聚醇合成與應用研究
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文聚醇合成與應用研究的執行單位是中科院化學所, 產出年度是96, 計畫名稱是先進化學品技術發展與應用四年計畫, 技術規格是產物名稱：PEA(polyethylene glycol adipate)_x000D_分子量：2000，酸值 ：＜1，OH值：＜28，含水量＜1%。, 潛力預估是用於潛水衣、汽車車燈及粘扣帶膠黏劑，取代傳統熱熔膠，產量100噸/月，產值約8千萬元。.

序號2203
產出年度96
技術名稱-中文聚醇合成與應用研究
執行單位中科院化學所
產出單位(空)
計畫名稱先進化學品技術發展與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文市面Polyesterpolyol 不適合用於製備反應型PU熱熔膠，掌握合成技術可縮短產品研發時程，降低成本，有利於新品開發，使產品多元化。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格產物名稱：PEA(polyethylene glycol adipate)_x000D_分子量：2000，酸值 ：＜1，OH值：＜28，含水量＜1%。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍製備反應型PU熱熔膠。
潛力預估用於潛水衣、汽車車燈及粘扣帶膠黏劑，取代傳統熱熔膠，產量100噸/月，產值約8千萬元。
聯絡人員楊正乾
電話03-4458063
傳真03-4719940
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備一般可抽真空化工反應設備，酸值、OH值、含水量分析儀；_x000D_配方混合機、塗布機。
需具備之專業人才化學化工專長。
同步更新日期2024-09-03

序號

2203

產出年度

96

技術名稱-中文

聚醇合成與應用研究

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

先進化學品技術發展與應用四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

市面Polyesterpolyol 不適合用於製備反應型PU熱熔膠，掌握合成技術可縮短產品研發時程，降低成本，有利於新品開發，使產品多元化。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

產物名稱：PEA(polyethylene glycol adipate)_x000D_分子量：2000，酸值 ：＜1，OH值：＜28，含水量＜1%。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

製備反應型PU熱熔膠。

潛力預估

用於潛水衣、汽車車燈及粘扣帶膠黏劑，取代傳統熱熔膠，產量100噸/月，產值約8千萬元。

聯絡人員

楊正乾

電話

03-4458063

傳真

03-4719940

電子信箱

lcc36@tsrp.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

一般可抽真空化工反應設備，酸值、OH值、含水量分析儀；_x000D_配方混合機、塗布機。

需具備之專業人才

化學化工專長。

同步更新日期

2024-09-03

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Manufacturing method of ladder-like phosphorous-containing polysilsesquioxanes nanocomposite materia...

核准國家: 美國 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 專利發明人: 楊正乾、馬振基 | 證書號碼: 7700711B2

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 乙烯基：0.01~1.1mmole/g，粘度：0.001~4.0kp(25℃)，比重：0.7~1.1，揮發度：＜2%，顏色：透明 | 潛力預估: LSR可取代HTV，節省人工、可大量生產，隨著汽車安全氣囊之發展，市場潛力很大

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

高分子型催化劑合成與分析

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 分子量：約1000g/mole，分布度：＜3.0 | 潛力預估: 高分子型催化劑合成技術大大提高矽酮高分子合成之穩定性及再現性，預期將取代一般催化劑之使用

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

矽酮壓克力改質技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: OH/NCO＝2：1~2.3：1，NCO-Siloxane/acrylic acid/OH-acrylate＝1：0.6：0.4~1：0.4：0.6 | 潛力預估: 提升壓克力產品性能、增加其副加價值增進產品應用換範圍。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

反應型熱熔膠配方研發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: NCO含量2~10％，多元醇分子量2000~10000 | 潛力預估: 提升傳統熱熔膠耐熱性能，取代並開發新應用範圍。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

高透明度及高機械強度矽橡膠製程研究與分析檢測

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 撕裂強度(die C)：>40kgf/cm、伸長率：>750%、抗拉強度：>80kgf/cm2、穿透率(550nm)：~50%(厚度:2mm) | 潛力預估: 混?強化劑後，提升矽橡膠機能性與功能性，增廣矽橡膠之應用範圍與附加價值。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

長效型抗靜電塗料配方評估與分析檢測

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率＞70％(550nm) | 潛力預估: 可做為半導體與液晶製程防靜電披覆膜，市場年成長率可達20%。

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環氧導熱接著劑原材料改質與檢測技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 灰色黏稠狀、黏度80，000±20，000mpa.s/25℃、硬度(Shore D)≧85、導熱係數≧1.80W/m.。k。 | 潛力預估: 目前台灣仍處於初始階段，尚無高性能產品應市，主要市場產品仍以進口世界大廠牌為主。國內需求殷切，羿望能由國內得到貨源，已成未來趨勢，本產品開發成功估計年產值5000萬元以上，帶動進口品牌降價，節省可觀外...

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Manufacturing method of ladder-like phosphorous-containing polysilsesquioxanes nanocomposite materia...

核准國家: 美國 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 專利發明人: 楊正乾、馬振基 | 證書號碼: 7700711B2

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含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 乙烯基：0.01~1.1mmole/g，粘度：0.001~4.0kp(25℃)，比重：0.7~1.1，揮發度：＜2%，顏色：透明 | 潛力預估: LSR可取代HTV，節省人工、可大量生產，隨著汽車安全氣囊之發展，市場潛力很大

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高分子型催化劑合成與分析

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 分子量：約1000g/mole，分布度：＜3.0 | 潛力預估: 高分子型催化劑合成技術大大提高矽酮高分子合成之穩定性及再現性，預期將取代一般催化劑之使用

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矽酮壓克力改質技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: OH/NCO＝2：1~2.3：1，NCO-Siloxane/acrylic acid/OH-acrylate＝1：0.6：0.4~1：0.4：0.6 | 潛力預估: 提升壓克力產品性能、增加其副加價值增進產品應用換範圍。

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反應型熱熔膠配方研發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: NCO含量2~10％，多元醇分子量2000~10000 | 潛力預估: 提升傳統熱熔膠耐熱性能，取代並開發新應用範圍。

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高透明度及高機械強度矽橡膠製程研究與分析檢測

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 撕裂強度(die C)：>40kgf/cm、伸長率：>750%、抗拉強度：>80kgf/cm2、穿透率(550nm)：~50%(厚度:2mm) | 潛力預估: 混?強化劑後，提升矽橡膠機能性與功能性，增廣矽橡膠之應用範圍與附加價值。

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長效型抗靜電塗料配方評估與分析檢測

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率＞70％(550nm) | 潛力預估: 可做為半導體與液晶製程防靜電披覆膜，市場年成長率可達20%。

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環氧導熱接著劑原材料改質與檢測技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 灰色黏稠狀、黏度80，000±20，000mpa.s/25℃、硬度(Shore D)≧85、導熱係數≧1.80W/m.。k。 | 潛力預估: 目前台灣仍處於初始階段，尚無高性能產品應市，主要市場產品仍以進口世界大廠牌為主。國內需求殷切，羿望能由國內得到貨源，已成未來趨勢，本產品開發成功估計年產值5000萬元以上，帶動進口品牌降價，節省可觀外...

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奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度<±15% | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□_x000D_；介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V... | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度<±15% | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□_x000D_；介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V... | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

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