SOI晶圓製程技術
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技術名稱-中文SOI晶圓製程技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是(1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm，表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm，絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5%, 潛力預估是SOI應用領域相當廣泛，如：微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術，可大幅提升產品競爭力，因此，預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長.

序號	97
產出年度	93
技術名稱-中文	SOI晶圓製程技術
執行單位	工研院機械所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	以BESOI原理，製作厚膜SOI（絕緣體上矽晶圓），可提供MEMS、微結構、微機械---等，元件發展需用平台
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	(1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm，表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm，絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5%
技術成熟度	量產
可應用範圍	智慧型功率開關、光訊號處理需用之微光電元件、高溫感測器及控制器、顯示器及微機電元件
潛力預估	SOI應用領域相當廣泛，如：微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術，可大幅提升產品競爭力，因此，預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長
聯絡人員	劉丙寅
電話	03-5916461
傳真	03-5820043
電子信箱	martaliu@itri.org.tw
參考網址	無
所須軟硬體設備	擁有基板（Substrate）加工設備，如輪磨機、拋光機、接合設備、清洗機台...等
需具備之專業人才	熟悉硬脆材料研磨、CMP、材質缺陷分析、表面形貌量測...等

序號

產出年度

技術名稱-中文

SOI晶圓製程技術

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

以BESOI原理，製作厚膜SOI（絕緣體上矽晶圓），可提供MEMS、微結構、微機械---等，元件發展需用平台

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

(1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm，表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm，絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5%

技術成熟度

量產

可應用範圍

智慧型功率開關、光訊號處理需用之微光電元件、高溫感測器及控制器、顯示器及微機電元件

潛力預估

SOI應用領域相當廣泛，如：微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術，可大幅提升產品競爭力，因此，預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長

聯絡人員

劉丙寅

電話

03-5916461

傳真

03-5820043

電子信箱

martaliu@itri.org.tw

參考網址

無

所須軟硬體設備

擁有基板（Substrate）加工設備，如輪磨機、拋光機、接合設備、清洗機台...等

需具備之專業人才

熟悉硬脆材料研磨、CMP、材質缺陷分析、表面形貌量測...等

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防刮型複合增亮膜技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光學輝度增益1.7X、結構硬度HB、耐摩擦測試達2.5kg以上 \| 潛力預估: 可降低背光模組之膜片材料使用，可大為降低成本 @ 技術司可移轉技術資料集
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22679;益型擴散板	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高效能面板整合光學系統關鍵計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將增益擴散板應用於26吋4U的直下式燈箱，可達到以下規格：1. 平均輝度達6000nits以上、2.相較於傳統使用1片擴散板+3片擴散膜的增益達到1.4倍以上 \| 潛力預估: 省去傳統以擴散粒子方式的擴散板之使用，開發出以純微結構方式之增益型擴散光學板/膜，不僅能降低光線散射之能量損失，亦能降低直下式背光模組之成本。 @ 技術司可移轉技術資料集
多波段集光及能量轉換模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高效能面板整合光學系統關鍵計畫 \| 領域: \| 技術規格: 以凸面光柵將入射太陽光分光和聚焦至不同的聚焦點上，接著將最佳的太陽能電池放置於對應的聚焦點上進行光電轉換，以增加總發電量。 \| 潛力預估: 可進一步增加III-V族太陽能發電系統的發電效率。 @ 技術司可移轉技術資料集
太陽能集光模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高效能面板整合光學系統關鍵計畫 \| 領域: \| 技術規格: *1.導光板尺寸：210297mm2 2.導光板厚度：10mm 3.導光板效率：84% \| 潛力預估: 於綠色建築的應用上有很大的發揮空間。** @ 技術司可移轉技術資料集
聚焦型太陽能導光模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高效能面板整合光學系統關鍵計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一具有柱狀陣列的透明平板和一具有V溝的導光板，可以收集小角度入射的太陽光，達到高發電量及高集光效果的太陽能導光發電模組。 \| 潛力預估: 可進一步提高太陽能導光發電模組的發電量。 @ 技術司可移轉技術資料集
高準直背光模組技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高效能面板整合光學系統關鍵計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.高準直背光模組設計，可依廠商需求調整準直性(FWHM +/-4~15)。 2.超精密滾筒加工技術，可加工加微結構特徵尺寸1~200micron，可加工幅寬為350mm(加工幅寬依加工機規格可放大)... \| 潛力預估: 可提升LCD顯示器效能，滿足節能趨勢及次世代顯示器或照明產業之需求，提高產品競爭力，延續LCD與背光模組產業生命週期 @ 技術司可移轉技術資料集

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新型配向材料技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 水平pre-tilt photo-tuned 0~10度,垂直pre-tilt photo-tuned 80~90度 \| 潛力預估: 可促進產值達50億元以上
低溫硬化互連導電材料先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 1.高性能要求之電子構裝材料 2.需要特定加工操作溫度之熱硬化塗裝材料
電容去離子奈米複合碳電極材料開發	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g；CDI去除率> 250 ppm/次 \| 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例，其最大放電電容量僅約100 F/g，目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾，可得一中孔性奈米結構碳材，其電容量可增加25~40%，預期其市場接受性高，且目前並無相...
奈米可見光光觸媒材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後，細菌數目減少至原來之0.1%以下；(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... \| 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計，2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時，日本的光觸媒產值將達100億日圓，約有新台幣28億元。使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念，在日本已經十分普...
超薄型塗佈技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乾膜厚度￡0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm \| 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術，建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等，如果本土材料產業成功的話，可提供下游就近的材料提供與成本競爭力，預期可以有很大的產業...
計量式精密塗佈技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% \| 潛力預估: 舉凡各種光學膜，如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作，皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起，如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全
奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm，線/纖維長度≧20μm，長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 \| 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估，以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用，本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術
奈米模板合成技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm，最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上；AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm \| 潛力預估: LCD、OLED、LED產業
功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間，比表面積可高達240 m2/g以上，而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... \| 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加
奈米檢測技術-表面分析檢測技術應用先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 以微區ESCA技術分析表面/薄膜深度可 \| 潛力預估: 可應用在DLED開發高亮度、高發光效率
奈米導電粉體製造技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米，其外披覆有機殼層而呈核殼結構 \| 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模
軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%，邊際效益< 2mm；3C放電容量維持率達94% \| 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增，保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$
材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發，其電氣特性符合:測試頻率：< 65 GHz, K Value：1 \| 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力，強化對產品設計及特性之掌握度，加速產品進入市場的速度，提高競爭力
多元合金細晶及成形技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 \| 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率
奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術：氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o；氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm；氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm \| 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙，並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能，在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...