4"10"20" 奈米碳管背光技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W, 潛力預估是可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力.

序號972
產出年度94
技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV之背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
同步更新日期2023-07-22

序號

972

產出年度

94

技術名稱-中文

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W

技術成熟度

雛型

可應用範圍

LCD-TV之背光源

潛力預估

可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

03-5820046

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j

所須軟硬體設備

無

需具備之專業人才

電子相關背景

同步更新日期

2023-07-22

根據名稱 4 10 20 奈米碳管背光技術 找到的相關資料

無其他 4 10 20 奈米碳管背光技術 資料。

[ 搜尋所有 4 10 20 奈米碳管背光技術 ... ]

根據電話 03-5913551 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5913551 ...)

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號973
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 973
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號974
產出年度94
技術名稱-中文輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度雛型
可應用範圍(空)
潛力預估可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 974
產出年度: 94
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (空)
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號975
產出年度94
技術名稱-中文20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Size:20”；均勻度
技術成熟度雛型
可應用範圍戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 975
產出年度: 94
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Size:20”；均勻度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號976
產出年度94
技術名稱-中文CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV等背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 976
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV等背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號977
產出年度94
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度雛型
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 977
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號978
產出年度94
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 978
產出年度: 94
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號979
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器。_x000D_
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 979
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號980
產出年度94
技術名稱-中文多晶矽平坦化技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文顯示器朝高度電路整合，低耗電及有機發光發展，低溫多晶矽是最受矚目的技術。然而，多晶矽的高表面粗糙度會造成元件均勻度、可靠度不佳，及元件縮小化的困難。工研院電子所成功地開發出多晶矽平坦化技術，此技術可大幅降低多晶矽表面粗糙度(RMS
技術現況敘述-英文(空)
技術規格2nm表面粗糙度的低溫多晶矽
技術成熟度雛型
可應用範圍SOP與OLED相關產品。
潛力預估可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 980
產出年度: 94
技術名稱-中文: 多晶矽平坦化技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 顯示器朝高度電路整合，低耗電及有機發光發展，低溫多晶矽是最受矚目的技術。然而，多晶矽的高表面粗糙度會造成元件均勻度、可靠度不佳，及元件縮小化的困難。工研院電子所成功地開發出多晶矽平坦化技術，此技術可大幅降低多晶矽表面粗糙度(RMS
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: SOP與OLED相關產品。
潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背景
[ 搜尋所有 03-5913551 ... ]

與4"10"20" 奈米碳管背光技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

先進充氣模組開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 氣囊袋維持充氣狀態時間＞5 sec。噴嘴耐壓＞2000 psi，短期耐溫＞2000℃。 | 潛力預估: 全球每年數萬組。

產品安全可靠度鑑測技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本項技術為一品質保證技術，重點在於KNOW-HOW，並無技術規格可資描述。 | 潛力預估: 經濟部於93年8月5日所召開的「第二季促進投資擴大招商推動會議」，亦指示工業局提出「壯大汽車零組件產業發展策略」─預期 2008 年台灣的汽車零組件產業產值可達新台幣3784億元，其中電子零組件可達...

電腦模擬技術在方向盤Body Block試驗之應用

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 模擬結果與試驗比對，趨勢須一致，關鍵數值誤差在10％以內。 | 潛力預估: 承受衝擊環境之產品設計皆可使用此技術。

MB-OFDM UWB V1.0 Matlab baseband simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力

MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF and baseband co-simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力

MB-OFDM UWB V1.0 baseband VHDL code

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範；Group A bands (3.1GHz – 4.9GHz)；Data rate：6.6，10，13.3，20， 25，40，50，60Mbps。 | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力

MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力

用戶台及基地台Trch Codec模組技術

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合3GPP W-CDMA R99版規範 | 潛力預估: 可搶攻3G W-CDMA晶片市場，極具市場淺力

環境頻譜分析及基地台整合測試技術

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 適用無線通訊頻段3G/WiFi/WLAN/PHS/CDMA2000干擾量測 | 潛力預估: 可為未來電信營運商評估基地台設置、電信監理等服務。

導航顯示電腦技術

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Display Control & Processor Unit (Airborne Computer)；6.4”TFT LCD Flat Panel640；480 dot RGB, Antiglar... | 潛力預估: 可運用於電腦、遊艇與汽車導航顯示器。

直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬: 0-160MHz；功率: -8dBm ；工作溫度範圍:-40~+85℃；信號雜訊比:3 60 dB | 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統

低相位雜訊鎖相迴路振盪器 (Phase-locked DRO)

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻率: X band (or Ku band)；相位雜訊: -110 dBc/Hz @100KHz | 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統

低頻高增益帶通濾波器設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬: 30kHz~160kHz；平均增益90dB | 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統亦有數十億元之市場規模

單晶微波電路模組技術開發-S-頻段數位移相器單晶積體電路

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: Freq. S-Band；Control Bit: 6Bit (0,-5V)；Phase Control: 0.5 ~354° 5°/ step；Gain Variation:1.4 dB | 潛力預估: 應用於智慧型相列天線移相器及車用電子系統防撞雷達，極具潛力.

微波管磁路設計與製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 陰陽極電位差14~16KV，電子束半徑0.25~0.3mm，發射電流400~450mA，導流係數0.24~0.26;微波穿透係數0.98，毫米波頻段 | 潛力預估: 軍用及通訊用雷達之微波管應用

先進充氣模組開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 氣囊袋維持充氣狀態時間＞5 sec。噴嘴耐壓＞2000 psi，短期耐溫＞2000℃。 | 潛力預估: 全球每年數萬組。

產品安全可靠度鑑測技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本項技術為一品質保證技術，重點在於KNOW-HOW，並無技術規格可資描述。 | 潛力預估: 經濟部於93年8月5日所召開的「第二季促進投資擴大招商推動會議」，亦指示工業局提出「壯大汽車零組件產業發展策略」─預期 2008 年台灣的汽車零組件產業產值可達新台幣3784億元，其中電子零組件可達...

電腦模擬技術在方向盤Body Block試驗之應用

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 模擬結果與試驗比對，趨勢須一致，關鍵數值誤差在10％以內。 | 潛力預估: 承受衝擊環境之產品設計皆可使用此技術。

MB-OFDM UWB V1.0 Matlab baseband simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力

MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF and baseband co-simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力

MB-OFDM UWB V1.0 baseband VHDL code

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範；Group A bands (3.1GHz – 4.9GHz)；Data rate：6.6，10，13.3，20， 25，40，50，60Mbps。 | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力

MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力

用戶台及基地台Trch Codec模組技術

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合3GPP W-CDMA R99版規範 | 潛力預估: 可搶攻3G W-CDMA晶片市場，極具市場淺力

環境頻譜分析及基地台整合測試技術

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 適用無線通訊頻段3G/WiFi/WLAN/PHS/CDMA2000干擾量測 | 潛力預估: 可為未來電信營運商評估基地台設置、電信監理等服務。

導航顯示電腦技術

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Display Control & Processor Unit (Airborne Computer)；6.4”TFT LCD Flat Panel640；480 dot RGB, Antiglar... | 潛力預估: 可運用於電腦、遊艇與汽車導航顯示器。

直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬: 0-160MHz；功率: -8dBm ；工作溫度範圍:-40~+85℃；信號雜訊比:3 60 dB | 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統

低相位雜訊鎖相迴路振盪器 (Phase-locked DRO)

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻率: X band (or Ku band)；相位雜訊: -110 dBc/Hz @100KHz | 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統

低頻高增益帶通濾波器設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬: 30kHz~160kHz；平均增益90dB | 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統亦有數十億元之市場規模

單晶微波電路模組技術開發-S-頻段數位移相器單晶積體電路

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: Freq. S-Band；Control Bit: 6Bit (0,-5V)；Phase Control: 0.5 ~354° 5°/ step；Gain Variation:1.4 dB | 潛力預估: 應用於智慧型相列天線移相器及車用電子系統防撞雷達，極具潛力.

微波管磁路設計與製作

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 陰陽極電位差14~16KV，電子束半徑0.25~0.3mm，發射電流400~450mA，導流係數0.24~0.26;微波穿透係數0.98，毫米波頻段 | 潛力預估: 軍用及通訊用雷達之微波管應用

　|