷射二極體可將光碟片之儲存容量提昇到單15G Byte,約為目前DVD光碟片儲存密度之4倍

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鎵基板技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。本技術已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術,並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準,並提供氮化鎵元件磊晶所需之基...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

氮化鎵基板

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 低缺陷密度且Free Standing GaN基板的獲得,對於高效率UV-LED與高品質藍紫光LD元件是不可或缺的,所以此一技術在國內的開發成功,不僅能突破目前國際上對於GaN元件的專利封鎖,更能加速...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

中國古代文化經濟史

作者: 張永昇編著 | 出版單位: 弘雅三民圖書 | 版次: | 出版年月: 112/08 | 適讀對象: 成人(一般) | 頁數: | 得獎紀錄: | ISBN: 978-626-370-116-8 (EPUB)

@ 臺灣出版新書預告書訊

環境保護35年回顧與展望

作者: 丁子芸, 王盈方, 溫育勇, 吳奕霖, 郭孟芸, 吳孟兒, 葉信君, 郭文娟, 龔偉玲, 潘淑華, 方敬勛, 章心怡, 何麗卿, 劉婉儀, 李維民, 魏 薇, 張育禎, 羅禮淳, 周雯萱, 陳冠宇, ... | 出版單位: 環保署 | 版次: | 出版年月: 111/08 | 適讀對象: 成人(一般) | 頁數: | 得獎紀錄: | ISBN: 978-986-5438-69-2 (全套:平裝, 28公分)

@ 臺灣出版新書預告書訊

無題8. 橙(2/2)

蕭勤 | 臺北市 | 場域: 其他 | 114臺北市內湖區民權東路六段91號 辦公廳舍三樓

@ 文化部公共藝術

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