基板內藏元件整合設計與模型庫技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文基板內藏元件整合設計與模型庫技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫, 技術規格是工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38, 潛力預估是基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等.

序號997
產出年度94
技術名稱-中文基板內藏元件整合設計與模型庫技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以傳統有機基板壓合技術,壓合高介電係數基板(Hi-Dk, Dk>36@6.0GHz)與有機基板(FR4,FR5等),開發射頻(6GHz)內藏被動元件基板結構設計技術,包括基板內藏電容、基板內藏電感元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型(Modeling)、元件程式庫(Library)、基板材料射頻電性評估與量測驗證。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38
技術成熟度embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏被動元件高頻模型與模型程式庫建立.
可應用範圍雛型
潛力預估基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等
聯絡人員資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據評估統計無論是手機或是單晶片的藍芽模組等射頻模組,其被動元件數量約佔系統全部元件的75%以上;將為數眾多之被動元件整合在印刷電路板(PCB)中,藉以大幅提升印刷電路板之密度,深具市場應用潛力。
電話劉榮萱
傳真03-5914343
電子信箱03-5820412
參考網址http://lindaliou@itri.org.tw
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才個人電腦(CPU:1GHz以上;RAM:256MB以上),高頻高階電磁模擬軟體(如:Sonnet 或 HFSS…),高頻網路分析儀(6GHz以上,如:Agilent 8510C),晶圓級量測平台(6吋以上,probe station)

序號

997

產出年度

94

技術名稱-中文

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

以傳統有機基板壓合技術,壓合高介電係數基板(Hi-Dk, Dk>36@6.0GHz)與有機基板(FR4,FR5等),開發射頻(6GHz)內藏被動元件基板結構設計技術,包括基板內藏電容、基板內藏電感元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型(Modeling)、元件程式庫(Library)、基板材料射頻電性評估與量測驗證。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38

技術成熟度

embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏被動元件高頻模型與模型程式庫建立.

可應用範圍

雛型

潛力預估

基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等

聯絡人員

資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據評估統計無論是手機或是單晶片的藍芽模組等射頻模組,其被動元件數量約佔系統全部元件的75%以上;將為數眾多之被動元件整合在印刷電路板(PCB)中,藉以大幅提升印刷電路板之密度,深具市場應用潛力。

電話

劉榮萱

傳真

03-5914343

電子信箱

03-5820412

參考網址

http://lindaliou@itri.org.tw

所須軟硬體設備

(空)

需具備之專業人才

個人電腦(CPU:1GHz以上;RAM:256MB以上),高頻高階電磁模擬軟體(如:Sonnet 或 HFSS…),高頻網路分析儀(6GHz以上,如:Agilent 8510C),晶圓級量測平台(6吋以上,probe station)

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基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz ;新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等。

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基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: . 工作頻段:up to 6GHz . 新材料(εr~40 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等。

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基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: . 工作頻段:2.4GHz . 新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等

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基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: . 工作頻段:2.4GHz . 新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等

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基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz ;新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等。

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基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: . 工作頻段:up to 6GHz . 新材料(εr~40 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等。

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基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: . 工作頻段:2.4GHz . 新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等

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基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: . 工作頻段:2.4GHz . 新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等

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軟性壓力感測技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 掃瞄速度(Scan rate):>100 Hz 感測單元(Sensing unit): 216顆 感測面積(Dimension of sensing unit): 80cm × 210cm | 潛力預估: 高齡化與慢性疾病人口的急速增加,讓醫療電子市場日益成形,加上無線傳輸等近身網路(WBAN)技術的加持,結合行動網路與雲端服務的聯網醫療電子將成大勢所趨。國內各大醫療院所紛紛推出各項遠距照護計畫,IT廠...

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薄型氧化物電晶體陣列技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 基板:100微米之軟性薄型玻璃基板 面板尺寸: 3.65 吋 (對角線長度) 解析度: 300 ppi 次畫素間距: 28μm x 84μm | 潛力預估: 軟性低溫氧化物電晶體技術成功開發,可應用於主動式有機發光顯示器的背板技術,足見未來商機極具潛力。

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超薄玻璃卷軸式設備與製程開發

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: m的超薄玻璃觸控元件,其在整合了0.4mm厚的大金剛玻璃Cover Lens後,整組觸控模組厚度可降至0.6mm以內,此種完整的方案未來可提供業者發展可靠且具備生產成本優勢的相關產品。 | 潛力預估: 試量產

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超薄基板卷軸式設備與製程開發

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: Glass thickness≦ 150 μm Glass width: 330 mm Winding speed: 3 m/min Laser pattern line width: ±15 μm ... | 潛力預估: 未來材料部份業界廠商更多人力投入其中將促成國內的人才需求,設備產業也會開啟前瞻超薄玻璃的需求,製程面導入超薄玻璃相關模組產品,未來也會有其他產品投入超薄玻璃運用

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窄邊框薄型觸控模組

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: *Fine line width: 20μm *Fine line space: 20μm *Substrate thickness: 50μm *TP quality: fully functio... | 潛力預估: 材料部份[因業界將投入更多人力,期能促成國內的人才需求,設備產業也會開啟前瞻的凹版印刷需求,製程方面導入超薄基板相關模組產品,亦將拓展其他產品端的應用

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卷對卷超薄基板傳輸技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 基板幅寬:500mm 傳輸張力:2~7Kgf @1~3m/min 收捲循邊精度:≦±2mm @1~3m/min 傳輸速度:0.5~10m/min | 潛力預估: 目前國內外卷對卷傳輸設備均應用於PET基板,未來薄型化產業/產品之興起將帶動超薄基板之應用,加上超薄基板穩定性高適合高溫製程,可導入多樣觸控與顯示器等產業。

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量產型金屬網格印刷技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 以創新設計之卷對卷(R2R)設備與傳輸技術,整合1. | 潛力預估: 1.目前市面上的手機、平板電腦觸控面板多使用ITO薄膜,但ITO 有成本高及不易回收等問題,產業界正積極尋求替代方案。工研院開發金屬網格取代ITO,最小線寬可達5μm,透明度高,且片電阻低於10歐姆,...

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軟性壓力感測技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 掃瞄速度(Scan rate):>100 Hz 感測單元(Sensing unit): 216顆 感測面積(Dimension of sensing unit): 80cm × 210cm | 潛力預估: 高齡化與慢性疾病人口的急速增加,讓醫療電子市場日益成形,加上無線傳輸等近身網路(WBAN)技術的加持,結合行動網路與雲端服務的聯網醫療電子將成大勢所趨。國內各大醫療院所紛紛推出各項遠距照護計畫,IT廠...

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薄型氧化物電晶體陣列技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 基板:100微米之軟性薄型玻璃基板 面板尺寸: 3.65 吋 (對角線長度) 解析度: 300 ppi 次畫素間距: 28μm x 84μm | 潛力預估: 軟性低溫氧化物電晶體技術成功開發,可應用於主動式有機發光顯示器的背板技術,足見未來商機極具潛力。

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超薄玻璃卷軸式設備與製程開發

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: m的超薄玻璃觸控元件,其在整合了0.4mm厚的大金剛玻璃Cover Lens後,整組觸控模組厚度可降至0.6mm以內,此種完整的方案未來可提供業者發展可靠且具備生產成本優勢的相關產品。 | 潛力預估: 試量產

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超薄基板卷軸式設備與製程開發

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: Glass thickness≦ 150 μm Glass width: 330 mm Winding speed: 3 m/min Laser pattern line width: ±15 μm ... | 潛力預估: 未來材料部份業界廠商更多人力投入其中將促成國內的人才需求,設備產業也會開啟前瞻超薄玻璃的需求,製程面導入超薄玻璃相關模組產品,未來也會有其他產品投入超薄玻璃運用

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窄邊框薄型觸控模組

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: *Fine line width: 20μm *Fine line space: 20μm *Substrate thickness: 50μm *TP quality: fully functio... | 潛力預估: 材料部份[因業界將投入更多人力,期能促成國內的人才需求,設備產業也會開啟前瞻的凹版印刷需求,製程方面導入超薄基板相關模組產品,亦將拓展其他產品端的應用

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卷對卷超薄基板傳輸技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 基板幅寬:500mm 傳輸張力:2~7Kgf @1~3m/min 收捲循邊精度:≦±2mm @1~3m/min 傳輸速度:0.5~10m/min | 潛力預估: 目前國內外卷對卷傳輸設備均應用於PET基板,未來薄型化產業/產品之興起將帶動超薄基板之應用,加上超薄基板穩定性高適合高溫製程,可導入多樣觸控與顯示器等產業。

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量產型金屬網格印刷技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 以創新設計之卷對卷(R2R)設備與傳輸技術,整合1. | 潛力預估: 1.目前市面上的手機、平板電腦觸控面板多使用ITO薄膜,但ITO 有成本高及不易回收等問題,產業界正積極尋求替代方案。工研院開發金屬網格取代ITO,最小線寬可達5μm,透明度高,且片電阻低於10歐姆,...

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與基板內藏元件整合設計與模型庫技術同分類的技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

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