植入奈米碳管之製程方法 @ 政府開放資料

植入奈米碳管之製程方法 - 搜尋結果總共有 4 筆政府開放資料,以下是 1 - 4 [第 1 頁]。

植入奈米碳管之製程方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , | 證書號碼: I321123

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管背光模組雷射植入場發射子之製程方法

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米碳管直徑:10μm | 潛力預估: 光電業及半導體業

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

奈米碳管植入方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭中緯 ,廖仕傑 ,陳輝達 , | 證書號碼: I404450

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

一種使用雷射植入奈米碳管場發射子之製程方法

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米碳管直徑:10μm | 潛力預估: 可搶攻FPD市場,極具市場淺力

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

植入奈米碳管之製程方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , | 證書號碼: I321123

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

奈米碳管背光模組雷射植入場發射子之製程方法

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米碳管直徑:10μm | 潛力預估: 光電業及半導體業

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

奈米碳管植入方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭中緯 ,廖仕傑 ,陳輝達 , | 證書號碼: I404450

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

一種使用雷射植入奈米碳管場發射子之製程方法

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米碳管直徑:10μm | 潛力預估: 可搶攻FPD市場,極具市場淺力

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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