EMI/EMC測試技術
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技術名稱-中文EMI/EMC測試技術的執行單位是中科院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫, 技術規格是3GPP TS34.124, 潛力預估是3G CDMA用戶端產品開發.

序號	541
產出年度	93
技術名稱-中文	EMI/EMC測試技術
執行單位	中科院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	已完成測試裝備及能量建立，可執行技術服務及發證作業。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	3GPP TS34.124
技術成熟度	完成
可應用範圍	3GW-CDMA用戶端相關產品
潛力預估	3G CDMA用戶端產品開發
聯絡人員	劉畯澄
電話	03-4715520
傳真	03-4719841
電子信箱	cdma@wice.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	(空)
需具備之專業人才	電子相關背

序號

541

產出年度

技術名稱-中文

EMI/EMC測試技術

執行單位

中科院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

已完成測試裝備及能量建立，可執行技術服務及發證作業。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

3GPP TS34.124

技術成熟度

完成

可應用範圍

3GW-CDMA用戶端相關產品

潛力預估

3G CDMA用戶端產品開發

聯絡人員

劉畯澄

電話

03-4715520

傳真

03-4719841

電子信箱

cdma@wice.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

(空)

需具備之專業人才

電子相關背

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整車電磁相容性(EMC)研測技術(ARTC)

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整車電磁相容性(EMC)研測技術(ARTC)

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3G手機/基地台檢測驗證技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3GPP TS34.121(含RRM)及TS34.123 \| 潛力預估: 3G CDMA用戶端產品開發 @ 技術司可移轉技術資料集
用戶台及基地台Trch Codec模組技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合3GPP W-CDMA R99版規範 \| 潛力預估: 可搶攻3G W-CDMA晶片市場，極具市場淺力 @ 技術司可移轉技術資料集
環境頻譜分析及基地台整合測試技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 適用無線通訊頻段3G/WiFi/WLAN/PHS/CDMA2000干擾量測 \| 潛力預估: 可為未來電信營運商評估基地台設置、電信監理等服務。 @ 技術司可移轉技術資料集
飛機與地面地形碰撞的偵測處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第191875號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 鄭世通 @ 技術司專利資料集
調頻連續波雷達高度計之數位控制式線性掃頻模式	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197868號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 林鈺山, 劉鳳玲, 鄭世通 @ 技術司專利資料集
具有彈性及耐用的探針	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US-2003-0112024-A1 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 鄧德生.李鴻淇 @ 技術司專利資料集
射頻傳輸線之參數調校的方法及其結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197766號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 李繼華.梁春村.葉嘉範 @ 技術司專利資料集
劃碼多工進接系統之分離式波道卡架構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 175672 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 吳匡時、林瀛寬、彭明山 @ 技術司專利資料集

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4"10"20" 奈米碳管背光技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
20吋奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20”；均勻度 \| 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
多晶矽平坦化技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 \| 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力
4"奈米碳管場發射顯射器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力
AMOLED畫素與驅動電路設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... \| 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: MR>50%, RA \| 潛力預估: Embedded 記憶體
相變化記憶體元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... \| 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

EMI/EMC測試技術 - 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

技術名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

領域

已申請專利之國家

已獲得專利之國家

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技術現況敘述-英文

技術規格

技術成熟度

可應用範圍

潛力預估

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