內建式抖動量(jitter)量測技術
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技術名稱-中文內建式抖動量(jitter)量測技術的執行單位是工研院資通所, 產出年度是97, 計畫名稱是資訊與通訊領域環境建構計畫, 技術規格是‧待測時脈頻率: 100Mhz~1.6Ghz ‧量測解析度: 2~3ps ‧待測抖動量範圍: 100ps@1.6Ghz, 潛力預估是IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。.

序號	2565
產出年度	97
技術名稱-中文	內建式抖動量(jitter)量測技術
執行單位	工研院資通所
產出單位	(空)
計畫名稱	資訊與通訊領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	自行發展出一內建時脈'週期對週期(cycle-to-cycle)'抖動測試架構。可針對SoC系統中之高速時脈(1GHz up)，準確地量測出其jitter數據所提出之內建抖動測試電路，並加入自我校正技術以提升測試準確度。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	‧待測時脈頻率: 100Mhz~1.6Ghz ‧量測解析度: 2~3ps ‧待測抖動量範圍: 100ps@1.6Ghz
技術成熟度	雛型
可應用範圍	SOC design， design service & PLL IP provider.
潛力預估	IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。
聯絡人員	廖人慧
電話	03-5912857
傳真	03-5913183
電子信箱	lovelyAmy_Liao@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	需具備SoC晶片設計相關知識與EDA工具。
需具備之專業人才	晶片設計相關人才。
同步更新日期	2019-07-24

序號

2565

產出年度

技術名稱-中文

內建式抖動量(jitter)量測技術

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

資訊與通訊領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

自行發展出一內建時脈'週期對週期(cycle-to-cycle)'抖動測試架構。可針對SoC系統中之高速時脈(1GHz up)，準確地量測出其jitter數據所提出之內建抖動測試電路，並加入自我校正技術以提升測試準確度。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧待測時脈頻率: 100Mhz~1.6Ghz ‧量測解析度: 2~3ps ‧待測抖動量範圍: 100ps@1.6Ghz

技術成熟度

雛型

可應用範圍

SOC design， design service & PLL IP provider.

潛力預估

IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。

聯絡人員

廖人慧

電話

03-5912857

傳真

03-5913183

電子信箱

lovelyAmy_Liao@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

需具備SoC晶片設計相關知識與EDA工具。

需具備之專業人才

晶片設計相關人才。

同步更新日期

2019-07-24

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144MHz-456MHz寬鎖頻區域之鎖相迴路	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧Low jitter：peak-to-peak 100ps ‧Wide lock range：144MHz-456MHz ‧Process：TSMC 0.13um ‧Power：3.7mW@456M... \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
電子工廠製造過程之靜電放電防制技術	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧靜電防護區內的所有導體累積靜電低於100 V ‧靜電防護區內的絕緣體累積靜電儘量低於2 kV ‧防護區內帶電量超過2 kV的絕緣體距離ESD敏感零組件至少1 ft ‧靜電放電敏感零組件若需攜離防護... \| 潛力預估: IC Design House、System House、IDM、Foundry以及Package House等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
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低功率設計技術解決方案	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧Design Methodology: Multi-Vth， Multi-VDD， DVFS Design， Implementation， and Verification Methodology... \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
低功耗電路設計技術---超低電壓鎖相迴路電路技術	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧Process: TSMC 0.13um CMOS ‧Supply Voltage: 0.5v(typical 1.2V) ‧Frequency Range:360MHz~610MHz ‧Jitte... \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
低功耗電路設計技術---超低電壓靜態隨機記憶體電路技術	執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧操作頻率:80MHz@0.5v ‧功率消耗:0.55mW@80MHz_FBB，0.32mW@0.5v_NBB ‧操作於:VDD=0.3V~1.2V ‧製程:TSMC 0.13um \| 潛力預估: IC Design House、IC Design Servicey等相關產業。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
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埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF185(DMA),耐銲錫288oC, >3mi \| 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商，創造新型電路板材料，強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商，將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...
銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 \| 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板，為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎，支援已蓬勃發展之平面顯示器產業，使國內整個產業體系更完整，提升產業競爭力，最重要在建...
高容量複合石墨負極材料	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料，達到石墨改質的目的，本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%，材料成本降低40% \| 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商，掌握鋰電池關鍵原材料，預估可促進材料廠商之投資達一億元以上，年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...
導電高分子固態電容器及其製造方法	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...
混成電能調節技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.根據電池容量狀態，自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態，提高燃料使用效率，並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構，開發容易。無需微處理器，低... \| 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備，未來可攜式電源的需求，包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器，太陽能路燈/號誌/警示器等，均可以選擇適當的...
微小型燃料電池堆組裝製作技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本裝置技術整體電池堆可用熱壓製程製作完成，是一種具有製作簡便、可以大量自動化生產特色的電池堆組裝方式。其優勢在於降低傳統流道對水氣以及CO2排放的阻礙，同時因為捨棄傳統使用的雙極板，改以金屬網與塑膠框... \| 潛力預估: 本技術主要應用領域是以3C產品的行動式電能供應，包括筆記型電腦，隨身影音娛樂設備等。特別是在需要長時間連續供電的隨身電子產品，燃料電池它可提供無須充電設施的電能供應，僅以補充燃料便能提供下一階段應用所...
超薄卡片型鋰高分子電池	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧目標為開發雛形超薄卡片型高分子鋰電池製造技術，厚度< 0.5mm，電容量> 50 mAh。 ‧此技術具有重量輕、大面積化、可撓式和薄型化的優勢可因應未來3C產品薄型化及形狀可變性的要求。電池壽命大... \| 潛力預估: 本計畫所產出的超薄卡片型鋰高分子電池產品，主要可應用於智慧型卡片、生理監測模組或具彎曲形狀的電子產品上，由於薄型電池的安全性及厚度將成為衡量的重要指標之一。本計畫採用高分子電解質材料﹐透過特殊封裝材料...
無排氣側管35W高壓氙氣金屬鹵化物燈放電管製程技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電弧室內容積 ~ 0.1c.c，電級間距經機械定位後的距離6  1mm，放電管總長＜55 mm，發光效率68 lm/W，Warm-up Time ~ 6sec，初始光衰~ 92%。 \| 潛力預估: 提昇國內投射燈具照明業界的產品附加價值，並提昇投射燈具照明業界的設計能力及其產品的多樣性，最重要者為此項產品貼近汽車照明使用規範，因而此此項技術將會導引投射燈具照明業界轉型走上高附加價值之汽車照明設計...
壓鑄非晶質合金技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.塊狀非晶質鐵基合金材料: 2φ×20mmL 棒材或OD=10, ID=6, T=1mm T- core環型鐵芯，飽和磁化強度>1T。2.塊狀非晶質鋯基合金材料: 3mmt×50mmw×90mmL板... \| 潛力預估: 可創造出低成本、高性能、高附加價值及多樣化的新材料，有利於新產業版圖的開拓與機會的創造。
高密度電漿鍍膜技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值＞ 40 GPa，薄膜表面平均粗糙度Ra＜0.05μm。 \| 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面，此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜，磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸...
太陽能電池極高純度矽精煉及純化技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後，其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 \| 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽（純度99.5%）作為原料，透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程，成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料（純度99.999%）。
電鑄網版技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電鑄技術開發複合式網板製作技術，面積20×20cm，金屬箔厚度10~50μm，不鏽鋼網為325mesh，接合後開孔率為原開孔率的70%以上。 \| 潛力預估: 可提供電鑄厚度10μm~5mm電鑄箔及複合網板，並可進行技術與設備整合輸出作業。
金屬電化製程技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 銅箔強度（～75kg/mm2）、延展性（～5.5%）、耐疲勞（～2200 cycle）、表面粗度（Rz＜2μm）。 \| 潛力預估: 以脈衝電化學電鍍技術開發5~9μm超薄銅箔與銅箔分離層製程，技術特性是完全由國內自主開發，技術均已達國際商品等級，其銅箔成長速度遠高於國際領導業者專利。
高純度電子用鋁素箔製程技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 250V以下鋁電解電容器陽極板用鋁箔之鑄胚連鑄、99.8→99.99%鋁純化、軋延至100μm製程技術 \| 潛力預估: 品質與日系商品箔相當。
高精細金屬精密蝕刻技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: OLED用金屬罩規格為具有最小孔距0.03mm與0.225mm×0.070mm開口之超高精細度網罩。 \| 潛力預估: 開發出獨特並具有專利智權的Dynode強化場發射照明或顯示系統元件與其相關材料技術，並建立自主之CDT網罩製作技術、OLED熱蒸鍍Metal Mask製作技術、平面顯示器高精度電子增益零件製作技術等...