高密度電漿製程設備技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文高密度電漿製程設備技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是97, 計畫名稱是機械與系統領域環境建構計畫, 技術規格是抗反射層氮化矽膜、中空陰極遠距式電漿源，電漿源有效長度≧500 mm、鍍膜速率20-52 nm/min、成膜均勻度≦10%/125mm×125mm, 潛力預估是太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積。.
| 序號 | 2680 |
| 產出年度 | 97 |
| 技術名稱-中文 | 高密度電漿製程設備技術 |
| 執行單位 | 工研院機械所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 機械與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 開發完成電容耦合平板式電漿源10MW抗反射層鍍膜系統與長線形中空陰極管式電漿源，應用於In_line電漿輔助化學沉積設備，可完成太陽電池鍍抗反射膜製程連續式生產。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 抗反射層氮化矽膜、中空陰極遠距式電漿源，電漿源有效長度≧500 mm、鍍膜速率20-52 nm/min、成膜均勻度≦10%/125mm×125mm |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 矽晶太陽電池抗反射層鍍膜與矽薄膜太陽電池；半導體鍍膜；FPD鍍膜；光學鏡片與模具鍍膜 |
| 潛力預估 | 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積。 |
| 聯絡人員 | 董福慶 |
| 電話 | 03-5916489 |
| 傳真 | 03-5826584 |
| 電子信箱 | fctung@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 乾式真空幫浦，高頻電源產生器、高頻匹配盒，電漿鍍膜設備，質流控制閥，工業電腦與windows軟體 |
| 需具備之專業人才 | 機械、材料或化工背景。具備真空技術與電漿化學氣相沉積技術實驗開發經驗人員。 |
| 同步更新日期 | 2019-07-24 |
序號2680 |
產出年度97 |
技術名稱-中文高密度電漿製程設備技術 |
執行單位工研院機械所 |
產出單位(空) |
計畫名稱機械與系統領域環境建構計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文開發完成電容耦合平板式電漿源10MW抗反射層鍍膜系統與長線形中空陰極管式電漿源，應用於In_line電漿輔助化學沉積設備，可完成太陽電池鍍抗反射膜製程連續式生產。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格抗反射層氮化矽膜、中空陰極遠距式電漿源，電漿源有效長度≧500 mm、鍍膜速率20-52 nm/min、成膜均勻度≦10%/125mm×125mm |
技術成熟度實驗室階段 |
可應用範圍矽晶太陽電池抗反射層鍍膜與矽薄膜太陽電池；半導體鍍膜；FPD鍍膜；光學鏡片與模具鍍膜 |
潛力預估太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積。 |
聯絡人員董福慶 |
電話03-5916489 |
傳真03-5826584 |
電子信箱fctung@itri.org.tw |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備乾式真空幫浦，高頻電源產生器、高頻匹配盒，電漿鍍膜設備，質流控制閥，工業電腦與windows軟體 |
需具備之專業人才機械、材料或化工背景。具備真空技術與電漿化學氣相沉積技術實驗開發經驗人員。 |
同步更新日期2019-07-24 |
根據名稱 高密度電漿製程設備技術 找到的相關資料
(以下顯示 5 筆) (或要:直接搜尋所有 高密度電漿製程設備技術 ...) | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面形遠距... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3(專利申請) 長線形遠距式射頻波電漿源：≧720 mm，電漿密度1010cm-3(已獲專利) 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1... | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%/100mm×100mm；電漿源有效長度：710 mm、Si薄膜沉積 | 潛力預估: 開發RF/ VHF/ MW高密度電漿源，提高鍍膜沉積速率。增加產能，節省成本 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%/100mm×100mm | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜沉積。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面形遠距... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
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執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%/100mm×100mm；電漿源有效長度：710 mm、Si薄膜沉積 | 潛力預估: 開發RF/ VHF/ MW高密度電漿源，提高鍍膜沉積速率。增加產能，節省成本 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
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根據電話 03-5916489 找到的相關資料
(以下顯示 3 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5916489 ...) | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸: 620*750 mm (I.e. 第3.5代LCD面板尺寸) | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (I.E. 第5代LCD面板尺寸), 等相關技術應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸: 620*750 mm (第3.5代LCD面板尺寸), 光阻去除速率>3μm, 製程溫度：300℃或低於 | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸), 高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%。 | 潛力預估: 太陽電池生產關鍵設備技術；可轉應用於微晶矽薄膜沉積。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸: 620*750 mm (I.e. 第3.5代LCD面板尺寸) | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (I.E. 第5代LCD面板尺寸), 等相關技術應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸: 620*750 mm (第3.5代LCD面板尺寸), 光阻去除速率>3μm, 製程溫度：300℃或低於 | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸), 高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%。 | 潛力預估: 太陽電池生產關鍵設備技術；可轉應用於微晶矽薄膜沉積。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量: | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2， 擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa， 降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 | 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl， 含氫量需低於0.18cc/100g Al， 成品率達80%。 | 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC， 抗拉強度達100Mpa以上。 | 潛力預估: 可提供功能性材料應用 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃纖維、碳纖維長度6-12 mm 溶劑型酚醛樹脂固含量 60-65%。 | 潛力預估: 高鐵、捷運構建之消耗性替換材料 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一以纖維強化塑膠（FRP）一體成型所繞製而成，且內部具有四條向左旋之導軌之中空管體。 | 潛力預估: 軍用各型火箭發射器 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm
˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm，深度大於3 mm，尺寸精度高於在±0.05 mm以內，表面粗度 Ra 6.3以內
˙複材... | 潛力預估: 可應用於各式輕質複材導波零件研發，包括天線反射器、天文望遠鏡，具衍生應用價值 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須通過20機砲砲擊驗證 | 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓：24+-2V， 功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓：24+-2V， 功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作，規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用。 | 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場潛力。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作，長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。 | 潛力預估: 生產所需機具成本較高。 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: ．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 | 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量: | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2， 擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa， 降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 | 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl， 含氫量需低於0.18cc/100g Al， 成品率達80%。 | 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC， 抗拉強度達100Mpa以上。 | 潛力預估: 可提供功能性材料應用 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃纖維、碳纖維長度6-12 mm 溶劑型酚醛樹脂固含量 60-65%。 | 潛力預估: 高鐵、捷運構建之消耗性替換材料 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一以纖維強化塑膠（FRP）一體成型所繞製而成，且內部具有四條向左旋之導軌之中空管體。 | 潛力預估: 軍用各型火箭發射器 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm
˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm，深度大於3 mm，尺寸精度高於在±0.05 mm以內，表面粗度 Ra 6.3以內
˙複材... | 潛力預估: 可應用於各式輕質複材導波零件研發，包括天線反射器、天文望遠鏡，具衍生應用價值 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須通過20機砲砲擊驗證 | 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓：24+-2V， 功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓：24+-2V， 功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作，規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用。 | 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場潛力。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作，長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。 | 潛力預估: 生產所需機具成本較高。 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: ．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 | 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。 |
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