高介電值閘極介電物技術 @ 政府開放資料

高介電值閘極介電物技術 - 搜尋結果總共有 3 筆政府開放資料，以下是 1 - 3 [第 1 頁]。

高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
使用液相氧化金屬製作高介電值閘極介電物的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 95 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭智昇、胡振國、李隆盛、曾培哲 \| 證書號碼: @ 經濟部產業技術司–專利資料集
金氧半電晶體之高介電值閘極介電層的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭智昇、胡振國、李隆盛、曾培哲 \| 證書號碼: I228789 @ 經濟部產業技術司–專利資料集