CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
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技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole, 潛力預估是可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力.

序號977
產出年度94
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度雛型
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
同步更新日期2023-07-22

序號

977

產出年度

94

技術名稱-中文

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole

技術成熟度

雛型

可應用範圍

自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)

潛力預估

可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

03-5820046

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wthsieh@itri.org.tw

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http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j

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需具備之專業人才

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2023-07-22

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# CNT-FED CNT-BLU材料驗證 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號647
產出年度93
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才具備生產 a-Si TFT LCD 能力。國內7家主要TFT LCD生產之廠商均可應用此技術。
序號: 647
產出年度: 93
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
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電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 具備生產 a-Si TFT LCD 能力。國內7家主要TFT LCD生產之廠商均可應用此技術。
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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號972
產出年度94
技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源,開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV之背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
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需具備之專業人才電子相關背景
序號: 972
產出年度: 94
技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源,開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV之背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號973
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板,以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture ratio: 30%;Brightness:> 100 nits;Gray level:4 bits;Top emission AMOLED;Strong light readable
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
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所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 973
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板,以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture ratio: 30%;Brightness:> 100 nits;Gray level:4 bits;Top emission AMOLED;Strong light readable
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號974
產出年度94
技術名稱-中文輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於TFT液晶顯示技術已相當成熟,各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板,再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度雛型
可應用範圍(空)
潛力預估可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
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所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 974
產出年度: 94
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟,各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板,再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (空)
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號975
產出年度94
技術名稱-中文20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Size:20”;均勻度
技術成熟度雛型
可應用範圍戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 975
產出年度: 94
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Size:20”;均勻度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號976
產出年度94
技術名稱-中文CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV等背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 976
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV等背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號978
產出年度94
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 978
產出年度: 94
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號979
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30%_x000D_;Brightness:> 300 nits;Gray level:4 bits;Vth compensation circuit
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器。_x000D_
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 979
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30%_x000D_;Brightness:> 300 nits;Gray level:4 bits;Vth compensation circuit
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號980
產出年度94
技術名稱-中文多晶矽平坦化技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文顯示器朝高度電路整合,低耗電及有機發光發展,低溫多晶矽是最受矚目的技術。然而,多晶矽的高表面粗糙度會造成元件均勻度、可靠度不佳,及元件縮小化的困難。工研院電子所成功地開發出多晶矽平坦化技術,此技術可大幅降低多晶矽表面粗糙度(RMS
技術現況敘述-英文(空)
技術規格2nm表面粗糙度的低溫多晶矽
技術成熟度雛型
可應用範圍SOP與OLED相關產品。
潛力預估可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 980
產出年度: 94
技術名稱-中文: 多晶矽平坦化技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 顯示器朝高度電路整合,低耗電及有機發光發展,低溫多晶矽是最受矚目的技術。然而,多晶矽的高表面粗糙度會造成元件均勻度、可靠度不佳,及元件縮小化的困難。工研院電子所成功地開發出多晶矽平坦化技術,此技術可大幅降低多晶矽表面粗糙度(RMS
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: SOP與OLED相關產品。
潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力
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傳真: 03-5820046
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所須軟硬體設備: (空)
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與CNT-FED/CNT-BLU材料驗證同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

高導熱碳纖維強化鋁基複合材料成形技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 碳纖維強化碳基複合材料, 熱傳導率可達654 W/m.K(纖維方向)以上高於純銅, 密度在1.75 g/cm3左右,熱膨脹係數則在6.65 ppm/K(纖維方向),其中碳纖維強化的體積分率達63%。利... | 潛力預估: 高導熱碳纖維複合材料可解決未來熱管理產業對高導熱散熱材料的需求, 同時達到輕量化小型化及構裝上低熱膨脹係數的設計需求,協助國內散熱產業切入中高階的散熱模組市場,擴大市場規模。

多元高熵合金熔鑄與鍛壓技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.設計5-7元高熵合金組成配方,以大氣感應熔煉(IF)開發10kg級鑄胚。 2.以Gleeble熱加工模擬研究最佳固熔化與熱鍛溫度(RA%>40) 3.開模鍛造可鍛造量>50% 4.冷壓可壓延量>... | 潛力預估: 可製成高強度、耐磨、耐溫、耐蝕之刀工具、模具、機件等所用新一代合金材料。

駐極體材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 直徑:< 50mm, Response Frequency:>10kHz, Response Sensitivity :>80dB | 潛力預估: 建立駐電型複合材料結構相關製程加工技術及駐極体材料評估分析方法,以提昇電聲產品之性能以增加產品附加價值,促使我國產業能深入3C產品領域。

超高機能表面材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸24”x24” | 潛力預估: 增加廠商相關技術之進步,並提昇其產品之良率與國際競爭力。

輕量化高分子複材先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗佈技術規格:模厚40 mm ± 10%,預浸材規格:FAW = 100 g/m2,樹脂含量35~37%,耐衝擊性提升10 % | 潛力預估: 預估國內複合材料在運動器材之應用需求超過 5000噸 / 年,可增加複材相關產業產值20億台幣以上。輕量化高分子複材,可提升複材之材料性能,提高產品設計之自由度。對應用產品之輕量化及提高附加價值均有...

高應答速度液晶材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 其他液晶參數:Δn = 0.1561,γ1 /κ11 =7.8 ,κ11 =1.15 e-11,γ1 = 90,FOM = 3.1,Vth = 1.74 V | 潛力預估: 建立我國液晶材料配製、光電特性量測、評估技術能力;促成國內液晶顯示器產業垂直整合的完整性、技術開發完成攻佔市場後可搶佔數10億元以上之的收益。

新型配向材料技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 水平pre-tilt photo-tuned 0~10度,垂直pre-tilt photo-tuned 80~90度 | 潛力預估: 可促進產值達50億元以上

低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: B-stage 反應性為 T onset= 112.6℃; gel time@150℃: 8sec;熱膨脹係數降低至43ppm/℃,Tg仍具有165℃; 接合壓力: 100-150/bump; 接合時... | 潛力預估: 15億新台幣

電容去離子奈米複合碳電極材料開發

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g;CDI去除率> 250 ppm/次 | 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例,其最大放電電容量僅約100 F/g,目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾,可得一中孔性奈米結構碳材,其電容量可增加25~40%,預期其市場接受性高,且目前並無相...

奈米可見光光觸媒材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後,細菌數目減少至原來之0.1%以下;(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... | 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計,2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時,日本的光觸媒產值將達100億日圓,約有新台幣28億元。 使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念,在日本已經十分普...

超薄型塗佈技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度£0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm | 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術,建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等,如果本土材料產業成功的話,可提供下游就近的材料提供與成本競爭力,預期可以有很大的產業...

計量式精密塗佈技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% | 潛力預估: 舉凡各種光學膜,如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作,皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起,如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全

奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm,線/纖維長度≧20μm,長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 | 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估,以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用,本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術

奈米模板合成技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm,最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上;AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm | 潛力預估: LCD、OLED、LED產業

功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間,比表面積可高達240 m2/g以上,而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... | 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告,2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年,市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加

高導熱碳纖維強化鋁基複合材料成形技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 碳纖維強化碳基複合材料, 熱傳導率可達654 W/m.K(纖維方向)以上高於純銅, 密度在1.75 g/cm3左右,熱膨脹係數則在6.65 ppm/K(纖維方向),其中碳纖維強化的體積分率達63%。利... | 潛力預估: 高導熱碳纖維複合材料可解決未來熱管理產業對高導熱散熱材料的需求, 同時達到輕量化小型化及構裝上低熱膨脹係數的設計需求,協助國內散熱產業切入中高階的散熱模組市場,擴大市場規模。

多元高熵合金熔鑄與鍛壓技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.設計5-7元高熵合金組成配方,以大氣感應熔煉(IF)開發10kg級鑄胚。 2.以Gleeble熱加工模擬研究最佳固熔化與熱鍛溫度(RA%>40) 3.開模鍛造可鍛造量>50% 4.冷壓可壓延量>... | 潛力預估: 可製成高強度、耐磨、耐溫、耐蝕之刀工具、模具、機件等所用新一代合金材料。

駐極體材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 直徑:< 50mm, Response Frequency:>10kHz, Response Sensitivity :>80dB | 潛力預估: 建立駐電型複合材料結構相關製程加工技術及駐極体材料評估分析方法,以提昇電聲產品之性能以增加產品附加價值,促使我國產業能深入3C產品領域。

超高機能表面材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸24”x24” | 潛力預估: 增加廠商相關技術之進步,並提昇其產品之良率與國際競爭力。

輕量化高分子複材先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗佈技術規格:模厚40 mm ± 10%,預浸材規格:FAW = 100 g/m2,樹脂含量35~37%,耐衝擊性提升10 % | 潛力預估: 預估國內複合材料在運動器材之應用需求超過 5000噸 / 年,可增加複材相關產業產值20億台幣以上。輕量化高分子複材,可提升複材之材料性能,提高產品設計之自由度。對應用產品之輕量化及提高附加價值均有...

高應答速度液晶材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 其他液晶參數:Δn = 0.1561,γ1 /κ11 =7.8 ,κ11 =1.15 e-11,γ1 = 90,FOM = 3.1,Vth = 1.74 V | 潛力預估: 建立我國液晶材料配製、光電特性量測、評估技術能力;促成國內液晶顯示器產業垂直整合的完整性、技術開發完成攻佔市場後可搶佔數10億元以上之的收益。

新型配向材料技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 水平pre-tilt photo-tuned 0~10度,垂直pre-tilt photo-tuned 80~90度 | 潛力預估: 可促進產值達50億元以上

低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: B-stage 反應性為 T onset= 112.6℃; gel time@150℃: 8sec;熱膨脹係數降低至43ppm/℃,Tg仍具有165℃; 接合壓力: 100-150/bump; 接合時... | 潛力預估: 15億新台幣

電容去離子奈米複合碳電極材料開發

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g;CDI去除率> 250 ppm/次 | 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例,其最大放電電容量僅約100 F/g,目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾,可得一中孔性奈米結構碳材,其電容量可增加25~40%,預期其市場接受性高,且目前並無相...

奈米可見光光觸媒材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後,細菌數目減少至原來之0.1%以下;(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... | 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計,2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時,日本的光觸媒產值將達100億日圓,約有新台幣28億元。 使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念,在日本已經十分普...

超薄型塗佈技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度£0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm | 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術,建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等,如果本土材料產業成功的話,可提供下游就近的材料提供與成本競爭力,預期可以有很大的產業...

計量式精密塗佈技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% | 潛力預估: 舉凡各種光學膜,如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作,皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起,如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全

奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm,線/纖維長度≧20μm,長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 | 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估,以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用,本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術

奈米模板合成技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm,最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上;AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm | 潛力預估: LCD、OLED、LED產業

功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間,比表面積可高達240 m2/g以上,而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... | 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告,2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年,市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加

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