磁振造影對比劑Gd-DTPA-BMA之新產品技術
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技術名稱-中文磁振造影對比劑Gd-DTPA-BMA之新產品技術的執行單位是核能研究所, 產出年度是96, 計畫名稱是核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫, 技術規格是本品為靜脈注射液，性狀：微黃或透明澄清液體，酸鹼值： 6.0~7.0，主成分含量：90~110%，無菌試驗：必須符合，細菌內毒素試驗：≦8.32USP EU/ml，黏度 (cp)：2.8/20℃，比重(g/cm3) ：1.15，滲透度(mOsmol/kg)：650~1000，相關化合物含量：2%..., 潛力預估是預期上市後為國內同類藥品之首項自製產品，目前國內皆進口藥品市場每年約8千萬元，未來量產上市可具降低成本取代進口效益。.

序號	2343
產出年度	96
技術名稱-中文	磁振造影對比劑Gd-DTPA-BMA之新產品技術
執行單位	核能研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本項產品技術已完成公斤級試量產技術以及查驗登記用臨床試驗，現階段情況：1.2003/1依先前技轉合約轉移給『中國化學製藥股份有限公司』。_x000D_2.2004/3原先期參與廠商中國化學製藥公司因發展策略改變而中斷後續推廣計畫。3.2006/3已分別與國內原料藥廠及生技製藥公司洽談技轉，2007年度再經公告後正與原料藥廠及生技製藥公司洽談技轉，期結合更多造影劑並聚落成產業以進軍國際。4.本項可移轉產品技術已完成查驗登記臨床試驗，證實與同類上市藥品(皆進口)具有相同診斷效益，預期若上市即為國內第一項磁振造影自製藥品，目前同類藥品進口市場每年約8仟萬元(國內)。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	本品為靜脈注射液，性狀：微黃或透明澄清液體，酸鹼值： 6.0~7.0，主成分含量：90~110%，無菌試驗：必須符合，細菌內毒素試驗：≦8.32USP EU/ml，黏度 (cp)：2.8/20℃，比重(g/cm3) ：1.15，滲透度(mOsmol/kg)：650~1000，相關化合物含量：2%。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	主適應症：腦部磁振造造影對比劑。
潛力預估	預期上市後為國內同類藥品之首項自製產品，目前國內皆進口藥品市場每年約8千萬元，未來量產上市可具降低成本取代進口效益。
聯絡人員	黃世琮
電話	*03-47114005324**
傳真	03-4711416
電子信箱	sthuang@iner.gov.tw
參考網址	http://www.iner.gov.tw/
所須軟硬體設備	須符合衛生署cGMP規範
需具備之專業人才	生技製藥相關背景

序號

2343

產出年度

技術名稱-中文

磁振造影對比劑Gd-DTPA-BMA之新產品技術

執行單位

核能研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本項產品技術已完成公斤級試量產技術以及查驗登記用臨床試驗，現階段情況：1.2003/1依先前技轉合約轉移給『中國化學製藥股份有限公司』。_x000D_2.2004/3原先期參與廠商中國化學製藥公司因發展策略改變而中斷後續推廣計畫。3.2006/3已分別與國內原料藥廠及生技製藥公司洽談技轉，2007年度再經公告後正與原料藥廠及生技製藥公司洽談技轉，期結合更多造影劑並聚落成產業以進軍國際。4.本項可移轉產品技術已完成查驗登記臨床試驗，證實與同類上市藥品(皆進口)具有相同診斷效益，預期若上市即為國內第一項磁振造影自製藥品，目前同類藥品進口市場每年約8仟萬元(國內)。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

本品為靜脈注射液，性狀：微黃或透明澄清液體，酸鹼值： 6.0~7.0，主成分含量：90~110%，無菌試驗：必須符合，細菌內毒素試驗：≦8.32USP EU/ml，黏度 (cp)：2.8/20℃，比重(g/cm3) ：1.15，滲透度(mOsmol/kg)：650~1000，相關化合物含量：2%。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

主適應症：腦部磁振造造影對比劑。

潛力預估

預期上市後為國內同類藥品之首項自製產品，目前國內皆進口藥品市場每年約8千萬元，未來量產上市可具降低成本取代進口效益。

聯絡人員

黃世琮

電話

03-4711400*5324

傳真

03-4711416

電子信箱

sthuang@iner.gov.tw

參考網址

http://www.iner.gov.tw/

所須軟硬體設備

須符合衛生署cGMP規範

需具備之專業人才

生技製藥相關背景

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人體／人臉掃描量測	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧掃描範圍：高：1900mm，寬：1000mm，深度：850mm。 ‧掃描速度：8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度：4mm(垂直)，1mm（深度）。 ‧ 樑測精度：1mm。 \| 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域，作為其服務的前端輸入及後端驗證，並可藉此技術建立所需之資料庫，供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計，更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。
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可攜式3D掃描器	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧量測面積：200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度：±0.1mm。 ‧掃描速度：60lines/sec。 \| 潛力預估: 從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作，可攜式3D掃描器應用範圍廣泛，是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後，可以同步控制作特殊的量測用途。
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微光機電技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time \| 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢，為未來製程發展之趨勢。
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平面光波導對準封裝技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment ‧ Automatic Search and Optimization ‧ ... \| 潛力預估: 本技術可快速且精準的完成耦光對準及填膠固化，並可通過環境測試，極具市場潛力。
波長鎖定器製作技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stabil... \| 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。
高功率Pump雷射耦合器	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Center Wavelength : 1480nm ‧ Center Wavelength Range : ±40nm ‧ Insertion Loss : 55dB ‧ Directivity... \| 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。
光纖陣列接頭製作及測試技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fiber Array Block ‧ FAB Pitch Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ FAB Height Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ Fiber Number: 1, ... \| 潛力預估: 以多芯束光纖輸出之光通訊元件封裝為未來趨勢，而光纖陣列接頭為其主要原件，具有不可取代之地位。
非溫控高速雷射技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: FP LD ‧ BW>10Gb/s. ‧ Low threshold6mW(bais at 35mA) ‧ To>85K DFB LD ‧ SMSR>30dB. ‧ BW>10Gb/s ‧ To>... \| 潛力預估: 高速非溫控FP LD可廣泛的應用在10Gb Ethernet access端，而DFB雷射則可應用在metro端。由於其不需溫度控制器，使得設置費大幅下降，故有利於市場拓展,此項技術亦為目前市場上積...
1.31/1.49/1.55mm三網合一光傳接模組技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧1.25Gigabit PON Burst modeTransceiver：單模10Km/Output Power>1dBm. Sensitivity2.5dBm. Sensitivity \| 潛力預估: 將可以與國際模組廠商作技術競爭，並且符合國際系統廠商規格，同時將參與國際光通訊規格制定。