微結構光學膜片製造技術
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技術名稱-中文微結構光學膜片製造技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是(1)柱間隔5μm~100μm,棱柱高度5μm ~100μm,棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm~500μm,透鏡高度2 μm~100μm,最小透鏡間隙 0 μm, 潛力預估是目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛.

序號96
產出年度93
技術名稱-中文微結構光學膜片製造技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文微結構光學膜片為光電、顯示器產品常用之元件,是光電系統提高光學品質不可或缺的零組件,在日常生活中亦可應用於照明或防炫光的場合。如何以低成本製程來製作大面積、高精度、微結構光學膜片,以提高光利用效率、降低能源消耗實是關鍵課題。本技術即在提供製造業者最有效的解決方案
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1)柱間隔5μm~100μm,棱柱高度5μm ~100μm,棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm~500μm,透鏡高度2 μm~100μm,最小透鏡間隙 0 μm
技術成熟度試量產
可應用範圍LCD 背光模組非印刷式導光板、光增益片、OLED平面顯示器、微光感測耦合器(CCD) 、照明燈具、防炫光裝置
潛力預估目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛
聯絡人員林建憲
電話03-5916735
傳真03-5820043
電子信箱Johnnylin@itri.org.tw
參考網址
所須軟硬體設備具光學膜片生產設備
需具備之專業人才具光學膜片生產經驗及微機電相關製程知識為佳

序號

96

產出年度

93

技術名稱-中文

微結構光學膜片製造技術

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

微結構光學膜片為光電、顯示器產品常用之元件,是光電系統提高光學品質不可或缺的零組件,在日常生活中亦可應用於照明或防炫光的場合。如何以低成本製程來製作大面積、高精度、微結構光學膜片,以提高光利用效率、降低能源消耗實是關鍵課題。本技術即在提供製造業者最有效的解決方案

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

(1)柱間隔5μm~100μm,棱柱高度5μm ~100μm,棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm~500μm,透鏡高度2 μm~100μm,最小透鏡間隙 0 μm

技術成熟度

試量產

可應用範圍

LCD 背光模組非印刷式導光板、光增益片、OLED平面顯示器、微光感測耦合器(CCD) 、照明燈具、防炫光裝置

潛力預估

目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛

聯絡人員

林建憲

電話

03-5916735

傳真

03-5820043

電子信箱

Johnnylin@itri.org.tw

參考網址

所須軟硬體設備

具光學膜片生產設備

需具備之專業人才

具光學膜片生產經驗及微機電相關製程知識為佳

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氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

太陽光紫外線強度量測技術

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QDIP 元件磊晶製程與量測分析

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厚膜加工製程技術

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5GHz體聲波濾波器

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。

高清淨合金材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。

粉末射出成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2%。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元,並創造產值約5億元。

鈦鋯合金熔鑄技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。

超微結構粉末及成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量,銅模速冷至批量10公斤,粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸,價格競優勢弱,磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大

真空電漿噴覆技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。

高介電塗層噴覆製作技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。

記憶體靶材製作技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90% | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要

PDP抗電磁波濾板製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率75%以上 | 潛力預估: PDP抗電磁波濾板

鋁嫆湯清淨度分析技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 | 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需

藥材DNA鑑定技術及300種常用中藥材ITS鑑定序列資料庫

執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 300種中藥材ITS鑑定序列資料庫 | 潛力預估: 業界已逐漸接受以DNA鑑定藥材的技術,已以非專屬授權給相關廠商,並對外提供技術服務。

氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

太陽光紫外線強度量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

QDIP 元件磊晶製程與量測分析

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務

厚膜加工製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力

5GHz體聲波濾波器

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。

高清淨合金材料技術

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粉末射出成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2%。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元,並創造產值約5億元。

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執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。

超微結構粉末及成型技術

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高介電塗層噴覆製作技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。

記憶體靶材製作技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90% | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要

PDP抗電磁波濾板製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率75%以上 | 潛力預估: PDP抗電磁波濾板

鋁嫆湯清淨度分析技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 | 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需

藥材DNA鑑定技術及300種常用中藥材ITS鑑定序列資料庫

執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 300種中藥材ITS鑑定序列資料庫 | 潛力預估: 業界已逐漸接受以DNA鑑定藥材的技術,已以非專屬授權給相關廠商,並對外提供技術服務。

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