DTV RF Tuner IC技術
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技術名稱-中文DTV RF Tuner IC技術的執行單位是工研院晶片中心, 產出年度是93, 計畫名稱是晶片系統關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Total Ip1dB@Max.Gain:-30dBm Total IIP4@Max. Gain:-20d..., 潛力預估是國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設計公司以及系統廠商的成本,大幅提昇競爭力.

序號341
產出年度93
技術名稱-中文DTV RF Tuner IC技術
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱晶片系統關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文傳統的射頻調諧器由於選擇單一降頻(Single Conversion)方式,需外加許多元件以達到目的。本計劃是尋求另外架構,在顧及標準要求的程度下,以做到完全以Silicon晶片整合。預期做到完全整合(Full Integrated)、減少額外元件(Reduce External Components),及降低功率消耗。FY93的成果,1> 提出一架構專利,並同時申請中華民國及美國專利 2> 完成關鍵電路開發驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Total Ip1dB@Max.Gain:-30dBm Total IIP4@Max. Gain:-20dBm Require C/N:17.5dB Total Noise Figure:7dB
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍數位電視接受機
潛力預估國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設計公司以及系統廠商的成本,大幅提昇競爭力
聯絡人員楊子毅
電話03-5913534
傳真(空)
電子信箱tzuyi@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備網路分析儀 頻譜 分析儀 訊號產生器 向量訊號分析儀 高頻示波器
需具備之專業人才類比電路 無線通訊 高頻電路
同步更新日期2023-07-22

序號

341

產出年度

93

技術名稱-中文

DTV RF Tuner IC技術

執行單位

工研院晶片中心

產出單位

(空)

計畫名稱

晶片系統關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

傳統的射頻調諧器由於選擇單一降頻(Single Conversion)方式,需外加許多元件以達到目的。本計劃是尋求另外架構,在顧及標準要求的程度下,以做到完全以Silicon晶片整合。預期做到完全整合(Full Integrated)、減少額外元件(Reduce External Components),及降低功率消耗。FY93的成果,1> 提出一架構專利,並同時申請中華民國及美國專利 2> 完成關鍵電路開發驗證

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Total Ip1dB@Max.Gain:-30dBm Total IIP4@Max. Gain:-20dBm Require C/N:17.5dB Total Noise Figure:7dB

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

數位電視接受機

潛力預估

國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設計公司以及系統廠商的成本,大幅提昇競爭力

聯絡人員

楊子毅

電話

03-5913534

傳真

(空)

電子信箱

tzuyi@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

網路分析儀 頻譜 分析儀 訊號產生器 向量訊號分析儀 高頻示波器

需具備之專業人才

類比電路 無線通訊 高頻電路

同步更新日期

2023-07-22

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基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38; embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏... | 潛力預估: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據...

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

覆晶錫鉛凸塊植球技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: Gold Bumping技術─ Fine Pitch技術符合現有市場需求。Solder Bumping技術─120?m間距且80?m凸塊高度之技術已達美國半導體協會(SIA)約2004年所需之技術里...

焊點可靠性評估技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38; embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏... | 潛力預估: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據...

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

覆晶錫鉛凸塊植球技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: Gold Bumping技術─ Fine Pitch技術符合現有市場需求。Solder Bumping技術─120?m間距且80?m凸塊高度之技術已達美國半導體協會(SIA)約2004年所需之技術里...

焊點可靠性評估技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si...

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