壓力調節閥機構設計開發技術
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技術名稱-中文壓力調節閥機構設計開發技術的執行單位是金屬中心, 產出年度是95, 計畫名稱是金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫, 技術規格是工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 35kg /cm2、調壓範圍 0~3.5kg /cm2、逸散率25000次。, 潛力預估是應用於高潔淨閥之開發與製作，預計可取代同類型之進口產品，預估單價35,000元，量產初期1,500個/年，產值可達5,000萬元以上。.

序號	1886
產出年度	95
技術名稱-中文	壓力調節閥機構設計開發技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	以產品開發方式，藉由專利分析、構想設計、快速成形、產品試製、產品測試等程序，完成適合光電、半導體等產業製程設備用之超潔淨閥。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 35kg /cm2、調壓範圍 0~3.5kg /cm2、逸散率25000次。
技術成熟度	雛型
可應用範圍	超潔淨閥及相關流量分配系統。
潛力預估	應用於高潔淨閥之開發與製作，預計可取代同類型之進口產品，預估單價35,000元，量產初期1,500個/年，產值可達5,000萬元以上。
聯絡人員	林庭凱
電話	04-23502169轉519
傳真	04-23501174
電子信箱	ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備	精密車床、銑床及電腦設備等。
需具備之專業人才	閥類設計或機械加工相關背景。
同步更新日期	2023-07-22

序號

1886

產出年度

技術名稱-中文

壓力調節閥機構設計開發技術

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

以產品開發方式，藉由專利分析、構想設計、快速成形、產品試製、產品測試等程序，完成適合光電、半導體等產業製程設備用之超潔淨閥。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 35kg /cm2、調壓範圍 0~3.5kg /cm2、逸散率25000次。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

超潔淨閥及相關流量分配系統。

潛力預估

應用於高潔淨閥之開發與製作，預計可取代同類型之進口產品，預估單價35,000元，量產初期1,500個/年，產值可達5,000萬元以上。

聯絡人員

林庭凱

電話

04-23502169轉519

傳真

04-23501174

電子信箱

ltk@mail.mirdctc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備

精密車床、銑床及電腦設備等。

需具備之專業人才

閥類設計或機械加工相關背景。

同步更新日期

2023-07-22

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# 04-23502169轉519 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	881
產出年度	94
技術名稱-中文	多向閥機構設計開發技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	以產品開發方式，藉由專利分析、構想設計、快速成形、產品試製、產品測試等程序，完成適合光電、半導體等產業製程設備用之超潔淨閥。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 10kg /cm2、逸散率25000次。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	超潔淨閥及相關流量分配系統。
潛力預估	應用於高潔淨閥之開發與製作，預計可取代同類型之進口產品，預估單價8,000元，量產初期10,000個/年，產值可達8,000萬元以上。
聯絡人員	林庭凱
電話	04-23502169轉519
傳真	04-23501174
電子信箱	ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw/
所須軟硬體設備	精密車床、銑床及電腦設備等。
需具備之專業人才	閥類設計或機械加工相關背景。

序號: 881

產出年度: 94

技術名稱-中文: 多向閥機構設計開發技術

執行單位: 金屬中心

產出單位: (空)

計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 以產品開發方式，藉由專利分析、構想設計、快速成形、產品試製、產品測試等程序，完成適合光電、半導體等產業製程設備用之超潔淨閥。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 10kg /cm2、逸散率25000次。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 超潔淨閥及相關流量分配系統。

潛力預估: 應用於高潔淨閥之開發與製作，預計可取代同類型之進口產品，預估單價8,000元，量產初期10,000個/年，產值可達8,000萬元以上。

聯絡人員: 林庭凱

電話: 04-23502169轉519

傳真: 04-23501174

電子信箱: ltk@mail.mirdctc.org.tw

參考網址: http://www.mirdc.org.tw/

所須軟硬體設備: 精密車床、銑床及電腦設備等。

需具備之專業人才: 閥類設計或機械加工相關背景。

# 04-23502169轉519 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號	882
產出年度	94
技術名稱-中文	超鏡面加工技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	以電化學方式進行金屬表面加工或拋光，克服熱效應及表面施力之缺點，提升加工效率及產品穩定性。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	表面精度≦ 0.13μm、鏡面反射率≧ 60%、鈍化膜厚度≧25 A。
技術成熟度	雛型
可應用範圍	超潔淨管閥件及相關流量分配系統或精密零組件。
潛力預估	應用於高潔淨管閥件之製作，預計可取代傳統加工方式，提升產品穩定性及加工效率，利用內管拋光之自動化，提高效率約30%。
聯絡人員	林庭凱
電話	04-23502169轉519
傳真	04-23501174
電子信箱	ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw/
所須軟硬體設備	無
需具備之專業人才	機械加工及拋光技術相關背景。

序號: 882

產出年度: 94

技術名稱-中文: 超鏡面加工技術

執行單位: 金屬中心

產出單位: (空)

計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 以電化學方式進行金屬表面加工或拋光，克服熱效應及表面施力之缺點，提升加工效率及產品穩定性。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 表面精度≦ 0.13μm、鏡面反射率≧ 60%、鈍化膜厚度≧25 A。

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 超潔淨管閥件及相關流量分配系統或精密零組件。

潛力預估: 應用於高潔淨管閥件之製作，預計可取代傳統加工方式，提升產品穩定性及加工效率，利用內管拋光之自動化，提高效率約30%。

聯絡人員: 林庭凱

電話: 04-23502169轉519

傳真: 04-23501174

電子信箱: ltk@mail.mirdctc.org.tw

參考網址: http://www.mirdc.org.tw/

所須軟硬體設備: 無

需具備之專業人才: 機械加工及拋光技術相關背景。

# 04-23502169轉519 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號	1887
產出年度	95
技術名稱-中文	電解複合研磨加工技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	以電化學方式進行金屬表面加工或拋光，利用電解作用進行表面材料去除，克服工具痕跡及表面施力之缺點，提升加工效率及工件表面品質。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	表面精度≦ 0.05μm。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	超潔淨管閥件及相關流量分配系統或精密零組件。
潛力預估	應用於高潔淨管閥件之製作，預計可取代傳統加工方式，提升產品穩定性及加工效率，利用內管拋光之自動化，提高效率約50%。
聯絡人員	林庭凱
電話	04-23502169轉519
傳真	04-23501174
電子信箱	ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址	www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備	電解複合研磨加工設備。
需具備之專業人才	機械加工及拋光技術相關背景。

序號: 1887

產出年度: 95

技術名稱-中文: 電解複合研磨加工技術

執行單位: 金屬中心

產出單位: (空)

計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 以電化學方式進行金屬表面加工或拋光，利用電解作用進行表面材料去除，克服工具痕跡及表面施力之缺點，提升加工效率及工件表面品質。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 表面精度≦ 0.05μm。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 超潔淨管閥件及相關流量分配系統或精密零組件。

潛力預估: 應用於高潔淨管閥件之製作，預計可取代傳統加工方式，提升產品穩定性及加工效率，利用內管拋光之自動化，提高效率約50%。

聯絡人員: 林庭凱

電話: 04-23502169轉519

傳真: 04-23501174

電子信箱: ltk@mail.mirdctc.org.tw

參考網址: www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備: 電解複合研磨加工設備。

需具備之專業人才: 機械加工及拋光技術相關背景。

# 04-23502169轉519 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號	7561
產出年度	99
領域別	機械運輸
專利名稱-中文	複合研磨拋光之電極裝置
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬中心機械與自動化環境建構計畫
專利發明人	林庭凱、江文欽、林裕棠
核准國家	中華民國
獲證日期	99/11/01
證書號碼	I332430
專利期間起	99/11/01
專利期間訖	115/11/30
專利性質	發明
技術摘要-中文	本創作係應用於電化學加工之一種電極裝置，其目的係提供電導體表面於電化學加工環境下之表面拋光加工所用，其組成包括變速機構、電極板、矽砂尼龍刷、間隙微調機構等部份，以達到電化學加工過程中對電極間隙及研磨面壓力之要求，使工件表面達到高精度的拋光效果。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	林庭凱
電話	07-23502169轉519
傳真	04-23501174
電子信箱	ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 7561

產出年度: 99

領域別: 機械運輸

專利名稱-中文: 複合研磨拋光之電極裝置

執行單位: 金屬中心

產出單位: (空)

計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫

專利發明人: 林庭凱、江文欽、林裕棠

核准國家: 中華民國

獲證日期: 99/11/01

證書號碼: I332430

專利期間起: 99/11/01

專利期間訖: 115/11/30

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本創作係應用於電化學加工之一種電極裝置，其目的係提供電導體表面於電化學加工環境下之表面拋光加工所用，其組成包括變速機構、電極板、矽砂尼龍刷、間隙微調機構等部份，以達到電化學加工過程中對電極間隙及研磨面壓力之要求，使工件表面達到高精度的拋光效果。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 林庭凱

電話: 07-23502169轉519

傳真: 04-23501174

電子信箱: ltk@mail.mirdctc.org.tw

參考網址: (空)

備註: (空)

特殊情形: (空)

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300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線．蝕刻速率為2,500 A /min ．蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: 我國半導體製造已耀居全球第四位，所需求之半導體前段設備投資規格已居全球第三，於民國91年市場達34.6億美元，預計至95年我國半導體製程達56.2億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估...
精密雷射切割機	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．定位精度：0.5μm ．馬達最快速度: 120m/min ．馬達最快加速度: 1.5g ．切割速度:~4000 Aperture/Hour ．具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 \| 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元，94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元
線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm \| 潛力預估: 相關文獻顯示，預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時，以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發，預計可建立業界高速工具機...
油靜座滑軌	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．供油壓力：20 bar ．潤滑油形式：VG32(溫度20~40℃) ．切削力：Fa:1,000N,Ft:300N ．滑軌長度:1,500mm ．工作行程:750mm ．工作台上最大荷重:750kg... \| 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標，本技術在前兩項目標之達成無庸置疑，對於經濟性，就機器製造成本而言，雖然需要較高之成本，但將無磨耗、壽命長納入考量後，將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...
極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 \| 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大，如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言，民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元，預估93年達到19億美元，至99年時可達65億美元
晶圓均溫加熱調整技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) \| 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求，以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台，大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300，價格約為200 ~ 3...
微型慣性感測元件研製	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元，由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點，根據美國Honeywell公司對產品評估，與傳統機電式慣性感測單元比較，體積上可縮小90%，電源消耗上減少8... \| 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛，未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上，發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量，完成核心組件專利佈局，協助業界...
氫電關鍵元件材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm，He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒，平均粒徑3nm以下，白金含... \| 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池
奈米材料及元件檢測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 \| 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。
具振動抑制複材管件結構改良	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) \| 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等
輕質蜂巢聲阻結構	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 厚度 \| 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 \| 潛力預估: 有賴技術推廣
電鑄模仁低溫增厚技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)接合溫度200-400℃； (2)結合強度3000psi以上； (3)變形量 \| 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。
繞射光學鏡片設計與製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差 \| 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。