EMI/EMC測試技術
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技術名稱-中文EMI/EMC測試技術的執行單位是中科院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫, 技術規格是3GPP TS34.124, 潛力預估是3G CDMA用戶端產品開發.

序號	541
產出年度	93
技術名稱-中文	EMI/EMC測試技術
執行單位	中科院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	已完成測試裝備及能量建立，可執行技術服務及發證作業。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	3GPP TS34.124
技術成熟度	完成
可應用範圍	3GW-CDMA用戶端相關產品
潛力預估	3G CDMA用戶端產品開發
聯絡人員	劉畯澄
電話	03-4715520
傳真	03-4719841
電子信箱	cdma@wice.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	(空)
需具備之專業人才	電子相關背

序號

541

產出年度

技術名稱-中文

EMI/EMC測試技術

執行單位

中科院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

已完成測試裝備及能量建立，可執行技術服務及發證作業。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

3GPP TS34.124

技術成熟度

完成

可應用範圍

3GW-CDMA用戶端相關產品

潛力預估

3G CDMA用戶端產品開發

聯絡人員

劉畯澄

電話

03-4715520

傳真

03-4719841

電子信箱

cdma@wice.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

(空)

需具備之專業人才

電子相關背

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整車電磁相容性(EMC)研測技術(ARTC)

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3G手機/基地台檢測驗證技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3GPP TS34.121(含RRM)及TS34.123 \| 潛力預估: 3G CDMA用戶端產品開發 @ 技術司可移轉技術資料集
用戶台及基地台Trch Codec模組技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合3GPP W-CDMA R99版規範 \| 潛力預估: 可搶攻3G W-CDMA晶片市場，極具市場淺力 @ 技術司可移轉技術資料集
環境頻譜分析及基地台整合測試技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 適用無線通訊頻段3G/WiFi/WLAN/PHS/CDMA2000干擾量測 \| 潛力預估: 可為未來電信營運商評估基地台設置、電信監理等服務。 @ 技術司可移轉技術資料集
飛機與地面地形碰撞的偵測處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第191875號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 鄭世通 @ 技術司專利資料集
調頻連續波雷達高度計之數位控制式線性掃頻模式	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197868號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 林鈺山 \| 劉鳳玲 \| 鄭世通 @ 技術司專利資料集
具有彈性及耐用的探針	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US-2003-0112024-A1 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 鄧德生.李鴻淇 @ 技術司專利資料集
射頻傳輸線之參數調校的方法及其結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197766號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 李繼華.梁春村.葉嘉範 @ 技術司專利資料集
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電漿束液晶配向製程驗證與系統模組大型化技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 \| 領域: \| 技術規格: *配向尺寸可達G3(550650mm)，配向均勻性佳。技術規格：錨定能～10-5J/m2，預傾角：0～10度，VHR>95%，Rdc \| 潛力預估: 目前配向效果遠高於光配向，與離子束配向結果相當但設備價格低。**
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精密PCB鑽孔控制技術系統整合應用	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鑽孔速度：400孔/分鐘_x000D_/檔案管理_x000D_/座標顯示_x000D_/加工路徑顯示_x000D_/翻、排版指令_x000D_/多次鑽孔功能_x000D_/擴鑽圓孔/長槽擴鑽指令_x0... \| 潛力預估: 具備刀具偏擺/摩耗自動補償、加工件精修以及自動尋找插銷孔功能，節省刀具成本以及增加機器運作效能。
直接驅動電機應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 直驅馬達之設計規格,最高轉速150rpm,最大轉矩250Nm,擎留轉矩100Nm,解晰度(8192p/r’4)0.01°,3種無反電動勢感知起動電氣角偵測方法。建立自行研發旋轉式直接驅動伺服系統基礎。 \| 潛力預估: 可設計與製作主流產品相容性規格,產生關鍵性零件與系統之可替代性
先進生技設備應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 \| 領域: \| 技術規格: Heat up rate>3C/sec；Cool down rate>2C/sec_x000D_；Test time \| 潛力預估: 縮短檢測時間,減少檢體與試劑用量
生物反應器關鍵技術之應用	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 溫度控制精度≦ ±0.2℃；環境pH值控制精度≦±0.02 pH；溶氣控制精度≦ ±2 % \| 潛力預估: 製程需求設計產品
放電加工創成控制器應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 創成放電加工技術間隙伺服控制、放電軌跡路徑加工控制、3D曲面放電加工控制、自動換電極功能、電極尺寸偵測及補償功能及創成放電電源(ON Time=500ns、Ip=0.5A、9段電容選擇)。 \| 潛力預估: 未來奈米科技、光電通訊、生醫科技對微細加工製作零組件或模具勢必有強烈需求，未來市場前途看好，微細加工的方法有微雷射加工、電子光束加工、蝕刻等方法，而放電加工為非傳統加工方式，係利用火花放電所產生的熱能...
半導體切割技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 切割寬度 3~5 μm ，最小切割道寬度25μm \| 潛力預估: 硬脆材料切割市場
串列網路伺服運動控制應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 串列網路伺服軸：8軸(Mitsubishi SSCNET)，可擴充至16軸_x000D_/ 泛用開迴路：4軸_x000D_/ 泛用閉迴路：1軸，可擴充至5軸_x000D_/ 數位轉類比：2組(16 b... \| 潛力預估: 可實現高速、高精度的定位控制，及多軸即時同步運動控制，在不用增加控制母板下，硬體軸數與IO點數擴充彈性大，為國內光電半導體設備與CNC工具機業，提供了一個降低系統配線複雜度與維護簡單化的有效解決方案。
一種使用超音波能量的晶圓鍵合製程方法	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍵合溫度:Max.200℃，鍵合時間:Max.10min \| 潛力預估: 可搶攻半導體照明市場，極具市場淺力
一種晶片晶圓鍵合之自適性調整與支撐機構	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 平面度:1μm，耐重:＞1000㎏，平行調整角度範圍:5°，尺寸:2吋 \| 潛力預估: 可搶攻半導體照明市場，極具市場淺力
真空加熱氣浮傳輸技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: *工件尺寸: 620750 mm (I.e. 第3.5代LCD面板尺寸) \| 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (I.E. 第5代LCD面板尺寸), 等相關技術應用**
晶圓電鍍設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 金凸塊電鍍均勻性< 5% \| 潛力預估: 可搶攻凸塊電鍍設備市場
大面積電漿光阻剝離技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: *基板尺寸: 620750 mm (第3.5代LCD面板尺寸), 光阻去除速率>3μm, 製程溫度：300℃或低於 \| 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸), 高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用**