無線生理訊號感測模組設計技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文無線生理訊號感測模組設計技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是微奈米系統應用技術四年計畫, 技術規格是(1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術：dIPD/ I..., 潛力預估是據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間，若依實際醫療支出推估，則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間，市場潛力....

序號987
產出年度94
技術名稱-中文無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文技術說明：本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術：dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率：2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率：440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術：Skin-electrode Interface Impedance
技術成熟度雛型
可應用範圍(1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_
潛力預估據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間，若依實際醫療支出推估，則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間，市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好，預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備
需具備之專業人才電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_
同步更新日期2023-07-22

序號

987

產出年度

94

技術名稱-中文

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

微奈米系統應用技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

技術說明：本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

(1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術：dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率：2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率：440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術：Skin-electrode Interface Impedance

技術成熟度

雛型

可應用範圍

(1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_

潛力預估

據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間，若依實際醫療支出推估，則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間，市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好，預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。

聯絡人員

羅政

電話

06-3847128

傳真

06-3847294

電子信箱

chenglo@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備

需具備之專業人才

電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_

同步更新日期

2023-07-22

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# 無線生理訊號感測模組設計技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號670
產出年度93
技術名稱-中文無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含: (1) 無線訊號傳輸平台之設計技術 (2) 類比訊號處理所需之電路設計技術 (3) 親膚性生理訊號感測器整合技術
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz Transmission Range: 3m (2) 類比訊號處理所需之電路設計技術 dIPD/ IPD >1.4% 高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz, 高通濾波放大電路之放大倍率：2 低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz 低通濾波放大電路之放大倍率：440 (3) 親膚性生理訊號感測器整合技術
技術成熟度雛型
可應用範圍(1)居家照護產業 (2)行動不便病人生理監控 (3)兒童/老人安全監控 (4)運動參數監控
潛力預估據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間，若依實際醫療支出推估，則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間，市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等…)均看好未來人口老年化之醫療市場潛力，因此，工研院電子所已及早於科專計畫佈局相關技術能量，預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。
聯絡人員鍾淳如
電話06-3847125
傳真06-3847298
電子信箱chunju@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備
需具備之專業人才電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…) 機械、材料 (結構應力、有機材料…) 等相關背景人員
序號: 670
產出年度: 93
技術名稱-中文: 無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含: (1) 無線訊號傳輸平台之設計技術 (2) 類比訊號處理所需之電路設計技術 (3) 親膚性生理訊號感測器整合技術
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz Transmission Range: 3m (2) 類比訊號處理所需之電路設計技術 dIPD/ IPD >1.4% 高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz, 高通濾波放大電路之放大倍率：2 低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz 低通濾波放大電路之放大倍率：440 (3) 親膚性生理訊號感測器整合技術
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (1)居家照護產業 (2)行動不便病人生理監控 (3)兒童/老人安全監控 (4)運動參數監控
潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間，若依實際醫療支出推估，則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間，市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等…)均看好未來人口老年化之醫療市場潛力，因此，工研院電子所已及早於科專計畫佈局相關技術能量，預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。
聯絡人員: 鍾淳如
電話: 06-3847125
傳真: 06-3847298
電子信箱: chunju@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備
需具備之專業人才: 電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…) 機械、材料 (結構應力、有機材料…) 等相關背景人員

# 無線生理訊號感測模組設計技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號1569
產出年度95
技術名稱-中文無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術_x000D_(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1) 無線訊號傳輸平台_x000D_-Antenna Factor: 10dB_x000D_；Reader: USB/RS-232/LCD Interface；RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz；Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術-dIPD/ IPD >1.4%；高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz；高通濾波放大電路之放大倍率：2；低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz；低通濾波放大電路之放大倍率：440。
技術成熟度雛型
可應用範圍居家照護產業、行動不便病人生理監控、兒童/老人安全監控、運動參數監控_x000D_。
潛力預估建立國內之微機電式軟性感測之製作與測試技術,並與上下游元件設計、系統應用整合,將使產品藉由前段設備製造商與相關元件/產品同步開發驗證，使商品化與量產的風險得以降低。
聯絡人員李欽誠
電話06-3847122
傳真06-3847294
電子信箱KevinLee@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備。
需具備之專業人才電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI)、機械、材料 (結構應力、有機材料)_x000D_等相關背景人員。
序號: 1569
產出年度: 95
技術名稱-中文: 無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術_x000D_(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台_x000D_-Antenna Factor: 10dB_x000D_；Reader: USB/RS-232/LCD Interface；RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz；Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術-dIPD/ IPD >1.4%；高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz；高通濾波放大電路之放大倍率：2；低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz；低通濾波放大電路之放大倍率：440。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 居家照護產業、行動不便病人生理監控、兒童/老人安全監控、運動參數監控_x000D_。
潛力預估: 建立國內之微機電式軟性感測之製作與測試技術,並與上下游元件設計、系統應用整合,將使產品藉由前段設備製造商與相關元件/產品同步開發驗證，使商品化與量產的風險得以降低。
聯絡人員: 李欽誠
電話: 06-3847122
傳真: 06-3847294
電子信箱: KevinLee@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備。
需具備之專業人才: 電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI)、機械、材料 (結構應力、有機材料)_x000D_等相關背景人員。
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# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號986
產出年度94
技術名稱-中文微機電共用晶片
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術建立一套微機電面型微加工標準製程，提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程，其中包含三層多晶矽與一層金屬層，以及兩層磷矽玻璃（PSG）犧牲層，最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者，在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件，然後整合在同一道光罩上一起製作流程，於精密控制的參數下進行製程。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格3 poly-silicon 1 Metal
技術成熟度雛型
可應用範圍MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor.
潛力預估微機電面型微加工標準製程
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體及微機電製程能力
序號: 986
產出年度: 94
技術名稱-中文: 微機電共用晶片
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術建立一套微機電面型微加工標準製程，提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程，其中包含三層多晶矽與一層金屬層，以及兩層磷矽玻璃（PSG）犧牲層，最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者，在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件，然後整合在同一道光罩上一起製作流程，於精密控制的參數下進行製程。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor.
潛力預估: 微機電面型微加工標準製程
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體及微機電製程能力

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號988
產出年度94
技術名稱-中文厚膜光阻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度雛型
可應用範圍Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備熱墊板,曝光機
需具備之專業人才熟悉黃光單站製程
序號: 988
產出年度: 94
技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 熱墊板,曝光機
需具備之專業人才: 熟悉黃光單站製程

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號989
產出年度94
技術名稱-中文利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3
技術成熟度雛型
可應用範圍微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備PVD,CVD,RIE
需具備之專業人才半導體製程背景人才
序號: 989
產出年度: 94
技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: PVD,CVD,RIE
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號990
產出年度94
技術名稱-中文低應力薄膜製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格SIN Film Stress
技術成熟度雛型
可應用範圍氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估穩定可量產
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_；面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才具備爐管設備維修及製程人才
序號: 990
產出年度: 94
技術名稱-中文: 低應力薄膜製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: SIN Film Stress
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估: 穩定可量產
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_；面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才: 具備爐管設備維修及製程人才

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號991
產出年度94
技術名稱-中文矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度雛型
可應用範圍壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估本製程可提升產品良率，降低生產成本
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才alignment mask design / anisotropic wet etching
序號: 991
產出年度: 94
技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號992
產出年度94
技術名稱-中文微氣體感測器
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、
技術成熟度雛型
可應用範圍此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。
潛力預估應用微機電製程製作氣體感測器
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才化工,機械背景及半導體製程人才
序號: 992
產出年度: 94
技術名稱-中文: 微氣體感測器
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。
潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 化工,機械背景及半導體製程人才

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號993
產出年度94
技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30
技術成熟度雛型
可應用範圍印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電機,半導體製程背景人才。
序號: 993
產出年度: 94
技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號994
產出年度94
技術名稱-中文矽晶深蝕刻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/mi
技術成熟度雛型
可應用範圍矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。
潛力預估微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備ICP or DRIE
需具備之專業人才半導體之乾蝕刻製程為基礎
序號: 994
產出年度: 94
技術名稱-中文: 矽晶深蝕刻製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/mi
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。
潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ICP or DRIE
需具備之專業人才: 半導體之乾蝕刻製程為基礎
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與無線生理訊號感測模組設計技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

視覺式動作偵測及辨識技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 在Pentium 4 ，2.8 GHz電腦下，處理影像160x120 像素點，可即時辨識動作種類。 | 潛力預估: 電腦遊戲市場潛力極大，視覺式互動人機介面為未來產品之核心技術之一。

以生物特徵為基礎之密碼金鑰產生技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 採用Microsoft CryptoAPI 與OpenSSL產生RSA密碼金鑰。 | 潛力預估: 開發之技術預期可增加行動裝置之附加價值，進而提升國內相關產業競爭力，並帶動電子商務於行動裝置上之應用。

P2P同儕數位版權保護技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: AES (NIST FIPS 197, RFC3394); RSA (PKCS#1 v2.1); SHA-1 (FIPS180-2); JXTA; JRE or JDK 1.3.1以上 | 潛力預估: 本技術達成數位內容保護與管理，在現在數位內容產業發展起飛之際，應唯一重要的軟體核心技術。以P2P的方式作為應用標的與運作方式，可為目前具爭議的P2P下載提供一有效控管版權的新技術方案。

UPnP AV無線家庭網路影音串流通訊平台技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合RTP/RTSP/RTCP串流協定與UPnP/UPnP AV等標準。 | 潛力預估: 家庭網路與媒體數位化的趨勢將先帶動家庭影音產品的革命，IP網路的數位影音串流技術是主要的核心技術之一。未來可以應用到各種不同的家庭網路通信平台，無論是乙太區域網路、電話線、電力線、無線區域網路都將有相...

無線近身網路通訊技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合80.15.1 Bluetooth 及UPnP (Universal Plug & Play)標準。 | 潛力預估: 本技術可將健康照護設備以無線之方式整合到符合UPnP標準之數位家庭網路環境中, 將促進遠距居家照護等新興智慧型服務之產生。

Home Portal Server

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: AES、DES、WPA | 潛力預估: 家庭網路安全隨著數位家庭網路服務的興起而倍受重視，國內尚無相關應用產品，仍待推廣落實。

數位學習內容版權發行交易技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: 支援SCORM 1.2 | 潛力預估: 目前已有廠商開始導入，預期未來需求會不斷增加

空間互動數位學習內容處理技術?

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可應用在數位內容市場

基於辨音成分之語音發音評量技術?

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: · 適用於任何語言（Language Independent） · 不需要預先錄製比對範音、可練習任意口說內容（Text Independent） · 可依據學習目標調整評量機制 · 動態語音文字同... | 潛力預估: 除了提供學習者發音的評量分數外，基於辨音成分的特性將可作為發音問題診斷及矯正的基礎，未來更可以導入音韻法則處理連音及省音效應，引導學習者如Native speaker般發音

英文自動模擬測驗出題技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: · 可選定出題來源文章 · 可設定要測試的生字、片語及文法概念 · 可設定題目類型(克漏字填充題、克漏字選擇題、挑錯選擇題、改錯選擇題)及題型分布 | 潛力預估: 除了提供學習者發音的評量分數外，基於辨音成分的特性將可作為發音問題診斷及矯正的基礎，未來更可以導入音韻法則處理連音及省音效應，引導學習者如Native speaker般發音

WCDMA Base-band Common IP

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合3GPP R4規格之硬體演算法設計技術、完成符合3GPP R４規格之測試驗證平台技術、進行符合3GPP R5規格之硬體演算法先期研究 | 潛力預估: 掌握自有IP, 引導國內公司投入WCDMA行動絡終端晶片設計研發, 促進國內3G晶片設計廠商投資。

WCDMA RF Transceiver IC

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Current consumption of 27.5mA, 45mA-89mA and 30mA in Rx, Tx and Sx chip. 2. A max. gain of 94.5dB... | 潛力預估: 增進對第三代WCDMA手機系統關鍵零件的掌握，促進國內3G晶片設計廠投資。

WCDMA IP Verification Platform

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: Porting資策會開發之WCDMA R4 L2/L3 Protocol於CCL ARM target board、整合WCDMA R4 L2/L3 Protocol+L1 Software+第一版符... | 潛力預估: 建立Layer 1 軟體與上層protocol軟體整合驗證之技術、建立TTCN Test Cases 開發之技術

Miniaturized RF Module

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 使用16層LTCC為基板，尺寸為25x25mm2 2. 符合IEEE 802.11a RF電路規格 3. 符合 GPRS電路規格 4.模組內埋帶通濾波器，非平衡至平衡轉換器，電感，電容以及傳輸線... | 潛力預估: 1. 縮小 RF模組尺寸，提升電路的電氣特性，增加系統設計自由度並提高產品競爭力。2. 提昇關鍵零組鍵國內廠商自製率。3. 提供製程廠商內埋元件技術，提升競爭力。

Dual-mode Four-Band PA Module

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 包含GPRS與WLAN系統之單一功率放大器模組 2.自行新開發之2.4GHz GaAs HBT PA MMIC 3.利用LTCC內埋元件技術縮小功率放大器模組的尺寸 4.完成之模組整體體積為14... | 潛力預估: WLAN及雙模終端應用及市場快速成長，亦相當適合我國產業切入，本技術將加強無線終端設備的小型化產品競爭力，大幅提高市場接受度。

視覺式動作偵測及辨識技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 在Pentium 4 ，2.8 GHz電腦下，處理影像160x120 像素點，可即時辨識動作種類。 | 潛力預估: 電腦遊戲市場潛力極大，視覺式互動人機介面為未來產品之核心技術之一。

以生物特徵為基礎之密碼金鑰產生技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 採用Microsoft CryptoAPI 與OpenSSL產生RSA密碼金鑰。 | 潛力預估: 開發之技術預期可增加行動裝置之附加價值，進而提升國內相關產業競爭力，並帶動電子商務於行動裝置上之應用。

P2P同儕數位版權保護技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: AES (NIST FIPS 197, RFC3394); RSA (PKCS#1 v2.1); SHA-1 (FIPS180-2); JXTA; JRE or JDK 1.3.1以上 | 潛力預估: 本技術達成數位內容保護與管理，在現在數位內容產業發展起飛之際，應唯一重要的軟體核心技術。以P2P的方式作為應用標的與運作方式，可為目前具爭議的P2P下載提供一有效控管版權的新技術方案。

UPnP AV無線家庭網路影音串流通訊平台技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合RTP/RTSP/RTCP串流協定與UPnP/UPnP AV等標準。 | 潛力預估: 家庭網路與媒體數位化的趨勢將先帶動家庭影音產品的革命，IP網路的數位影音串流技術是主要的核心技術之一。未來可以應用到各種不同的家庭網路通信平台，無論是乙太區域網路、電話線、電力線、無線區域網路都將有相...

無線近身網路通訊技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合80.15.1 Bluetooth 及UPnP (Universal Plug & Play)標準。 | 潛力預估: 本技術可將健康照護設備以無線之方式整合到符合UPnP標準之數位家庭網路環境中, 將促進遠距居家照護等新興智慧型服務之產生。

Home Portal Server

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: AES、DES、WPA | 潛力預估: 家庭網路安全隨著數位家庭網路服務的興起而倍受重視，國內尚無相關應用產品，仍待推廣落實。

數位學習內容版權發行交易技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: 支援SCORM 1.2 | 潛力預估: 目前已有廠商開始導入，預期未來需求會不斷增加

空間互動數位學習內容處理技術?

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可應用在數位內容市場

基於辨音成分之語音發音評量技術?

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: · 適用於任何語言（Language Independent） · 不需要預先錄製比對範音、可練習任意口說內容（Text Independent） · 可依據學習目標調整評量機制 · 動態語音文字同... | 潛力預估: 除了提供學習者發音的評量分數外，基於辨音成分的特性將可作為發音問題診斷及矯正的基礎，未來更可以導入音韻法則處理連音及省音效應，引導學習者如Native speaker般發音

英文自動模擬測驗出題技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: · 可選定出題來源文章 · 可設定要測試的生字、片語及文法概念 · 可設定題目類型(克漏字填充題、克漏字選擇題、挑錯選擇題、改錯選擇題)及題型分布 | 潛力預估: 除了提供學習者發音的評量分數外，基於辨音成分的特性將可作為發音問題診斷及矯正的基礎，未來更可以導入音韻法則處理連音及省音效應，引導學習者如Native speaker般發音

WCDMA Base-band Common IP

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合3GPP R4規格之硬體演算法設計技術、完成符合3GPP R４規格之測試驗證平台技術、進行符合3GPP R5規格之硬體演算法先期研究 | 潛力預估: 掌握自有IP, 引導國內公司投入WCDMA行動絡終端晶片設計研發, 促進國內3G晶片設計廠商投資。

WCDMA RF Transceiver IC

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Current consumption of 27.5mA, 45mA-89mA and 30mA in Rx, Tx and Sx chip. 2. A max. gain of 94.5dB... | 潛力預估: 增進對第三代WCDMA手機系統關鍵零件的掌握，促進國內3G晶片設計廠投資。

WCDMA IP Verification Platform

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: Porting資策會開發之WCDMA R4 L2/L3 Protocol於CCL ARM target board、整合WCDMA R4 L2/L3 Protocol+L1 Software+第一版符... | 潛力預估: 建立Layer 1 軟體與上層protocol軟體整合驗證之技術、建立TTCN Test Cases 開發之技術

Miniaturized RF Module

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 使用16層LTCC為基板，尺寸為25x25mm2 2. 符合IEEE 802.11a RF電路規格 3. 符合 GPRS電路規格 4.模組內埋帶通濾波器，非平衡至平衡轉換器，電感，電容以及傳輸線... | 潛力預估: 1. 縮小 RF模組尺寸，提升電路的電氣特性，增加系統設計自由度並提高產品競爭力。2. 提昇關鍵零組鍵國內廠商自製率。3. 提供製程廠商內埋元件技術，提升競爭力。

Dual-mode Four-Band PA Module

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 包含GPRS與WLAN系統之單一功率放大器模組 2.自行新開發之2.4GHz GaAs HBT PA MMIC 3.利用LTCC內埋元件技術縮小功率放大器模組的尺寸 4.完成之模組整體體積為14... | 潛力預估: WLAN及雙模終端應用及市場快速成長，亦相當適合我國產業切入，本技術將加強無線終端設備的小型化產品競爭力，大幅提高市場接受度。

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