2公升規模重組腺相關病毒 (rAAV)基因載體製程與品質分析技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文2公升規模重組腺相關病毒 (rAAV)基因載體製程與品質分析技術的執行單位是生技中心, 產出年度是93, 計畫名稱是基因藥物技術及產品開發四年計畫.

序號75
產出年度93
技術名稱-中文2公升規模重組腺相關病毒 (rAAV)基因載體製程與品質分析技術
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以293細胞株貼附細胞生產重組腺相關病毒,每批次生產可達2公升規模平盤細胞培養。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度實驗室階規模,但已可逐步擴大製程
可應用範圍基因治療藥物
潛力預估(空)
聯絡人員鄭惠娟
電話(02)26956933 ext 1422
傳真(02)26956933 ext 1412
電子信箱hjjeng@mail.dcb.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備無菌操作台、恆溫培養箱、高速離心機
需具備之專業人才生化相關背景
同步更新日期2023-07-22

序號

75

產出年度

93

技術名稱-中文

2公升規模重組腺相關病毒 (rAAV)基因載體製程與品質分析技術

執行單位

生技中心

產出單位

(空)

計畫名稱

基因藥物技術及產品開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

以293細胞株貼附細胞生產重組腺相關病毒,每批次生產可達2公升規模平盤細胞培養。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

(空)

技術成熟度

實驗室階規模,但已可逐步擴大製程

可應用範圍

基因治療藥物

潛力預估

(空)

聯絡人員

鄭惠娟

電話

(02)26956933 ext 1422

傳真

(02)26956933 ext 1412

電子信箱

hjjeng@mail.dcb.org.tw

參考網址

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所須軟硬體設備

無菌操作台、恆溫培養箱、高速離心機

需具備之專業人才

生化相關背景

同步更新日期

2023-07-22

根據名稱 2公升規模重組腺相關病毒 rAAV 基因載體製程與品質分析技術 找到的相關資料

# 2公升規模重組腺相關病毒 rAAV 基因載體製程與品質分析技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號817
產出年度94
技術名稱-中文5公升規模重組腺相關病毒 (rAAV)基因載體製程與品質分析技術
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文技術說明 : 以293細胞株貼附細胞生產重組腺相關病毒,每批次生產可達5公升規模平盤細胞培養。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格5公升規模平盤細胞培養,細胞數可達1E+10,病毒力價4E+12
技術成熟度實驗室等級,已可逐步擴大製程
可應用範圍基因治療藥物
潛力預估可作為遺傳性疾病基因藥物、癌症藥物
聯絡人員鄭惠娟
電話(02)2695-6933轉 1422
傳真(02)2695-6933 轉 1412
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所須軟硬體設備無菌操作台、恆溫培養箱、高速離心機
需具備之專業人才生化相關背景
序號: 817
產出年度: 94
技術名稱-中文: 5公升規模重組腺相關病毒 (rAAV)基因載體製程與品質分析技術
執行單位: 生技中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 技術說明 : 以293細胞株貼附細胞生產重組腺相關病毒,每批次生產可達5公升規模平盤細胞培養。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 5公升規模平盤細胞培養,細胞數可達1E+10,病毒力價4E+12
技術成熟度: 實驗室等級,已可逐步擴大製程
可應用範圍: 基因治療藥物
潛力預估: 可作為遺傳性疾病基因藥物、癌症藥物
聯絡人員: 鄭惠娟
電話: (02)2695-6933轉 1422
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所須軟硬體設備: 無菌操作台、恆溫培養箱、高速離心機
需具備之專業人才: 生化相關背景
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# 02 26956933 ext 1422 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號73
產出年度93
技術名稱-中文肝醣貯積症第三型(GSD III)基因藥物功能分析技術
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用遺傳工程技術,將去分支酵素完整cDNA插入腺病毒基因治療載體,以利於感染生物體並表現此去分支酵素,達到治療的目的。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍基因治療藥物
潛力預估(空)
聯絡人員鄭惠娟
電話(02)26956933 ext 1422
傳真(02)26956933 ext 1412
電子信箱hjjeng@mail.dcb.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才生化相關背景
序號: 73
產出年度: 93
技術名稱-中文: 肝醣貯積症第三型(GSD III)基因藥物功能分析技術
執行單位: 生技中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用遺傳工程技術,將去分支酵素完整cDNA插入腺病毒基因治療載體,以利於感染生物體並表現此去分支酵素,達到治療的目的。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 基因治療藥物
潛力預估: (空)
聯絡人員: 鄭惠娟
電話: (02)26956933 ext 1422
傳真: (02)26956933 ext 1412
電子信箱: hjjeng@mail.dcb.org.tw
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所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 生化相關背景

# 02 26956933 ext 1422 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號74
產出年度93
技術名稱-中文20公升規模質體DNA製程
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用20公升醱酵槽及饋料式醱酵法生產質體,並利用高速離心機及超濾系統及管柱層析法分離純化出高純度之質體
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍DNA疫苗、基因治療藥物
潛力預估(空)
聯絡人員鄭惠娟
電話(02)26956933 ext 1422
傳真(02)26956933 ext 1412
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所須軟硬體設備無菌操作台、醱酵槽、高速離心機、超濾系統及層析管柱
需具備之專業人才化工、生化相關背景
序號: 74
產出年度: 93
技術名稱-中文: 20公升規模質體DNA製程
執行單位: 生技中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用20公升醱酵槽及饋料式醱酵法生產質體,並利用高速離心機及超濾系統及管柱層析法分離純化出高純度之質體
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: DNA疫苗、基因治療藥物
潛力預估: (空)
聯絡人員: 鄭惠娟
電話: (02)26956933 ext 1422
傳真: (02)26956933 ext 1412
電子信箱: hjjeng@mail.dcb.org.tw
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所須軟硬體設備: 無菌操作台、醱酵槽、高速離心機、超濾系統及層析管柱
需具備之專業人才: 化工、生化相關背景

# 02 26956933 ext 1422 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號76
產出年度93
技術名稱-中文5公升規模重組腺病毒 (rAd)基因載體製程與品質分析技術
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以293細胞株貼附細胞生產重組腺病毒,每批次生產可達5公升規模轉瓶細胞培養。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度實驗室階規模,但已可逐步擴大製程
可應用範圍基因治療藥物、疫苗
潛力預估可作為防禦性疫苗、癌症藥物
聯絡人員鄭惠娟
電話(02)26956933 ext 1422
傳真(02)26956933 ext 1412
電子信箱hjjeng@mail.dcb.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備無菌操作台、恆溫培養箱、高速離心機
需具備之專業人才生化相關背景
序號: 76
產出年度: 93
技術名稱-中文: 5公升規模重組腺病毒 (rAd)基因載體製程與品質分析技術
執行單位: 生技中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以293細胞株貼附細胞生產重組腺病毒,每批次生產可達5公升規模轉瓶細胞培養。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 實驗室階規模,但已可逐步擴大製程
可應用範圍: 基因治療藥物、疫苗
潛力預估: 可作為防禦性疫苗、癌症藥物
聯絡人員: 鄭惠娟
電話: (02)26956933 ext 1422
傳真: (02)26956933 ext 1412
電子信箱: hjjeng@mail.dcb.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 無菌操作台、恆溫培養箱、高速離心機
需具備之專業人才: 生化相關背景

# 02 26956933 ext 1422 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號77
產出年度93
技術名稱-中文基因藥物重組腺相關病毒小動物模式治療先天性心臟衰竭
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在心臟衰竭倉鼠模式中以建立利用活體心臟注射遞送腺相關病毒基因載體的技術,並證實所構築及生產的腺關病毒基因載體具有療效。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍臨床前動物實驗
潛力預估(空)
聯絡人員鄭惠娟
電話(02)26956933 ext 1422
傳真(02)26956933 ext 1412
電子信箱hjjeng@mail.dcb.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備動物房、解剖顯微鏡
需具備之專業人才獸醫師或具有動物實驗經驗者
序號: 77
產出年度: 93
技術名稱-中文: 基因藥物重組腺相關病毒小動物模式治療先天性心臟衰竭
執行單位: 生技中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在心臟衰竭倉鼠模式中以建立利用活體心臟注射遞送腺相關病毒基因載體的技術,並證實所構築及生產的腺關病毒基因載體具有療效。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 臨床前動物實驗
潛力預估: (空)
聯絡人員: 鄭惠娟
電話: (02)26956933 ext 1422
傳真: (02)26956933 ext 1412
電子信箱: hjjeng@mail.dcb.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 動物房、解剖顯微鏡
需具備之專業人才: 獸醫師或具有動物實驗經驗者

# 02 26956933 ext 1422 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號67
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文豬水庖病病毒衍生載體
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱基因藥物技術及產品開發四年計畫
專利發明人林龍參
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼發明第 204494 號
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文豬水庖病病毒 cDNA 衍生載體,其係由豬水庖病病毒表現載體 pCI(ΔXba I)/SVDV-T(Xba I) 衍生而來,且包括一外源基因,其係取代部份或全部豬水庖病病毒之結構基因 (P-1)。豬水庖病病毒 cDNA 衍生載體之製備方法,包括下列步驟 : (a) 提供豬水庖病病毒表現載體 pCI(ΔXba I)/SVDV-T(Xba I); 以及 (b)選殖一外源性基因,並取代部份或全部豬水庖病病毒結構基因 (P-1) 之 cDNA 序列。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鄭惠娟
電話(02)26956933 ext 1422
傳真(空)
電子信箱hjjeng@mail.dcb.org.tw
參考網址(空)
備註原領域別為生技醫藥,95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 67
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 豬水庖病病毒衍生載體
執行單位: 生技中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫
專利發明人: 林龍參
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 發明第 204494 號
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 豬水庖病病毒 cDNA 衍生載體,其係由豬水庖病病毒表現載體 pCI(ΔXba I)/SVDV-T(Xba I) 衍生而來,且包括一外源基因,其係取代部份或全部豬水庖病病毒之結構基因 (P-1)。豬水庖病病毒 cDNA 衍生載體之製備方法,包括下列步驟 : (a) 提供豬水庖病病毒表現載體 pCI(ΔXba I)/SVDV-T(Xba I); 以及 (b)選殖一外源性基因,並取代部份或全部豬水庖病病毒結構基因 (P-1) 之 cDNA 序列。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鄭惠娟
電話: (02)26956933 ext 1422
傳真: (空)
電子信箱: hjjeng@mail.dcb.org.tw
參考網址: (空)
備註: 原領域別為生技醫藥,95年改為生醫材化
特殊情形: (空)
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與2公升規模重組腺相關病毒 (rAAV)基因載體製程與品質分析技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

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