光硬化之彩色濾光片用數位墨水組合物
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文光硬化之彩色濾光片用數位墨水組合物的執行單位是工研院材化所, 產出年度是95, 計畫名稱是特化與奈米化工技術開發四年計畫, 技術規格是藉由噴墨適性及CF特性評估微調墨水配方完成色域:完成3”×3”雛型LCD-TV CF、噴印TV-CF Sub-Pixel width 87.74mm、墨水成膜透光率:YR:21.014,YG:52.311,YB:9.410。, 潛力預估是顏料分散液可應用於高值塗料與油墨中,提升色彩品質;具高透光度及高色彩飽和度更可應用於高價值之彩色噴墨列印、texteile印刷、彩色濾光片等光電應用。.

序號1673
產出年度95
技術名稱-中文光硬化之彩色濾光片用數位墨水組合物
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱特化與奈米化工技術開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術透過1.折射率的matching 、顏料粒徑小/窄分佈、高顏料含量及增加膜厚 2.導入量子點提高色域及亮度,建立控制色彩特性及亮度技術掌握高色域、高亮度。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格藉由噴墨適性及CF特性評估微調墨水配方完成色域:完成3”×3”雛型LCD-TV CF、噴印TV-CF Sub-Pixel width 87.74mm、墨水成膜透光率:YR:21.014,YG:52.311,YB:9.410。
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD顯示器彩色率光片,彩色色膏、彩色光阻、彩色數位墨水、顏料色膏。
潛力預估顏料分散液可應用於高值塗料與油墨中,提升色彩品質;具高透光度及高色彩飽和度更可應用於高價值之彩色噴墨列印、texteile印刷、彩色濾光片等光電應用。
聯絡人員張信貞
電話03-5732778
傳真03-5732844
電子信箱jennychang@itri.org.tw
參考網址http://無
所須軟硬體設備奈米粉體表面改質與分散、樹脂合成、分散設備。
需具備之專業人才化學、化工、材料或機械、理工背景。
同步更新日期2019-07-24

序號

1673

產出年度

95

技術名稱-中文

光硬化之彩色濾光片用數位墨水組合物

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

特化與奈米化工技術開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術透過1.折射率的matching 、顏料粒徑小/窄分佈、高顏料含量及增加膜厚 2.導入量子點提高色域及亮度,建立控制色彩特性及亮度技術掌握高色域、高亮度。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

藉由噴墨適性及CF特性評估微調墨水配方完成色域:完成3”×3”雛型LCD-TV CF、噴印TV-CF Sub-Pixel width 87.74mm、墨水成膜透光率:YR:21.014,YG:52.311,YB:9.410。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

LCD顯示器彩色率光片,彩色色膏、彩色光阻、彩色數位墨水、顏料色膏。

潛力預估

顏料分散液可應用於高值塗料與油墨中,提升色彩品質;具高透光度及高色彩飽和度更可應用於高價值之彩色噴墨列印、texteile印刷、彩色濾光片等光電應用。

聯絡人員

張信貞

電話

03-5732778

傳真

03-5732844

電子信箱

jennychang@itri.org.tw

參考網址

http://無

所須軟硬體設備

奈米粉體表面改質與分散、樹脂合成、分散設備。

需具備之專業人才

化學、化工、材料或機械、理工背景。

同步更新日期

2019-07-24

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Y, M, C,K紫外線交聯顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 顏料種類:Y, M, C, K 顏料分散粒徑(D50)≦80nm 顏料含量≧20wt% 通過安定性測試,40℃,三天 | 潛力預估: 可應用於噴印在金屬、塑膠、橡膠、陶瓷、木材等不吸墨基材。

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UV交聯型顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 顏料分散液顏料平均粒徑(D50):洋紅、黃色、藍色≦100 nm,黑色≦120 nm‧ 顏料分散液顏料含量≧15 wt%‧ 顏料分散液黏度≦70 cps‧ 經40℃、30天後,顏料粒徑變化小於30... | 潛力預估: Non-Volatile UV curable 顏料分散沒含溶劑,黏度低、高安定分散,微粒化分散粒徑

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黑色數位墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "黑色數位墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物 授權專利號:中華民國專利證號:207302" | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

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YMCK顏料型UV交聯墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 31007;成公司進行藥物包裝之阻氣性提升,可確實降低氧氣等之穿透,達到穩定產品特性與增進藥物儲存安全之要求。 | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印。

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可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨,授權專利號:中華民國專利證號:207302 | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

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可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於水性繪筆黑色墨水

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於水性繪筆黑色墨水,授權專利號:中華民國專利證號:207302 | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

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超微粒子分散研磨方法專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 超微粒子分散研磨方法專利授權,授權專利號:中華民國專利證號:198449 | 潛力預估: 電子及3C產業

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水性奈米銀分散安定化/分散液安定性量化評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.TEM、UV-Vis、Zeta電位等掌握金屬銀微粉表面特性 2.分散劑與分散方法篩選建立金屬銀微粉分散安定化技術 3.溶解度參數等建立系統安定性廣度(耐化性)指標/範圍 | 潛力預估: 協助廠商建立金屬銀微粉高分散安定化技術,提供分散液應用前之快速安定性驗證,減少因分散液本身不安定造成應用配製之浪費與損失;將可縮短開發時程、增加產品安定性,加速奈米粉體應用產出速度及多樣化,提升產業競...

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Y, M, C,K紫外線交聯顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 顏料種類:Y, M, C, K 顏料分散粒徑(D50)≦80nm 顏料含量≧20wt% 通過安定性測試,40℃,三天 | 潛力預估: 可應用於噴印在金屬、塑膠、橡膠、陶瓷、木材等不吸墨基材。

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UV交聯型顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 顏料分散液顏料平均粒徑(D50):洋紅、黃色、藍色≦100 nm,黑色≦120 nm‧ 顏料分散液顏料含量≧15 wt%‧ 顏料分散液黏度≦70 cps‧ 經40℃、30天後,顏料粒徑變化小於30... | 潛力預估: Non-Volatile UV curable 顏料分散沒含溶劑,黏度低、高安定分散,微粒化分散粒徑

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黑色數位墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "黑色數位墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物 授權專利號:中華民國專利證號:207302" | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

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YMCK顏料型UV交聯墨水-可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 31007;成公司進行藥物包裝之阻氣性提升,可確實降低氧氣等之穿透,達到穩定產品特性與增進藥物儲存安全之要求。 | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印。

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可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於導光板油墨,授權專利號:中華民國專利證號:207302 | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於水性繪筆黑色墨水

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可照光硬化之顏料型噴墨墨水組合物專利授權-應用於水性繪筆黑色墨水,授權專利號:中華民國專利證號:207302 | 潛力預估: 彩色色膏、顏料、建材、3C外殼、PCB/BGA文字數位噴印

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超微粒子分散研磨方法專利授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 超微粒子分散研磨方法專利授權,授權專利號:中華民國專利證號:198449 | 潛力預估: 電子及3C產業

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水性奈米銀分散安定化/分散液安定性量化評估技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.TEM、UV-Vis、Zeta電位等掌握金屬銀微粉表面特性 2.分散劑與分散方法篩選建立金屬銀微粉分散安定化技術 3.溶解度參數等建立系統安定性廣度(耐化性)指標/範圍 | 潛力預估: 協助廠商建立金屬銀微粉高分散安定化技術,提供分散液應用前之快速安定性驗證,減少因分散液本身不安定造成應用配製之浪費與損失;將可縮短開發時程、增加產品安定性,加速奈米粉體應用產出速度及多樣化,提升產業競...

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Optical Electronics SOC-PMD&PMA 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Laser driver:10-100mA bias moudlation TIA:-15dBm sensitivity, 8GHz BW LA:230mV limiting BER | 潛力預估: 國內自製之晶片在10Gbps處於高獲利期即佔有市場

HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)空間解析度:7.7 μm。(2)深度範圍:< 200μm。 | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

次世代微影疊對量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Accuracy | 潛力預估: 可搶攻半導體檢測

光纖干涉式位置感測器

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:1nm | 潛力預估: 可搶攻非接觸位置感測器市場

控制奈米碳管長度之方法與裝置

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Tip length | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡、奈米操控器市場

Optical Electronics SOC-PMD&PMA 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Laser driver:10-100mA bias moudlation TIA:-15dBm sensitivity, 8GHz BW LA:230mV limiting BER | 潛力預估: 國內自製之晶片在10Gbps處於高獲利期即佔有市場

HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)空間解析度:7.7 μm。(2)深度範圍:< 200μm。 | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

次世代微影疊對量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Accuracy | 潛力預估: 可搶攻半導體檢測

光纖干涉式位置感測器

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:1nm | 潛力預估: 可搶攻非接觸位置感測器市場

控制奈米碳管長度之方法與裝置

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Tip length | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡、奈米操控器市場

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