無光罩金屬薄膜製程技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文無光罩金屬薄膜製程技術的執行單位是工研院光電所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 技術規格是‧ Metal Film: 0.3-60 um ‧ Glass/PET/FR-4 / PI / BT ‧ Line Width: < 60~100 um ‧ Line Pitch < 10 um ‧ Resistivity < 8 Bulk of Cu, 潛力預估是此技術具有潛力的應用，例如全彩平面顯示器(full color flat display)、薄膜分離 (membrane separation)、電放光元件(electroluminescent devices)、導電及絕緣線路（conducting and insulating circuits）....

序號	30
產出年度	93
技術名稱-中文	無光罩金屬薄膜製程技術
執行單位	工研院光電所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	一般製作 PCB 線路板的過程包括將金屬薄膜壓於基板上，再用旋轉塗佈的方式塗佈上一層光阻，而後加以光罩曝光、顯影、蝕刻，進而鑽孔與烘烤、壓合與電鍍等多項步驟，並經過多次測試與修補後才能完成整個流程，過程相當繁複。本技術利用薄膜自組成步驟 ( self-assembly step)、催化劑微液滴噴印步驟 ( micro-dispensing step ) 和化鍍金屬步驟 ( electroless plating step ) 等3個關鍵製程技術，除減少了光罩設計製作時間外，更大幅減少了整個製程的費用。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	‧ Metal Film: 0.3-60 um ‧ Glass/PET/FR-4 / PI / BT ‧ Line Width: < 60~100 um ‧ Line Pitch < 10 um ‧ Resistivity < 8 Bulk of Cu
技術成熟度	已完成無光罩金屬薄膜製程圖案化製程技術開發，其具有無光罩Pattern Free、常溫製程、Low Cost、適用各種Substrate、優異的Flexible Substrate附著性等特點。
可應用範圍	‧ RFID Coil 製作 & Chip on Coil ‧ PCB ‧ 高頻、高密度 Embedded Passive ‧ Chip on Flex ‧ CSP 晶圓封裝 ‧ TFT Electrode & Line
潛力預估	此技術具有潛力的應用，例如全彩平面顯示器(full color flat display)、薄膜分離 (membrane separation)、電放光元件(electroluminescent devices)、導電及絕緣線路（conducting and insulating circuits）、光學或非線性光學元件（optical and nonlinear optical devices）、多元素化學感測器（multi-element chemical sensors）等；過去主要是採用塗佈光阻後蝕刻的製作方式。這些應用可逐步用本技術取代。
聯絡人員	陳泰元
電話	03-5918309
傳真	03-5833190
電子信箱	tychen@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	有意願投入噴印技術相關廠商。
需具備之專業人才	光電相關背景

序號

產出年度

技術名稱-中文

無光罩金屬薄膜製程技術

執行單位

工研院光電所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院通訊與光電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

一般製作 PCB 線路板的過程包括將金屬薄膜壓於基板上，再用旋轉塗佈的方式塗佈上一層光阻，而後加以光罩曝光、顯影、蝕刻，進而鑽孔與烘烤、壓合與電鍍等多項步驟，並經過多次測試與修補後才能完成整個流程，過程相當繁複。本技術利用薄膜自組成步驟 ( self-assembly step)、催化劑微液滴噴印步驟 ( micro-dispensing step ) 和化鍍金屬步驟 ( electroless plating step ) 等3個關鍵製程技術，除減少了光罩設計製作時間外，更大幅減少了整個製程的費用。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧ Metal Film: 0.3-60 um ‧ Glass/PET/FR-4 / PI / BT ‧ Line Width: < 60~100 um ‧ Line Pitch < 10 um ‧ Resistivity < 8 Bulk of Cu

技術成熟度

已完成無光罩金屬薄膜製程圖案化製程技術開發，其具有無光罩Pattern Free、常溫製程、Low Cost、適用各種Substrate、優異的Flexible Substrate附著性等特點。

可應用範圍

‧ RFID Coil 製作 & Chip on Coil ‧ PCB ‧ 高頻、高密度 Embedded Passive ‧ Chip on Flex ‧ CSP 晶圓封裝 ‧ TFT Electrode & Line

潛力預估

此技術具有潛力的應用，例如全彩平面顯示器(full color flat display)、薄膜分離 (membrane separation)、電放光元件(electroluminescent devices)、導電及絕緣線路（conducting and insulating circuits）、光學或非線性光學元件（optical and nonlinear optical devices）、多元素化學感測器（multi-element chemical sensors）等；過去主要是採用塗佈光阻後蝕刻的製作方式。這些應用可逐步用本技術取代。

聯絡人員

陳泰元

電話

03-5918309

傳真

03-5833190

電子信箱

tychen@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

有意願投入噴印技術相關廠商。

需具備之專業人才

光電相關背景

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彩色多功能噴墨事務機系統	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ADF：20pages。 ‧掃描方式：Color CCD。 ‧文稿實度：148~218mm。 ‧列印解析度：2400(H)×1200dpi(V)。 ‧列印速度：17ppm(Black；Draft)、... \| 潛力預估: 多功能事務機在市場價格日漸降低的同時，正顯示其潛力正日漸上漲中，預期至2004年產量可達1,370萬台，成長為12.85%。 @ 技術司可移轉技術資料集
噴墨印表機／傳真機ASIC開發技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧工作頻率：48MHz。 ‧資料匯流排：32位元。 ‧電源：3.3V。 ‧DRAM控制電路：最大可控制8MB。 ‧適用噴墨頭：HP51645、C1823，Lexmark12A1970、15M0120等... \| 潛力預估: 噴墨印表機價格低廉，又可滿足彩色化的列印，使用噴墨印表機來作相片的列印，受到個人及家庭市場的喜愛，且市場規模龐大，已成為市場銷售的主力產品；預計2006年產量可達6,735萬台，複合年成長率為3.2%... @ 技術司可移轉技術資料集
單色/彩色熱氣泡噴墨式印頭	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧解析度：300dpi/600dpi。 ‧噴墨體積：5pl~120pl。 ‧工作頻率：5~12KHZ(單色)：3~18KHZ(彩色)。 \| 潛力預估: ‧ 目前國內噴墨印頭廠創造總產值每年新台幣16億元，持續成長中。 ‧ 可以噴墨印頭技術為基礎，開發各項工業應用及製造技術(如Color Filter、PLED、Bio Chip、Fuel Inject... @ 技術司可移轉技術資料集
圖文分離技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧Clock rate: 10MHz(Max.). ‧Scan speed: 5 ms/line(Max.). ‧Document size: B4(Max.). ‧Voltage: 5V。 ‧Hal... \| 潛力預估: 在需要影像處理為基礎的產業中，本技術能夠使之具備較佳品質的關鍵角色。 @ 技術司可移轉技術資料集
色彩修正晶片模組	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 圖素輸入匯流排線寬度：8Bits。 ‧ 圖素輸出匯流排線寬度：8Bits。 ‧ 每色彩圖素處理時間：20 cck cycle。 ‧ 支援RGB色座標與KCMY色座標轉換。 ‧ 使用17×17×1... \| 潛力預估: 該相關技術在彩色印表機及多功能事務機領域是決定列印品質優劣的決戰項目之一。 @ 技術司可移轉技術資料集
彩色多功能事務機晶片組	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 列印解析度：最高2,400×1,200dpi。 ‧ 列印速度：最快17ppm。 ‧ 列印色階：最高4,913色。 ‧ 光學解析度：Up to 1,200dpi。 ‧ CCD掃描速度：Up to 5... \| 潛力預估: 配合多功能事務機，落實本土發展，技術生根的原則，能提供給國內完整的配套Solution。 @ 技術司可移轉技術資料集
工業噴印平台設計	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Drop on Demand、Step Patterning、Printing on the fly快速列印技術。 ‧ Pixel修補列印技術(Patch Process)。 ‧ 墨點自動分析系統... \| 潛力預估: 本技術可應用於多種領域，如TFTs配向膜/彩色濾光片/液晶填充製程應用/PLED製程應用/印刷電路版/封裝產業/光電元件製程應用…。 @ 技術司可移轉技術資料集
熱氣泡式燃油噴射霧化器	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 操作環境溫度：-15℃~ -60℃。 ‧ 單體噴嘴出口壓力：0~-0.1kg/cm2。 ‧ 噴射油滴直徑： \| 潛力預估: 當前全球機車年產量約為2300萬輛/年，台灣機車年產量約為110萬輛/年，且中國大陸機車年產量約為900萬輛/年，預計可創造每年新台幣15億以上的產值。 @ 技術司可移轉技術資料集

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微型慣性感測元件研製	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元，由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點，根據美國Honeywell公司對產品評估，與傳統機電式慣性感測單元比較，體積上可縮小90%，電源消耗上減少8... \| 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛，未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上，發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量，完成核心組件專利佈局，協助業界...
氫電關鍵元件材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm，He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒，平均粒徑3nm以下，白金含... \| 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池
奈米材料及元件檢測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 \| 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。
具振動抑制複材管件結構改良	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) \| 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等
輕質蜂巢聲阻結構	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 厚度 \| 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 \| 潛力預估: 有賴技術推廣
電鑄模仁低溫增厚技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)接合溫度200-400℃； (2)結合強度3000psi以上； (3)變形量 \| 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。
繞射光學鏡片設計與製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差 \| 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。
CMOS影像IC設計及影像處理像技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... \| 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。
紅外光無線數位電子錢包付款技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 \| 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I...
自助式數位印相系統	執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 \| 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。
音效即時傳輸與播放系統	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 \| 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯...
氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性
氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性
太陽光紫外線強度量測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性