駕駛者狀態偵測系統
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技術名稱-中文駕駛者狀態偵測系統的執行單位是中科院軍民通用中心, 產出年度是97, 計畫名稱是車輛安全系統關鍵技術開發三年計畫, 技術規格是1.警示條件：第一級警示－不專心駕駛；第二級警示－危險駕駛。 2.環境條件：各種天候環境於車室內環境下。 3.硬體平台：DSP 600 MHz嵌入式車用影像平台。 4.警示方式：第一級警示－LED燈號；第二級警示：LED燈號及蜂鳴器作動。 5.系統效能：駕駛者狀態辨識正確率達90 %以上。, 潛力預估是已有部份豪華小型車款配備駕駛者疲勞偵測系統，將會逐步普及成為各種小型車款之標準安全配備；另可配合行車記錄器系統等，供商業車隊管理之駕駛績效評估標準。.
| 序號 | 2649 |
| 產出年度 | 97 |
| 技術名稱-中文 | 駕駛者狀態偵測系統 |
| 執行單位 | 中科院軍民通用中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 車輛安全系統關鍵技術開發三年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 為避免駕駛者在精神狀態不佳、或因連續開車及夜間開車發生疲累時，導致行車事故的發生，本系統建構了一組具備全天候駕駛者人臉影像偵測能力的機器視覺模組，經由視覺模組所得的影像資料，輸入至自行開發的嵌入式DSP影像處理平台中，進行人臉特徵辨識。一旦系統察覺駕駛者無法專注於車輛行進控制時，依當時車輛操控條件，將駕駛者行車狀態區分為正常駕駛、不專心駕駛及危險駕駛等狀態，給予駕駛者警示，以有效避免因駕駛人狀態不佳所導致之行車事故發生。本系統在結合無線通訊模組後，配合後台系統建置，亦可作為商用車隊駕駛績效管理之用。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1.警示條件：第一級警示－不專心駕駛；第二級警示－危險駕駛。 2.環境條件：各種天候環境於車室內環境下。 3.硬體平台：DSP 600 MHz嵌入式車用影像平台。 4.警示方式：第一級警示－LED燈號；第二級警示：LED燈號及蜂鳴器作動。 5.系統效能：駕駛者狀態辨識正確率達90 %以上。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 先進安全車輛之駕駛者狀態偵測、商用車隊之駕駛績效評估標準、駕駛者危急狀態之自動通報 |
| 潛力預估 | 已有部份豪華小型車款配備駕駛者疲勞偵測系統，將會逐步普及成為各種小型車款之標準安全配備；另可配合行車記錄器系統等，供商業車隊管理之駕駛績效評估標準。 |
| 聯絡人員 | 陳加增 |
| 電話 | 04-7811222*2347 |
| 傳真 | 04-7812336 |
| 電子信箱 | chenct@artc.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 1.需要DSP程式模擬/燒錄器以驗証、植入演算法功能 2.客製化駕駛者監控攝影機 |
| 需具備之專業人才 | 1.承接廠商人員需具備影像演算法設計經驗 2.承接廠商人員需具備DSP硬體設計經驗 |
| 同步更新日期 | 2023-07-22 |
序號2649 |
產出年度97 |
技術名稱-中文駕駛者狀態偵測系統 |
執行單位中科院軍民通用中心 |
產出單位(空) |
計畫名稱車輛安全系統關鍵技術開發三年計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文為避免駕駛者在精神狀態不佳、或因連續開車及夜間開車發生疲累時，導致行車事故的發生，本系統建構了一組具備全天候駕駛者人臉影像偵測能力的機器視覺模組，經由視覺模組所得的影像資料，輸入至自行開發的嵌入式DSP影像處理平台中，進行人臉特徵辨識。一旦系統察覺駕駛者無法專注於車輛行進控制時，依當時車輛操控條件，將駕駛者行車狀態區分為正常駕駛、不專心駕駛及危險駕駛等狀態，給予駕駛者警示，以有效避免因駕駛人狀態不佳所導致之行車事故發生。本系統在結合無線通訊模組後，配合後台系統建置，亦可作為商用車隊駕駛績效管理之用。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格1.警示條件：第一級警示－不專心駕駛；第二級警示－危險駕駛。 2.環境條件：各種天候環境於車室內環境下。 3.硬體平台：DSP 600 MHz嵌入式車用影像平台。 4.警示方式：第一級警示－LED燈號；第二級警示：LED燈號及蜂鳴器作動。 5.系統效能：駕駛者狀態辨識正確率達90 %以上。 |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍先進安全車輛之駕駛者狀態偵測、商用車隊之駕駛績效評估標準、駕駛者危急狀態之自動通報 |
潛力預估已有部份豪華小型車款配備駕駛者疲勞偵測系統，將會逐步普及成為各種小型車款之標準安全配備；另可配合行車記錄器系統等，供商業車隊管理之駕駛績效評估標準。 |
聯絡人員陳加增 |
電話04-7811222*2347 |
傳真04-7812336 |
電子信箱chenct@artc.org.tw |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備1.需要DSP程式模擬/燒錄器以驗証、植入演算法功能 2.客製化駕駛者監控攝影機 |
需具備之專業人才1.承接廠商人員需具備影像演算法設計經驗 2.承接廠商人員需具備DSP硬體設計經驗 |
同步更新日期2023-07-22 |
根據電話 04-7811222*2347 找到的相關資料
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2％。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術，可創造年產值新台幣1.5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量，銅模速冷至批量10公斤，粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸，價格競優勢弱，磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結，結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件，需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性，並需能耐酸之腐蝕，以往下電極板表層僅以陽極處理，使用壽命僅有三個月，文獻顯示，若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁，壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90％ | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率75%以上;遮蔽效率>30 d | 潛力預估: 由PDP之抗電磁波濾板關鍵組件開發,除可以降低成本外,並可協助業者爭區台幣數十億元之商機. |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 | 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2％。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術，可創造年產值新台幣1.5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量，銅模速冷至批量10公斤，粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸，價格競優勢弱，磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結，結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件，需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性，並需能耐酸之腐蝕，以往下電極板表層僅以陽極處理，使用壽命僅有三個月，文獻顯示，若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁，壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90％ | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率75%以上;遮蔽效率>30 d | 潛力預估: 由PDP之抗電磁波濾板關鍵組件開發,除可以降低成本外,並可協助業者爭區台幣數十億元之商機. |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 | 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需 |
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